Эффективного коэффициента

чальной проницаемости [АН. Величина рн, характеризующая поведение материала в этой области, является важнейшей характеристикой магнитных свойств материала. Она позволяет судить о возможности эффективного использования материала для усиления слабых полей.

Для эффективного использования технических средств необходима параллельная работа во времени процессора и периферийных устройств. Такой режим в машинах общего назначения организуется при помощи специализированных процессоров ввода-вывода (каналов ввода-вывода) информации. Периферийные устройства связываются с каналами через собственные блоки управления (УПУ) и систему сопряжения, называемую интерфейсом ввода-вывода.

Существуют трудности, связанные с решением проблемы автоматизации параллельного программирования, необходимой для обеспечения эффективного использования для широкого круга задач матричных (параллельных) ВС, т. е. систем типа ОКМД. .

Из-за ограниченности зоны // обычно за рабочую зону феррорезо-нансного контура принимают зону ///. Так как чаще всего ферроре-зонансные контуры применяют для стабилизации напряжения, более широкое распространение получила схема параллельного соединения конденсатора и дросселя. Эта схема кроме эффективного использования емкости, запасенная энергия которой пропорциональна напряжению на ней, позволяет получить сравнительно хорошую форму кривой напряжения на нагрузке.

Результаты расчетов указывают на целесообразность совершенствования современных спуско-подъемных агрегатов установок БУ-2500 — БУ-5000 для более эффективного использования допустимых высших скоростей подъема. Анализ показывает, что для достижения этой цели необходимо, в первую очередь, сократить время замедления на выбеге (за счет увеличения массы подвижных частей талевой системы или подтормаживания ленточным или электромагнитным тормозом), уменьшить инерционные массы и по возможности применять удлиненные свечи (36м).

Работа ИН как преобразователя электроэнергии основана на процессах заряда и разряда, коммутации цепей, передаче энергии между индуктивно связанными катушками, индуктивными и емкостными элементами и т. п. Одна из главных задач при разработке ИН — обеспечение эффективного использования энергии первичного источника энергии и повышение КПД собственно ИН, а также связанных с ним электрических цепей и коммутационных аппаратов. Определенное внимание должно уделяться влиянию вихревых токов, наводимых в конструктивных элементах.

Выше рассматривались системы с временным уплотнением, в которых телеграфные сигналы не были синхронизированы с импульсной несущей частотой. Телеграфный канал получался «прозрачным», однако это достигалось очень неэффективным использованием полосы пропускания канала связи. Если телеграфные сигналы и импульсную несущую синхронизировать, то можно добиться весьма эффективного использования полосы частот канала связи, но в этом случае телеграфный канал потеряет свойство прозрачности.

В апреле 1978 г. было принято важное постановление ЦК КПСС и Совета Министров СССР «О повышении эффективности научно-исследовательской работы в высших учебных заведениях». Оно направлено на решение жизненно важной для высшей школы и многообещающей для народного хозяйства страны проблемы эффективного использования научного потенциала вузовских коллективов. Это постановление, а также постановление «О дальнейшем развитии высшей школы и повышении качества подготовки специалистов» (1979 г.) содержат конкретные программы реализации политики партии в области образования и подготовки высококвалифицированных специалистов для народного хозяйства и ставят перед вузовскими коллективами, профессорами, преподавателями, а также студентами большие и чрезвычайно ответственные задачи.

При температуре ниже 2000°С плазма перестает существовать, поэтому для эффективного использования теплоты покидающих МГД-канал газов установку с МГД-генератором необходимо дополнить обычным паротурбинным блоком. В парогенераторе энергоблока вырабатывается перегретый пар за счет использования теплоты отработавших в МГД-установке газов. Перегретый пар в турбине используется по обычной схеме.

Программирование на машинных языках требует больших затрат труда и времени, поэтбму в настоящее время разработаны языки, называемые алгоритмическими. Эти языки близки к обычному математическому и в то же время достаточно формализованы для того, чтобы обеспечить решение задач на ЦВМ без участия человека. Программа, составленная на аглоритмическом языке, должна быть переведена на машинный язык. Этот процесс выполняется автоматически .на ЦВМ с помощью специальных программ— трансляторов. Для эффективного использования ЦВМ кроме трансляторов требуются библиотеки стандартных программ, программы, обеспечивающие последовательное решение нескольких задач,— режим пакетной обработки, параллельное прохождение задач — Мультипрограммный режим и ряд других. Все эти вспомогательные программы, образующие так называемое математическое обеспечение (МО) ЦВМ, поставляются заводом—изготовителем ЦВМ. Программы для решения конкретных задач данной области знаний, имеющиеся в распоряжении пользователя, составляют специальное математическое обеспечение (СМО). В настоящее время языки написания программ подразделяются на два класса: машинно-ориентированные и проблемно-Ориентированные. Если основная цель состоит в получении оптимальной программы, т. е. в наилучшем использовании возможностей ЦВМ данного типа и сведении к минимуму машинного времени, затрачиваемого на вычислительный процесс, то используют машинно-ориентированные языки. Если же на первом плане стоит облегчение процесса составления программ и обмена алгоритмами, то предпочтение отдают проблемно-ориентированным языкам.

