Достигает поверхности

Наличие двух пороговых уровней входного сигнала в схеме свидетельствует о гнстерезисном характере передаточной характеристики данного устройства. Идеализированная передаточная характеристика триггера Шмитта представлена на 6.14. При ег<Ег1 триггер Шмитта находится в одном из устойчивых состояний, например, когда UBU^ = E°. Как только входное напряжение достигает порогового уровня срабатывания Ег1, схема скачком переходит в другое устойчивое состояние (рабочий режим), когда С/вых = ?1. Дальнейшее повышение напряжения генератора ет не приводит к изменению состояния схемы. Однако уменьшение ег до порогового уровня отпускания Е,.2 вызывает скачкообразное возвращение схемы в исходное состояние (^'вых = ?°)- Пороговые уровни срабатывания и отпускания, а следовательно, ширина петли гистерезиса определяются элементами схемы.

Временные диаграммы, характеризующие работу схемы в режиме автоколебаний, приведены па 6.18,5. В момент времени ^ напряжение ?7ях2 достигает порогового значения (7порсх, при котором происходит переключение микросхемы Э2. Напряжение ?7вых2 изменяется от уровня ?/°ых, соответствующего логическому нулю, до уровня t/вых логической единицы. Так как конденсатор С\ представляет собой

В момент времени /2 , когда ?/вх t достигает порогового уровня напряжения С/порсх, происходит переключение 3t и соответственно Э2. Мультивибратор возвращается в исходное состояние.

При увеличении напряжения на входе элемента ТТЛ происходит запирание МЭТ, напряжение на его базе и на базе транзистора 7\ возрастает. Когда напряжение на входе элемента ТТЛ достигает порогового значения ?/пор = i/6a — ^кэнас. напряжение на базе 7\ достигает напряжения отпирания эмиттерного /?-п-перехода U5g. Транзистор Тг открывается и на выходе элемента ТТЛ напряжение начинает уменьшаться. Напряжение на базе МЭТ устанавливается на уровне 2?/бо. При дальнейшем увеличении напряжения на входе элемента ТТЛ эмиттерный переход МЭТ закрывается и МЭТ переходит в инверсный режим работы. Через p-n-переход коллектор — база МЭТ в базу транзистора 7\ поступает ток /0 = = (1 + Bi)(En — 2i/6a)//?1. Этот ток вызывает насыщение транзистора ТУ, на выходе элемента ТТЛ устанавливается напряжение логического «О».

выходе — разнополярны). В момент времени t\ входной сигнал достигает порогового значения

когда выходное напряжение логической матрицы достигает порогового напряжения t/3H.nopi B элементе II группы, инвертор Т\ отпирается. Постоянная времени заряда паразитной емкости Спз.л, шунтирующей выходную цепь логической матрицы, определяется формулой

Когда УВХ.НИ достигает порогового напряжения УПор1 = = УВХ.И> происходит переброс релаксатора в новое временно устойчивое состояние. При этом длительность импульса tu\ выражается формулой

на выходе компаратора UBblx = {/выхтах %: - 1/„.п (напряжения на -инвертирующем входе и выходе операционного усилителя разнополярны). В момент времени rt входное напряжение достигает порогового значения

ра поступает входное напряжение отрицательной полярности — f/вх. На выходе интегратора напряжение будет возрастать прямо пропорционально абсолютному значению входного напряжения. Когда напряжение на выходе интегратора, поступающее на устройство сравнения, достигает порогового уровня ?/пор, устройство сравнения вырабатывает импульс, .поступающий на (выход преобразователя. Одновременно этот импульс поступает в цепь обратной связи — на вход формирователя импульса восстановления начального уровня. Формирователем создается одиночный импульс полярности, противоположной полярности входного импульса, и такой амплитуды U0 и длительности TO, что при его поступлении на вход интегратора полностью разряжается конденсатор интегратора. Напряжение на выходе интегратора также падает до нулевого уровня. Та.ким образом, завершается полный цикл работы преобразователя, после чего все процессы повторяются.

Триггер со статическим управлением срабатывает в момент, когда входной сигнал достигает порогового уровня ( 10-7,а). Это простейший вид управления. Так пере-

Рассмотрим некоторые особенности процесса генерации в твердотельном ОКГ. На 10.17 показано изменение во времени мощности накачки Р„ и выходной мощности генератора Рвы х- Длительность импульса накачки составляет 100—1000 икс. Как только мощность накачки достигает порогового значения РН. пор, возникает генерация. Время запаздывания начала генерации /3 обычно от десятков до сотен микросекунд.

