Достижении некоторой

Ограничение выходного параметра контура в допустимых пределах легко обеспечивается путем ограничения соответствующего задающего сигнала. Например, применительно к системе, показанной на 77, для ограничения выходного параметра Xi необходимо обеспечить сигнал задания на входе регулятора Р/ в пределах .Хз1^= ^1доп, что удобно выполнить, ограничив выходной сигнал регулятора Р2. Такое ограничение осуществляется путем включения стабилитрона (или регулируемого блока ограничения) параллельно цепи обратной связи регулятора Р2. При достижении напряжением выхода Р2 уровня ограничения стабилитрон «пробивается», в связи с чем резко усиливается отрицательная обратная связь по выходу регулятора Р2 и его выходное напряжение больше не увеличивается. Аналогичным образом ограничивается выходной параметр для любого контура регулирования.

Включение стабилитронов Z)t и D2 в цепь отрицательной обратной связи (см. 3.34) делает последнюю нелинейной, что позволяет ограничить амплитуду на требуемом уровне. При малых значениях напряжения 1/вых напряжение на диодах С/д меньше напряжения стабилизации С/ст ( 3.35, б), сопротивление R3 не зашунтировано диодами. Сопротивления jRt—R3 выбираются так, чтобы коэффициент усиления в этом случае ЛГ=1+(Л2 + ^з)/^1 был больше 3, вследствие чего амплитуды выходного напряжения и пропорционального ему напряжения на диодах ?7Д возрастают. При достижении напряжением С/д амплитудного значения, равного напряжению стабилизации С/ст, и соответствующего ему амплитудного значения С/вых тот или иной диод открывается и пара стабилитронов шунтирует сопротивление R3. Вследствие этого 100

После момента времени ^ конденсатор С1 начинает заряжаться с постоянной времени тзар 1 =R1C1, а напряжение t/BX j стремится к нулю с той же постоянной времени. По достижении напряжением Unx j порогового значения t/nopcx, при котором переключается микросхема Э15 напряжение ?/вых скачком изменяется до значения, соответствующего логической единице, т.е. UBblxl(t2)=U^bm, что приводит к изменению напряжения С/вх2 (t2)= U»m, а следовательно, ^вых2(?2)= ^°ых- Таким образом, мультивибратор переходит в следующее квазиустойчивое состояние, за время которого происходят заряд конденсатора С2 и изменение напряжения ?/вх 2 с постоянной времени тзар2 = Л2С2. При Um2(t3) = = ^пор сх мультивибратор переходит в новое квазиустойчивое состояние, во время которого заряжается конденсатор С\, т. е. цикл повторяется.

При достижении напряжением г/пых уровня tCuxo будем иметь

При запертом тиристоре ТР% и открытом тиристоре ТР\ за счет тока источника ? мощность от него поступает в нагрузку /?„ и конденсатор Ск, накапливающий энергию. При открытом тиристоре ТР2 и запертом тиристоре +0~ TPi (следующий полупериод) конденсатор, перезаряжаясь, отдает накопленную мощность в нагрузку. Таким образом, в нагрузку поступает мощность в течение всего периода. Запирание тиристора ТР{ в конце первого полупериода происходит автоматически по достижении напряжением на конден- рис 1)14

шаться в направлении к стоку. Соответственно уменьшается напряженность поля в диэлектрике и удельный заряд электронов в канале. В результате сечение канала начинает сужаться в направлении к стоку. По достижении напряжением на стоке значения, равного напряжению насыщения t/CH в точке х = I, становятся равными нулю разность потенциалов между затвором и поверхностью полупроводника, напряженность поля в диэлектрике и удельный заряд электронов. Поэтому толщина канала оказывается равной нулю ( 3.37, б). Эти условия соответствуют началу режима отсечки канала (образование «горловины» канала).

Напряжение ись, снимаемое со стабилитрона V8 ( 9.1) должно быть выбрано с запасом меньше Ек. Тогда при достижении напряжением на конденсаторе значения uc^UCf (UCf меньше [/с& на величину падения напряжения на переходе эмиттер — база V7 порядка 0,2 В) открывается диод V6. По мере дальнейшего заряда конденсатора на базу транзистора 1/7 подается положительный относительно его эмиттера потенциал, что приводит к его закрытию. Тогда закрываются транзисторы VII и V12 и на выходе ЭВ сигнал изменяется с 0 на 1.

