Достигает коллекторного

Наибольшее значение энергии магнитного поля будет в момент времени, соответствующий точке: 2, когда ток достигает амплитудного значения:

Решение. Так считать нельзя, потому что моменты времени, соответствующие амплитудам э.д.с. ?пом и-Еъ различны ( 8.8). Если э.д.с. помехи ?пом достигает амплитудного значения во время прохождения переднего фронта импульса тока /т/2, то э.д.с. полезного сигнала Ег— при достижении импульсом /т установившегося зна^ чения. К моменту времени тт, соответствующему амплитудному значению э.д.с. Ег, значение э.д.с, помехи, как правило, не превышает 0,1 ЯПОМ.

Эта мощность изменяется во времени по гармоническому закону с частотой 2и0. За период собственных колебаний контура абсолютное значение величины PL четыре раза достигает амплитудного уровня

В каждой из фазных обмоток якоря э. д. с. достигает амплитудного значения в те моменты времени, когда против ее проводников оказываются полюса ротора. При этом ось магнитного поля, ротора совпадает с плоскостью данной обмотки и перпендикулярна к ее оси.

когда кривая синусоиды тока достигает амплитудного значения, помимо периодической составляющей учитывается также апериодическая составляющая. Суммарная величина апериодической составляющей и амплитуды периодической составляющей образует ударный ток к. з. Знание величины ударного тока необходимо для проверки аппаратов, изоляторов и шин на механическую прочность (устойчивость) от действия сил, возникающих при коротком замыкании.

8-4. В активном сопротивлении 40 ом синусоидальный ток достигает амплитудного значения 1^2- 5 а. При каком значении постоянного тока за время периода переменного тока 0,02 сек будет совершена работа 20 дж в том же активном сопротивлении?

Оценим влияние этих сопротивлений на линейность формируемого напряжения. На 8.3, а изображена схема зарядки конденсатора С в случае, когда сопротивление утечки между выводами генератора зарядного тока конечно и равно /?у. В. а. х. зарядного каскада показана на 8.3, б. Из-за наличия сопротивления утечки R? зарядка конденсатора на начальной стадии формирования выходного сигнала осуществляется большим током, чем в конце, когда выходное напряжение достигает амплитудного значения Um. В начальной стадии заряд-

8.3, а, однако приведение цепи к простейшей интегрирующей #С-цепи позволяет вычислить коэффициент Ка. Эквивалентное зарядное напряжение Е9К = Е + /0ЯУ, эквивалентное сопротивление Как = Яу, постоянная времени цепи ву = RBKC = R7C. Конденсатор С на 8.3, в заряжается от нулевого начального напряжения до напряжения Еак. В момент времени t — 0 скорость нарастания напряжения ис «с'(0) = E9jQr При t = /пх напряжение ис достигает амплитудного значения V ' т ( 8.3, г). В момент времени t = = Ли uc'(tu3L) = (Ew— Um)/Qr. Согласно (1.5) коэффициент не-

При t = tnx напряжение на конденсаторе достигает амплитудного значения

При t = ^пх напряжение на конденсаторе достигает амплитудного значения

где т = RC — постоянная времени цепи заряда конденсатора. Если заряд конденсатора используется для создания прямого хода, то в момент времени t = t^, напряжение на конденсаторе достигает амплитудного значения:

В результате инжекции дырок в базу, где они являются неосновными носителями, в последней возникает градиент (перепад) концентрации дырок, что приводит к их диффузионному перемещению во всех направлениях, в том числе и к коллекторному р-/г-переходу. Дрейф (перемещение носителей под воздействием электрического поля) неосновных носителей к коллектору играет второстепенную роль. При перемещении через базу концентрация неосновных носителей заряда уменьшается за счет рекомбинации с электронами, поступающими в базовую цепь от источника Еэ. Поток этих электронов образует базовый ток /б. Так как толщина базы Шб современных транзисторов составляет единицы микрон, то большая часть дырок достигает коллекторного р-п-перехода и захватывается его полем, рекомбинируя с электронами, поступающими от источника питания ?к. При этом в коллекторной цепи проходит ток /к, замыкая общую цепь тока. Таким образом, для токов транзистора справедливо соотношение

где р — коэффициент переноса электронов через базу, показывающий, какая часть инжектированных электронов достигает коллекторного перехода; у — коэффициент инжекции электронов из эмиттера в базу. •

Инжектированные через эмиттерный переход электроны проникают вглубь базы, для которой они являются неосновными носителями. В базе происходит частичная рекомбинация электронов с дырками. Однако если база тонкая, то преобладающая часть электронов достигает коллекторного перехода, не успев рекомби-нировать. При этом электроны попадают в ускоряющее поле коллекторного перехода. В результате экстрации электроны быстро втягиваются из базы в коллектор и участвуют в создании тока коллектора.

