Дальнейшее построение

Дальнейшее изменение коэффициента обеспеченности сборок будет проводиться до тех пор, пока не будет определена минимальная суммарная приведен, ная стоимость С2 min ТС с одним промежуточным уровнем.

В этом случае количество вторичных ячеек практически неограниченно, так как энергия для их перемагничивания поступает от постороннего источника ( 6.10). Транзистор может быть включен по схеме с общей базой, общим коллектором или с общим эмиттером. Учитывая принципиальную общность работы этих схем, рассмотрим более подробно схему с общим эмиттером. Транзистор в обычном состоянии заперт, и ток в цепи выхода отсутствует. Если на первом сердечнике записана единица (+ВГ), при подаче считывающего импульса (значительно меньшего, чем необходимо для полного перемагничивания) открывается транзистор и появляется ток в выходной цепи. Даже незначительное изменение индукции от -\~ВГ в сторону уменьшения приводит к появлению определенной э. д. с. в обмотке обратной связи wua и, следовательно, к появлению, пусть незначительного, отрицательного потенциала на базе транзистора. В результате транзистор несколько открывается и в цепи выхода появляется ток. Ток выхода, протекая по обмотке и>в, создает напряженность поля, направленную согласно с напряженностью считьшания. Это обусловливает дальнейшее изменение потока, увеличение отрицательного потенциала на базе и в конечном итоге увеличение тока выхода. Процесс перемагничивания нарастает лавинообразно и заканчивается полным перемагничивани-ем сердечника от +ВГ до —Вг, после чего изменение потока прекращается, отрицательный потенциал на базе транзистора исчезает, он вновь запирается и ток и выходной цепи становится равным нулю.

Вопросам стабилизации режима работы транзисторного каскада необходимо уделять серьезное внимание. Главным дестабилизирующим фактором являются колебания температуры. Ее влияние может быть прямым, вследствие чего изменяются физические параметры транзистора, и косвенным, когда изменения dU^ 3/dT, d$ fdT и dL g Q/dT вызывают нарушение режима работы каскада и обусловливают дальнейшее изменение параметров.

Таким образом, в момент времени t2, когда основная щетка сбегает е коллекторной пластины 2, ток во вспомогательной ветви становится равным г'2 и сбегающий край щетки А оказывается обее-точенным. В интервале времени tl — /2 ток в сбегающем крае щетки А уменьшается по прямой cd, а ток iB щетки В растет по прямой ef и становится равным iz, который щетка А должна была бы разорвать при отсутствии щетки В. С момента времени t2 вентиль оказывается включенным последовательно в контур коммутируемой секции и дальнейшее изменение тока в секции и коллекторной пластине 2 определяется действующими в коммутируемом контуре ЭДС.

Приоритетность приема запроса прерывания относительно других уровней обеспечивается работой триггера прерывания ТПР, который может быть установлен в состоянии 1, если есть запрос по данному уровню, разрешенный маской (состояние ТМ\ равно 1). На нулевой вход ТПР подаются единичные выходы таких же триггеров ТПР от уровней со старшим приоритетом. Схема триггера ТПР построена так, что преобладает сигнал на его нулевом входе, следовательно, при одновременном появлении нескольких запросов состояние 1 получит только один из ТПР, соответствующий наиболее старшему уровню. После того как один из ТПР получил состояние 1, ни один из уровней, даже более старших, не должен гасить его, пока не окончится процедура входа в прерывающую программу. Входы всех триггеров ТПР, объединенные схемой ИЛИ (не показана на данном рисунке), образуют сигнал Прерывание осуществлено, который заставляет процессор прервать текущую программу и одновременно запрещает дальнейшее изменение состояний ТПР. После окончания процедуры входа процессор посылает ответный сигнал, гасящий триггеры ТПР и тот из

Так как имеется три пары полюсов, то при изменении рэл от О до 180° ротор поворачивается на 60°. Дальнейшее изменение UZA при изменении р определяется аналогично. Вместо отставания по фазе вектора Ula будет наблюдаться опережение вектором и2л-

Дальнейшее изменение состояния рабочего тела связано с необходимостью возвращения поршня в первоначальное положение, а газа — в начальное состояние. В цикле Карно это осуществляется следующим образом: от точки 3 начинается изотермическое сжатие, во время которого рабочее тело находится в соприкосновении с источником тепла Тг; процесс изотермического сжатия заканчивается в точке 4, и в течение этого процесса от рабочего тела переходит в холодный источник q% единиц тепла. При этом на сжатие затрачивается работа, измеряемая в ро-диаграмме площадью 3-4-7-5-3.