Факторизация проминимизированныз ДНФ для синтеза сетей из ПЛМ при большом числе переменных требует много вычислений и не гарантирует эффективного использования сложного базиса. Более эффективным является метод предварительной факторизации исходной СБФ по эвристическим критериям: с дальнейшим построением сети из ПЛМ и ПМВ на основе выделенных факторов [23, 241 .

3.8. Модель ЛПД с р+-л-1ип+-струк-турой (а); распределение примесей (б), напряженности электрического поля (в) и эффективного коэффициента ионизации (г) при лавинном пробое ,р^-п-пере-хода

Связанные заряды, находящиеся на поверхности включений, с ростом концентрации начинают частично нейтрализовать друг друга. Поляризация включений уменьшается, так как поле Ед соседних включений ослабляет внешнее электрическое поле Е0. Влияние уменьшения поляризации включений на величину БСР можно характеризовать введением в формулу (9-72) эффективного коэффициента деполяризации Л^фф = k (v^ Nx, где значение k (uj)<;l должно уменьшаться с ростом концентрации включений. Этому требованию удовлетворяет k (иг) ---= 1—wt.

Из формулы (6.56а) следует, что при амплитудном управлении постоянная времени Тм растет с уменьшением эффективного коэффициента сигнала аэ, так как снижается величина пускового момента.

Как уже говорилось, кристалл полупроводникового соединения в области гомогенности имеет дефектную структуру, что облегчает растворение в нем атомов не только собственных компонентов, но и примесей. Поэтому априори чем большей областью гомогенности обладает полупроводниковое соединение, тем менее эффективна для него кристаллизационная очистка. Это положение подтверждается анализом растворимости примесей в полупроводниковых соединениях, обладающих областью гомогенности различной протяженности, и в их компонентах, выполненным с использованием в качестве критерия растворимости эффективного коэффициента распределения (табл. 4).

В допустимых с позиций структурного совершенства кристалла изменениях скоростей кристаллизации и вращения кристалла величина эффективного коэффициента распределения изменяется от равновесного k0 до максимально-

Для многих сложных полупроводников не известны данные, необходимые для расчета концентраций примеси, создающей глубокие уровни (положение энрегетических уровней, эффективные плотности состояний и др.) и компенсирующей ее простой донорной или акцепторной примеси. Тогда концентрацию такой примеси, необходимой для создания в монокристалле полупроводника требуемых свойств, например удельного электрического сопротивления, определяют экспериментально. Для этого выращивают монокристаллы из расплавов с различным содержанием легирующей примеси (проценты по массе), как это показано на 4.17 для легированного примесью железа полуизолирующего фосфида индия. Далее с помощью эффективного коэффициента распределений k можно по уравнению (4.3) рассчитать концентрацию легирующей примеси в кристалле в атомах на кубический сантиметр.

кретные условия проведения кристаллизационного процесса. Особенно необходим их учет при получении монокристаллов элементарных полупроводников, имеющих ярко выраженную скоростную зависимость эффективного коэффициента распределения. Однако она проявляется заметно только при скоростях >0,5 мм/мин, когда имеющий экспоненциальный характер график скоростной зависимости эффективного коэффициента распределения, построенный по уравнению (4.4), начинает резко изменять угол

4.18. Зависимость эффективного коэффициента распределения k примеси сурьмы в монокристалле германия, выращиваемом методом Чохральского с различными скоростями

наклона ( 4.18). Поэтому, как правило, во всех полупроводниках, кристаллизующихся при скоростях <0,5 мм/мин, значение эффективного коэффициента распределения примерно равно величине равновесного коэффициента распределения.

При экспериментальном определении значения эффективного коэффициента распределения k в монокристаллах полупроводников сначала по данным измерения электрических свойств, химического, спектрального, масс-спект-рального и других методов анализа определяют концентрацию примеси в кристалле в сечениях Nq и Ng, соответствующих данной относительной координате положения

Однако такой расчет возможен только тогда, когда &>0,1. Для меньших значений k изменение концентрации примеси в расплаве, связанное с переходом ее в растущий кристалл, незначительно. Это приводит к тому, что изменение концентрации примеси в кристалле определяется главным образом изменением объема расплава и не зависит от величины k. В этом случае значение эффективного коэффициента распределения рассчитывают по уравнению (4.3), подставляя в него значения исходной концентрации примеси в расплаве С0 и экспериментально найденного значения концентрации примеси в начальной части выращенного кристалла N в точке, где величины q и g примерно равны нулю.