АЦП последовательного счета. Если в структурной схеме, представленной на 4.4, д, в качестве устройства управления применить счетчик импульсов, io получим АЦП последовательного сччта ( 4.5), работающий в такой последовательности. По сигналу «Пуск» счетчик устанавливается в нулевое состояние, после чего по мере поступления на его счетный вход тактовых импульсов (с частотой /т) линейно-ступенчато возрастает выходное напряжение «к ЦАП. При достижении напряжением ик значения их схема сравнения прекращает подсчет импульсов в счетчике Сч, а код с выходов последнего заносится в регистр памяти РП.

На характеристике можно выделить несколько характерных участков. При малых значениях напряжения 0 ток в цепи, а следовательно, и коэффициенты «1 и а 2 малы, при этом /«/о и тиристор ведет себя как диод, включенный в обратном направлении (учас-ТОК /). При достижении напряжением критического

На характеристике можно выделить несколько характерных участков. При малых значениях напряжения U ток в цепи, а следовательно, и коэффициенты ai и сс2 малы, при этом /яг/о и тиристор ведет себя как диод, включенный в обратном направлении (участок /). При достижении напряжением критического

Наиболее распространенным и простым генератором импульсов является #С-схема ( 9.5, а). Она состоит ю источника постоянного тока ), питающего через токо-ограничивающий резистор 2 накопитель — конденсаторную батарею 3. Межэлектродный промежуток 4 включен параллельно конденсаторной батарее. Заряд конденса-тсров показан на 9.5,6. Напряжение на конденсаторах растет по экспоненте до момента х, когда происходит пробой межэлектродного промежутка. При этом напряжение на промежутке резко падает и через него протекает импульс разрядного тока. При достижении напряжением значения, меньшего, чем напряжение дуги, разряд прекращается. После этого снова начинается

В общем случае устойчивой считается ТС, отклонение у которой от данного состояния (равновесия или движения по заданному закону) в переходном процессе, вызванном ограниченным по величине воздействием, со временем не возрастет (в реальной системе уменьшается). Если это отклонение возрастает, то система считается неустойчивой. Нелинейность системы, т. е. изменение значений ее параметров с отклонением, приводит к тому, что отклонение не нарастает беспредельно и его увеличение прекращается при достижении некоторой величины. При периодической неустойчивости устанавливаются колебания с некоторой амплитудой, носящие название автоколебаний (при резании, трении, вибрациях).

Разгон двигателя начинается в точке / и происходит по характеристике А. По достижении некоторой скорости, соответствующей точке 2, третья ступень пускового реостата Ялобз отключается и двигатель переходит на характеристику В — в точку 3, вследствие чего момент двигателя возрастет, однако скорость двигателя в течение небольшого промежутка времени переключения сохраняется неизменной ввиду инерции двигателя и связанного с ним исполнительного механизма. Далее разгон продолжается от точки 3 до точки 4, затем вторая ступень реостата отключается и двигатель переходит на характеристику С — в точку 5, после чего происходит разгон от точки 5 до точки б и последующее отключение первой ступени реостата. После отключения всех ступеней реостата обмотки ротора замыкаются накоротко и двигатель переходит на работу по естественной характеристике D. Разгон двигателя заканчивается в точке 8, определяемой тормозным моментом нагрузки Мт.

Таким образом, из (3.32) следует, что включение тиристора возможно только при достижении некоторой минимальной амплитуды тока управления /ут,-„, обеспечивающей положительное значение множителя при экспоненте с положительным показателем степени:

