Достижения максимальной

Развитие индукционного нагрева идет по пути совершенствования его технологии и автоматизации, в том числе и на основе достижений современной вычислительной техники. Расширяется применение высоких температур как при традиционных способах нагрева, так и при индукционном плазменном нагреве. В связи с ростом мощности установок и расширением их использования в промышленности особое значение приобрело совершенствование основной аппаратуры и источников питания, направленное на улучшение энергетических показателей и надежности установок для нагрева проводящих материалов и диэлектриков.

Дальнейшее развитие радиотехнических систем связано с непосредственным использованием в них достижений современной математики, физики, электронно-вычислительной техники, автоматики и технической кибернетики. Роль математики возрастает при анализе и синтезе радиотехнических систем. Достижения физики твердого тела в создании новых элементов электроники позволили резко повысить надежность и уменьшить массу и габариты РЭА.

экономически оправдан только при больших объемах производства. Примерами таких БИС могут служить микросхемы для электронных часов, карманных микрокалькуляторов и других изделий. Микропроцессоры представляют собой цифровые БИС, выполняющие законченный процесс обработки информации и предназначенные для построения широкого набора различного назначения. Сюда относятся специализированные и универсальные микроЭВМ, устройства автоматического управления и др. Использование последних достижений современной микропроцессорной технологии позволяет создавать на одном кристалле процессора также устройства оперативной и постоянной памяти. Такие БИС получили название однокристальных микроЭВМ. Матричные БИС содержат на кристалле прямоугольную матрицу, состоящую из нескольких сотен или тысяч логических элементов. Созданием определенного рисунка металлических соединений из этих элементов получаются специализированные БИС для конкретных цифровых устройств. Используя одну из таких матриц и изменяя рисунок соединений, можно реализовать большой набор цифровых БИС различного назначения. Отдельный класс цифровых БИС составляют БИС запоминающих устройств.

Преобразование составляющих комплексного сопротивления в напряжения связано с необходимостью обеспечения высокой точности, линейности, однозначной зависимости, а также ряда других требований и поэтому стало технически целесообразным лишь на базе достижений современной микроэлектроники. Для создания подобных преобразователей используются операционные усилители, которые обладают, как уже отмечалось (см. п. 7.4), рядом положительных свойств (большое значение коэффициента усиления в разомкнутом состоянии; большое входное и малое выходное сопротивления; широкий частотный диапазон и др.).

Большинство достижений современной научно-технической революции связано с развитием полупроводниковой электроники. Она позволила создать приборы, действие которых выходит далеко за рамки возможностей классической вакуумной электроники. Это твердотельные диоды, триоды, генераторы СВЧ колебаний, источники когерентного и некогерентного излучений, фотосопротивления, фотодиоды, фотоэлектрические преобразователи и многие другие типы приборов. Их использование дало возможность разработать большое число схем, применяемых в системах автоматизации различных процессов, быстродействующих счетно-вычислительных устройствах, средствах связи и управления, преобразования солнечной энергии и т. п.

Преобразование составляющих комплексного сопротивления в напряжения связано с необходимостью обеспечения высокой точности, линейности, однозначной зависимости, а также ряда других требований и поэтому стало технически целесообразным лишь на базе достижений современной микроэлектроники. Для создания подобных преобразователей используются операционные усилители, которые обладают, как уже отмечалось (см. п. 7.4), рядом положительных свойств (большое значение коэффициента усиления в разомкнутом состоянии; большое входное и малое выходное сопротивления; широкий частотный диапазон и др.).

Дальнейшее повышение мощностей агрегатов будет связано с широким использованием достижений современной науки — физики и техники сверхнизких и сверхвысоких температур, физики твердого тела, физики плазмы. Существенного ускорения темпов роста технического прогресса можно ожидать на пути поиска принципиально новых технических решений, и советские ученее ведут в этом направлении самые серьезные исследования.

Все сказанное предопределило необходимость органической увязки основных направлений дальнейшего развития электроэнергетики с оптимизацией перспективного топливно-энергетического баланса в условиях реальных хозяйственных и ресурсных ограничений, связанных с развитием экономики, а также разработки перспективной энергетической политики на базе новейших достижений современной науки и техники.