Функции, представляемые интегралом, но отличные от нуля при ^=0—. К такому типу функций принадлежит, например, напряжение на емкости «с (0 при том, что «с (0—) Ф О, а дальнейшее изменение uc(t) выражается через интеграл от тока, деленного на величину емкости:

Когда 1/вых2(0 повышается до уровня ?/вых.гр, транзистор TI переходит в крутую область вольт-амперной характеристики и дальнейшее изменение выходного напряжения характеризуется выражением

торое время после изменения входного напряжения коллекторный ток достигает значения IKH = EIRK. Дальнейшее изменение коллекторного тока прекращается и он принимает максимальное возможное значение для данного каскада. Транзистор из активного режима переходит в насыщенный. Напряжение на его коллекторе принимает малое, близкое к нулевому значение L/KH. Время изменения выходного напряжения каскада uKa(t) от — Е + 1коКк ^ » — ? до t/KH?«0 называют временем включения каскада ?вкл. Учитывая экспоненциальный характер изменения коллекторного тока на этапе включения ( 3.85, г), время включения можно выразить как

Полагая в) > вбэк и /52(^3) ^ ^кн. процесс включения транзистора Т2 можно рассматривать упрощенно как включение постоянным базовым током 7КН В зтом случае кажущийся коллекторный ток транзистора Т2 стремится к уровню /К2каж= ^а'кн с постоянной времени вэ. Когда коллекторный ток достигнет значения /кн, транзистор войдет в режим насыщения и дальнейшее изменение его коллекторного тока и напряжения на коллекторе приостановится (см. 6.26, з). Используя построения на 6.29, получим, что время, требующееся для перевода транзистора Т2 в насыщенный режим:

Отрезок гд в масштабе сопротивлений и дает сопротивление первой секции резистора. Дальнейшее построение характеристик ясно из 13. Отрезки дг, ев, вб соответствуют сопротивлению отдельных секций пускового резистора в порядке их замыкания.

Пользуясь (XII. 36), проводим дальнейшее построение диаграммы в следующем порядке. Откладывая по оси ординат характеристики холостого хода величину э. д. с. ?8(j ( XII. 16, б), определяем

кой со скольжением s = ± оо. Прямая OF в этом случае является линией электромагнитной мощности Рэм = 0. Дальнейшее построение шкалы скольжения и шкалы к. п. д. производится таким же образом, как и для уточненной круговой диаграммы.

После нахождения точки Я дальнейшее построение рабочей окружности производится обычным образом.

шину меньшего по высоте молниеотвода и определяется (рис 12-8) вершина фиктивного молниеотвода 3. Дальнейшее построение ведется, как для двух молниеотводов одинаковой высоты.

С учетом сказанного курс и соответственно учебник формируются как фундамент, обеспечивающий дальнейшее построение специальных курсов, применяющих современные методы вычислительной техники, средства автоматизации, кибернетизации при проектировании и управлении электрическими системами.

соте молниеотвода 2 и определяется вершина фиктивного молниеотвода 3. Дальнейшее построение ведется, как для двух молниеотводов одинаковой высоты.

а — составляющая зона рассеяния ЦЭН предприятия от влияния цеха 1; б — часть зоны рассеяния ЦЭН предприятия, созданная влиянием цехов 1 и 2. Дальнейшее построение производится аналогично: / — эллипс рассеяния ЦЭН предприятия, получившийся от влияния цеха 1; 2 — то же от влияния цеха 2.

Таким образом, по любой заданной передаточной функции определены два из трех Z (или К)-параметра. Третий параметр выбирается, исходя из условия симметрии cxeMja, и дальнейшее построение четырехполюсника осуществляется, как в случае синтеза реактивных четырехполюсников. ^

соте молниеотвода 2 и определяется вершина фиктивного молниеотвода 3. Дальнейшее построение ведется, как для двух молниеотводов одинаковой высоты.

Дисциплина «Переходные процессы» и соответствующий ей учебник формируются как фундамент, обеспечивающий дальнейшее построение специального обучения, применяющего методы вычислительной техники, средства автоматизации, кибернетизации при проектировании и управлении электроэнергетическими системами. По существующим учебным планам она читается раньше дисциплин, посвященных автоматизации электрических систем. Это обстоятельство предопределило введение в учебник элементарных сведений по автоматическому регулированию, которые даются в простейшей форме, поскольку они необходимы только для обеспечения подхода к рассмотрению современной электрической системы как единого целого, включающего не только силовые элементы системы, но ее регулирующие и управляющие устройства.

дальнейшее построение пусковой диаграммы на реостатных позициях ПГ производится так же, как и на СГ. Реостатный пуск заканчивается при иахз, когда выключается последняя ступень Rn р и к ТМ подводится полное напряжение, т.е. заканчивается зона I (см. 62.36) регулирования силы тяги.