кость 0,86—0,87 кДж/(кг'К) — как для мусковита, так и для флогопита. На 6-44 и 6-45 представлены типичные зависимости tg б от температуры и Епр от толщины пластинки для мусковита среднего качества. Мусковит более стоек по отношению к истиранию, чем флогопит. Это важно для коллекторных миканитов (см. ниже); такой миканит, изготовленный из мусковита, истирался бы щетками машины в меньшей степени, чем медь коллектора, вследствие чего поверхность коллектора делалась бы неровной и в эксплуатации машины приходилось бы время от времени производить «продоражива-ние» коллектора. Коллекторный миканит из флогопита истирается наравне с медью, и при его применении «продораживания» не требуется. Большинство применяемых в электротехнике слюд при нагреве до нескольких сот градусов Цельсия еще сохраняет сравнительно хорошие электрические и механические свойства, поэтому слюда относится к электроизоляционным материалам высшего класса нагре-востойкости С (§ 5-3). При достижении некоторой достаточно высокой температуры из слюды иачи-

Возможен переход от пузырькового непосредственно к дисперсному режиму при достижении некоторой критической массовой скорости. Это явление отображено на диаграмме Бейкера и др. На 5.3 показан график в координатах р— vCM/gD [5.11], построенный по результатам изучения течения воздуховодяной смеси в вертикальной трубе при атмосферном давлении, на котором ясно видна возможность такого перехода. Для пароводяных потоков он наступает при массовых расходах выше 6 • 106 кг/м2 • час [5.6].

Характер кривой на фиг. 22, б на некотором протяжении соответствует кривой на фиг. 22, а, т. е. износ в том и другом случаях идет практически одинаково и только по достижении некоторой величины за счет ослабления режущего лезвия начинается резкое повышение температуры и, если не прекратить работу в точке А, то произойдет разрушение режущей части инструмента.

Изучение нейтронного повреждения проводится при достижении некоторой дозы — характерные особенности зарождения пор выводятся из исследования пространственного распределения пор, распределения пор по размерам, концентрации характерных пор. Исследование образцов, облученных при нескольких температурах и до различных доз, позволяет проследить за эволюцией радиационной пористости о температурой облучения и дозой. Выводы о механизме зарождения пор основаны на сопоставлении характерных особенностей зарождения пор и закономерностей развития радиационной пористости, полученных при экспериментальном исследовании объектов, с ожидаемыми из теоретических моделей зарождения пор.

В первых имитационных экспериментах, в которых исследовалось распухание никеля и стали 316 при облучении ионами С2+ с энергией 20 МэВ [73, 74], никеля при облучении ионами Se3+ с энергией 6—11 МэВ [75] и никеля при облучении в ВВЭМ [76], выявлена интересная закономерность — по достижении некоторой дозы происходит замедление или насыщение распухания с дозой. Насыщение распухания с дозой наблюдалось [77] на ниобии в случае облучения ионами Та3+ с энергией 7,5 МэВ при 800 ( 64) и 900 С°. Проведены многочисленные экспериментальные и теоретические исследования с целью установления причины замедления или насыщения распухания с дозой [23, 78]. Предполагается, что насыщение распухания с дозой может быть обусловлено следующими причинами:

Исследование распухания тантала, облученного в реакторе DFR при 500° С, методом дилатометрии [71] показало, что распухание сначала растет с дозой, но по достижении некоторой дозы начинает снижаться; авторы [71 I считают, что снижение распухания с дозой — результат ядерного превращения /з'Та (п, у)7з"'Та -> ->• 742W, приводящего к увеличению плотности материала.

При реакторном облучении сталей в определенном температурном интервале наблюдается совместное развитие гелиевых пузырьков и вакансионных пор [54]. Нами проведено исследование образцов никеля, облученных ионами Хе+ с энергией 2 МэВ при температуре 500—600° С дозой 50—150 с/а [134]. Основной особенностью структуры исследованных образцов является наличие двух систем пор: мелких и крупных. Предполагается, что в данном случае, как и при реакторном облучении, развивается пористость двух видов: преимущественно вакансионная (крупные поры) и преимущественно газовая (мелкие поры). Вакансионные поры зарождаются при определенной степени пересыщения матрицы генерируемыми вакансиями, а газовые поры — по достижении некоторой концентрации внедряемых в решетку атомов инертного газа.

Некоторые металлы обладают замечательными свойствами: при охлаждении их электросопротивление понижается обычным образом, но при достижении некоторой температуры это сопротивление исчезает полностью. Тогда говорят, что произошел переход в сверхпроводящее состояние. Температура, при которой сверхпроводник теряет сопротивление, называется его критической температурой ( 16.1).