страны Азии) может произойти «революция» в отношении применения «мягкой» или «адекватной» технологии. Традиционный стиль мышления в развитых странах обусловлен инерцией использования уже существующих предприятий и оборудования, а также очевидными материальными выгодами централизации энергоснабжения. Но далее и при всем этом все же во многих странах все больше внимания уделяется преимуществам мелких энергетических и производственных подразделений. Если какой-либо из простых методов «малой энергетики» будет опираться на внутреннюю промышленную базу или даже на экспортные возможности предприимчивого производителя в одной из развитых стран, преимущества массовой продукции могут сыграть свою роль. В этом случае может произойти быстрое наводнение рынка развивающихся стран простыми устройствами для энергоснабжения, такое же быстрое, как в свое время распространение транзисторов или мини-юбок. Можно, конечно, возразить, что прогресс в развивающихся странах происходит обычно в направлении достижения внешних атрибутов материального богатства и комфорта, уже достигнутых развитыми странами. Но все это было верным в прошлом. Хорошими примерами является настойчивое внедрение районных нефтеперегонных заводов, гигантских гидроэнергетических проектов, национальных авиалиний и, в последние годы, ядерных электростанций. Осуществление многих из этих мероприятий в действительности не оказало заметного влияния на жизнь людей, и теперь все еще испытывается дефицит энергии. Керосин для бытового освещения и отопления поднялся в цене вслед за бензином. В таких странах, как Индонезия, кризис с дровами вызывает серьезную озабоченность, поскольку он ведет к обезлеси-ванию страны. Поэтому большое значение могут иметь такие устройства малой энергетики, как солнечные кухонные плиты для замены дров и кизяка, солнечные панели для горячего водоснабжения больниц, поликлинник и мелких промышленных предприятий, ветряные двигатели для перекачивания воды, небольшие гидротурбины для утилизации водной энергии на малых плотинах и быстрых реках. Некоторые устройства типа водяных мельниц могут представлять собой модификации старинных моделей, которые перестали использоваться в развитых странах после «промышленной революции». Однако, как говорил Вацлав Микута в ООН в Женеве, если эти устройства выйдут на рынок не в устаревшем или слегка модернизированном виде, а в качестве последних достижений современной науки, то после успеха на рынке развитых стран они могут войти в моду так же, как это было с неэкономичными нефтеперегонными заводами. Скорость их распространения может быть увеличена подключением к производству местных предпринимателей («эффект снежного кома»). Малые населенные пункты подобным образом смогут сами осуществлять усилия по улучшению своих условий (о роли местных угольных шахт и малых ГЭС в КНР уже упоминались выше). Аналогичным образом, если бы можно было уменьшить стоимость фотоэлектрических сол-

Технический прогресс — это не только количественный рост техники, но и главным образом ее качественное совершенствование на основе непрерывного развития и применения достижений современной науки. Непрерывные качественные изменения в технике и прежде всего в орудиях труда, рост их производительности, мощности, автоматичность работы машин и пр., обеспечивая неуклонное повышение производительности труда человека, его экономию, способствует непрестанному совершенствованию социалистического производства.

Нахождение оптимальных путей развития и. планирования топливно-энергетического хозяйства страны и его составных частей ведется в СССР на основе системного подхода с учетом долгосрочных общегосударственных экономических и социальных планов. Развитие энергетической базы СССР, комплексного топливно-энергетического хозяйства и его самой универсальной и передовой отрасли — электроэнергетики направлено на то, чтобы обеспечивать неуклонный, планомерный и быстрый рост всех производительных сил страны на базе применения новейших достижений современной техники и технологии.

Нахождение оптимальных путей развития и. планирования топливно-энергетического хозяйства страны и его составных частей ведется в СССР на основе системного подхода с учетом долгосрочных общегосударственных экономических и социальных планов. Развитие энергетической базы СССР, комплексного топливно-энергетического хозяйства и его самой универсальной и передовой отрасли — электроэнергетики направлено на то, чтобы обеспечивать неуклонный, планомерный и быстрый рост всех производительных сил страны на базе применения новейших достижений современной техники и технологии.

Для определения статических и динамических характеристик системы проводились соответствующие замеры и осциллографи-рование процессов как в рабочих, так и в специально создававшихся искусственных режимах. Переходные процессы в электроприводе лебедки весьма многообразны, что потребовало снятия большого числа осциллограмм. Далее приводятся только некоторые из них, наиболее характерные. Переходные процессы исследовали для достижения максимальной производительности лебедки при существующей системе управления и выявления резервов повышения производительности.