выполняется тонкой, основная часть дырок, инжектированных эмиттером, достигает коллекторного перехода, не попадая в центры рекомбинации. Эти дырки захватываются полем коллекторного перехода, смещенного в обратном направлении, так как это поле является ускоряющим для неосновных носителей — дырок в базе n-типа. Ток дырок, попавших из эмиттера в коллектор, замыкается через внешнюю цепь, источник Ец. При увеличении тока эмиттера на величину А/э ток коллектора возрастет на Л/к = =*аД/э. Вследствие малой вероятности рекомбинации в тонкой базе коэффициент передачи тока эмиттера а= =ДАс/Д/э«= 0,9 -s-0,99.

Произведение а/э отражает увеличение коллекторного тока за счет диффузионной составляющей. Коэффициент а называют коэффициентом передачи транзистора по току в схеме с общей базой. Ввиду малой ширины базы и большой площади коллекторного р-л-перехода большая часть неосновных носителей, перешедших из эмиттера в базу, достигает коллекторного p-n-перехода. Поэтому значение а близко к единице, однако всегда несколько меньше ее, поскольку некоторая часть неосновных носителей все-таки рекомбинирует в базе. Обычно а = 0,9 -г- 0,995. Значение обратного тока /ко мало и приближенно можно считать, что /к ж <х/8.

градиент (разность) концентрации дырок, что приводит к их диффузионному перемещению во всех направлениях, в том числе и к коллекторному p-n-переходу. Дрейф (перемещение носителей заряда под воздействием электрического поля) неосновных носителей заряда к коллектору играет второстепенную роль. При перемещении через базу концентрация неосновных носителей заряда уменьшается за счет рекомбинации с электронами, поступающими в базовую цепь от источника ?,. Поток этих электронов образует базовый ток /6. Толщина базы w6 у транзисторов небольшая (единицы микрометра). Поэтому большая часть дырок не успевает рекомбинировать в область базы, достигает коллекторного p-n-перехода, захватывается его полем и рекомбинирует с электронами, поступающими от источника питания Ек, уже в цепи коллекторного перехода. При этом в коллекторной цепи протекает ток /к, замыкая общую цепь тока. Таким образом, для токов транзистора справедливо соотношение

Коэффициент инжекции уэ показывает, какую часть составляет полезный ток инжекции электронов из эмиттера в базу в полном токе эмиттера. Коэффициент переноса ХБ показывает, какая часть электронов, инжектируемых из эмиттера в базу, достигает коллекторного перехода; значение ХБ тем ближе к единице, чем меньше электронов ре-комбинирует в базе при их движении к коллектору.

Для оценки влияния рекомбинации носителей заряда в базе на усилительные свойства транзистора используется коэффициент переноса носителей в базе, который показывает, какая часть инжектированных эмиттером дырок достигает коллекторного перехода.

Схема включения фототранзистора (цепь базы разомкнута) и семейство его вольт-амперных характеристик показаны на 59, а, б. При освещении области базы транзистора через окно в его корпусе образуются электронно-дырочные пары. При этом дырки втягиваются в коллектор электрическим полем обратного напряжения между базой и коллектором, а электроны остаются в базе, поскольку она не подключена и ее ток не может скомпенсировать их избыток. Избыточная концентрация электронов в базе увеличивает прямое напряжение перехода эмиттер—база, что увеличивает поступление в базу дырок из эмиттера, большинство которых достигает коллекторного перехода, и ток коллектора растет. Таким образом, появление избыточного заряда в базе вследствие ее освещения приводит к появлению значительного фототока в цепи коллектора. На базу фототранзистора подают внешнее напряжение, спрямляющее его вольт-амперные характеристики и частично компенсирующее зависимость режима от температуры.

Инжектированные через эмиттерный переход электроны проникают вглубь базы, для которой они являются неосновными носителями. В базе происходит частичная рекомбинация электронов с дырками. Однако если база тонкая, то преобладающая часть электронов достигает коллекторного перехода, не успев рекомби-нировать. При этом электроны попадают в ускоряющее поле коллекторного перехода. В результате экстрации электроны быстро втягиваются из базы в коллектор и участвуют в создании тока коллектора.

выполняется тонкой, основная часть дырок, инжектированных эмиттером, достигает коллекторного перехода, не попадая а центры рекомбинации. Эти дырки захватываются полем коллекторного перехода, смещенного в обратном направлении, так как это поле является ускоряющим для неосновных носителей — дырок в базе «-типа. Ток дырок, попавших из эмиттера в коллектор, замыкается через внешнюю цепь, источник ?"к. При увеличении тока эмиттера на величину Д/э ток коллектора возрастет на Д/к = =аД/з. Вследствие малой вероятности рекомбинации в тонкой базе коэффициент передачи тока эмиттера <х = =Л7к/Д/э=0,9н-0,99.