>/н,п работает канал перегрузки. Для повышения надежности коммутации тиристоров КС выходит из предельных режимов с выдержкой времени tB ( 5.7,а, е), превышающей время восстановления свойств тиристоров. Самые неблагоприятные условия коммутации возникают в случае, когда iB уменьшается и достигает порогового значения в момент ио = 0. При этом тиристор не закрывается и по цепи РТ—К1-—К.4 (К2, КЗ)—КП—РТ начинает развиваться КЗ. Ток в этом контуре контролируется датчиком DT2. При достижении значения порогового тока КС отключается, и далее стабилизатор работает по тому же алгоритму, что и при перегрузке.

оси тигля не достигает поверхности. В результате зеркало ванны становится почти плоским. Однако эта конструкция имеет существенный недостаток. Ослабление поля в верхней части ванны приводит к снижению выделяющейся в этой зоне мощности, вследствие чего в процессе расплавления куски шихты в верхней части тигля свариваются, образуя «мост», под которым расплавленный металл перегревается. Поэтому в печах с низким расположением индуктора плавку ведут, тщательно осаживая шихту, чтобы не допустить образования мостов.

В результате поглощения в атмосфере космическое излучение достигает поверхности земли сильно ослабленным, обусловленная им доза облучения составляет на уровне моря около 28 мбэр/год. На больших высотах экранирующий эффект атмосферы снижается и, например, в Мексике (2500 м над уровнем моря) космическое излучение примерно вдвое больше, чем на уровне моря.

нарушений являются изолированные вакансии и атомы в междоузлиях, миграция которых приводит к формированию кластеров или комплексов с примесными атомами. Такой аморфи-зованный слой имеет свои особенности. Он состоит из двух аморфизованных областей, поверхностной и внутренней, разделенных тонкой монокристаллической областью. Поэтому следует различать три критические дозы: дозу аморфизации поверхностного слоя; дозу внутренней аморфизации и дозу сплошной аморфизации. Если на поверхности не образуется аморфный слой, то доза сплошной аморфизации совпадает с дозой облучения, при которой внутренний аморфный слой, разрастаясь в процессе легирования, достигает поверхности.

силикатного стекла, граница которого сдвигается в сторону поверхности раздела Si — SiO2. В момент, когда граница стекла достигает поверхности кремния, маскирующая способность оксида становится равной нулю.

через нее, увеличивается, так как все большее количество свободных электронов и ионов, образующихся, например, при космическом облучении, достигает поверхности электродов. При ьапряжении в несколько вольт (точка а) уже все носители зарядов участвуют

Закон Кирхгофа. Когда луч достигает поверхности твердого непрозрачного (т. е. не пропускающего лучи) тела, то он частично поглощается, частично же луч отражается и рассеивается.

тате часть атомов достигает поверхности облучаемого электрода и

Высокоэнергетический электронный луч. В обычном режиме видикона электронный луч достигает поверхности с малой скоростью (напряжение < 100 В). Высокоэнергетический электронный луч (при напряжениях > 100 В) приводит к тому, что коэффициент эмиссии вторичных электронов начинает превышать единицу. В этом случае сетка становится коллектором вторичных электронов. Этот случай можно трактовать как сканирование "дырочного" луча. Перенос электронов либо дырок можно наблюдать, выбирая соответствующим образом полярность напряжения между мишенью и сеткой.

Высокоэнергетический электронный луч. В обычном режиме видикона электронный луч достигает поверхности с малой скоростью (напряжение < 100 В). Высокоэнергетический электронный луч (при напряжениях > 100 В) приводит к тому, что коэффициент эмиссии вторичных электронов начинает превышать единицу. В этом случае сетка становится коллектором вторичных электронов. Этот случай можно трактовать как сканирование "дырочного" луча. Перенос электронов либо дырок можно наблюдать, выбирая соответствующим образом полярность напряжения между мишенью и сеткой.

свободен и может снова реагировать с окисью свинца. Карбонат свинца, являющийся конечным продуктом реакции, имеет вид белого чрезвычайно рыхлого слоя, неспособного защищать металлический свинец ( 64). В результате атмосферный воздух достигает поверхности свинца и окисление металла идет дальше.