Отжиг полиимидной пленки сопровождается потерями ее массы. Потери массы пленки в вакууме достигают 4 — 5 % при температуре нагрева 473 — 523 К и времени обработки 1,0 — 2,0 ч, после этого потери массы практически прекращаются. Эта закономерность сохраняется до 573 — 623 К с уменьшением времени для достижения максимальной потери массы. Однако в диапазоне температур 623 — 723 К наблюдается изменение характера зависимости потерь массы пленки от времени — потери массы возрастают и после достижения 4 — 5 % . При температуре 723 К потери массы составляют 15 % в течение 3 ч. Дело в том, что при температуре 520 К из полиимида выделяется в основном Н2О (гидроскопичность его в нормальных условиях составляет 2,2 • 10~5 мм/мм • % отн. влажности), а при более высоких температурах — СО и СО2, что обусловлено разрушением имидных циклов в соответствии со схемой

Для достижения максимальной эффективности взаимного преобразования электрического и акустического сигналов расстояние А между электродами однофазной решетки (период электродов)

Важнейшими параметрами элемента памяти являются площадь, занимаемая им на кристалле, и потребляемая мощность. Для достижения максимальной информационной емкости площадь элемента, а значит, и размеры транзисторов (длина, ширина канала и др.) должны быть минимальными. Они зависят от разрешающей способности фотолитографии, задающей минимальный топологический размер А. При сравнении элементов памяти разных типов удобно оценивать их площадь S не в абсолютных, а в относительных единицах — числом литографических квадратов со стороной А. Относительная площадь S/A2 характеризует «качество» схемотехники и топологического проектирования элементов памяти. Для рассматриваемого элемента (см. 9.2) S/A2 » 150.

5) если в энергосистеме имеются каскады ГЭС, расположенные на разных водотоках, то под гарантированной отдачей подразумевается общее количество гидравлической энергии, получаемой от всех ГЭС с заданной обеспеченностью. При этом роль каждой ГЭС в энергосистеме и взаимосвязь их режимов оптимизируется с целью достижения максимальной величины совокупной гарантированной отдачи всех ГЭС.

Определим функцию /s B случае работы прибора в режиме коротких импульсов, когда момент окончания импульса мощности ta есть одновременно момент достижения максимальной температуры структуры. Для этого необходимо решить уравнение (7.60) на интервале .!//>/> >/и (при этом Я = 0).

Для повышения чувствительности фототранзистора следует увеличивать толщину базы, время жизни носителей в базе и, следовательно, выбирать материалы с высоким удельным сопротивлением. Но для повышения его граничной частоты толщину базы и время жизни носителей необходимо уменьшать. Разрешает противоречие между быстродействием и чувствительностью структура фотодиод — транзистор, эквивалентная схема которой показана на 7.18,6. Оба элемента структуры изготовлены в одном кристалле. Параметры фотодиода выбирают из условий достижения максимальной чувствительности и быстродействия, а параметры транзистора — максимальной граничной частоты И усиления. В совокупности оба элемента эквивалентны быстродействующему фототранзистору с высоким коэффициентом усиления.

Проекты, описываемые ниже, были раз-» работаны вовсе не ради экономии энергии; скорее, ставилась цель обеспечения сохранности продукции, защиты окружающей среды. Опыт в вопросах экономии энергии накопился под влиянием того повышенного и более сознательного интереса, который был проявлен за последние 5—10 лет к стоимости энергии. Следовательно, эти, а также и другие проекты, уже осуществленные, не были предназначены специально для достижения максимальной экономии энергии.

Желательно, чтобы затупившийся резец не был радиоактивным. Для этого длина активированной полоски должна равняться величине критерия затупления, установленного для данного вида обработки .(чистовой или черновой) и марки твердого сплава или инструментальной стали. При этом необходимо учесть возможность образования тонких «зазубрин», которые не должны учитываться при измерении износа. В связи с этим длина активированной полоски не должна превышать 0,1 — 0,2 мм, т. е. величину критерия затупления. Ширина активированной полоски выбирается из соображений достижения максимальной точности. Предположим, к определенному моменту времени t износ по задней грани располагается так, как показано на фиг. 36.

При активировании поверхностных слоев инструмента толщина активированного слоя для достижения максимальной точности при определении h3 должна быть минимальной.

Поглощенная энергия деформации до достижения максимальной величины равномерной деформации образца определяется по Таблица 5 кривым деформации из следующего выражения [6]: