Действием теплового

Радиоэлектронная аппаратура эксплуатируется в различных климатических условиях и на надежность ее работы оказывают влияние такие парам!етры окружающей рреды, как температура, влажность, наличие микроорганизмов, пыли, радиации. Под действием температуры происходит деструкция изоляционных материалов, которая сопровождается снижением физико-механических характеристик, выделением летучих ,веществ, увеличением жесткости и хрупкости, а также усиливается влияние других факторов. 348

термометрах) или давления (в паровых и газовых термометрах) рабочего вещества в замкнутой системе под действием температуры.

магнитных полей, но и под действием температуры, магнитного сопротивления цепи, ударов, тряски, вибраций, а также улучшается структурная стабильность.

Терморезисторы (термисторы) — приборы, сопротивление которых меняется под действием температуры. При изучении физических свойств полупроводников было установлено, что на их электропроводность значительное влияние оказывает температура. Следовательно, замеряя сопротивление полупроводника, можно определить' его температуру. Благодаря этим свойствам терморезистор используется в качестве термометра (термометры сопротивления).

Отметим, что определенные отклонения частоты генерации могут происходить за счет изменения режимов работы и параметров элементов схемы, в частности под действием температуры. Нестабильность частоты генерации обратно пропорциональна добротности контура. Поэтому в качестве высокостабильных генераторов используются устройства с частотно-избирательными элементами высокой добротности, которой обладает кварцевый резонатор.

действием температуры, влаги и других дестабилизирующих факторов. Поэтому под надежностью ИМС и МСБ, обусловленной постепенными отказами, понимают надежность обеспечения требуемой точности работы ИМС и МСБ в необходимом интервале времени при заданных условиях эксплуатации. Ее принято оценивать вероятностью обеспечения требуемой точности работы ИМС (МСБ) в эксплуатационных условиях в течение заданного интервала времени. Расчет такой вероятности базируется на теории точности и допусков.

На подвижных частях машины частые повреждения возникают на бандажных узлах. Они вызываются действием центробежных сил, деформациями вала и усилиями горячих посадок на вал. Под действием температуры происходят перемещение обмотки ротора, деформация проводников обмотки. Возможно также перекрытие каналов охлаждения и снижения сопротивления изоляции при попадании влаги, масла и пыли на обмотку.

ленты — или на более широкие полосы. Толстые гибкие листы изоляции из слюды и бумаги называются микафолием. Такая изоляция накладывалась на проводники, затем пропитывалась органическими лаками, сушилась в печах при температуре 150... 180°С, вследствие чего клеющие и пропитывающие лаки полимеризовались и изоляция становилась монолитной. Правда, под действием температуры изоляция старела: появлялись трещины и поры, в которые попадала влага, и это в конце концов вело к пробою. В первую очередь выходили из строя органические элементы изоляции — бумага и лак. В связи с этим такая изоляция (класс изоляции В) не очень сильно отличалась по температурной стойкости от изоляции предшествующих классов, хотя ни слюда, ни асбест практически не старели.

При определенном напряжении иш влияние изменения контактной разности потенциалов и изменения подвижности носителей в канале на /с оказывается одинаковым. В этом случае у ПТ с /ьи-переходом наблюдается точка температурной стабильности тока стока. Здесь ?/зт= t/зиотс — (0,5 ... 0,9) В. Указанное свойство ПТ с р-и-переходом иллюстрирует 16.26. У МДП транзисторов />-и-переход «подложка — канал» оказывает меньшее управляющее действие на /с. Под действием температуры меняется Um, изменяются подвижность носителей в канале и концентрация носителей за счет ионизации поверхностных уровней. Эти явления обусловливают наличие точек температурной стабильности /с у МДП транзисторов: ?/3т= ^зипоР + (058 ... 2,4) В. У полевых транзисторов с р-и-переходом наблюдается резкое изменение входной характеристики при изменении температуры:

Электропроводность любого вещества не является постоянной величиной; например, на электропроводность проводников и диэлектриков влияет изменение температуры. Для полупроводников характерно более резкое изменение электропроводности под действием температуры; кроме того, электропроводность полупроводников резко изменяется при введении в их состав даже незначительного количества примесей.

Полупроводниковыми резисторами шзывают полупроводниковые приборы, принцип действия которых основан на свойствах полупроводников изменять свое сопротивление под действием температуры, электромагнитного излучения, приложенного напряжения и других факторов.

10.24 (О). Найдите дисперсию а\ шумового напряжения, возникающего на конденсаторе простой /?С-цепи под действием теплового шума резистора. Вычислите эффективное напряжение шума при следующих параметрах: С=1 нФ, Г=ЗООК.

Плотности дрейфовых токов электронов /пдр и дырок /рдр появляются в результате того, что неосновные носители, находящиеся вблизи перехода, под действием теплового возбуждения пар (электрон—дырка) попадают в электрическое поле на контакте и затягиваются этим полем.

При температуре —273° С все энергетические уровни валентной зоны полностью заняты электронами. В зоне проводимости электроны отсутствуют. В таком кристалле все валентные электроны создают ковалентные связи атомов (см. 2), и свободные электроны отсутствуют. Поэтому при температуре —273° С идеальный кристалл кремния является диэлектриком. По мере-нагревания полупроводника часть электронов под действием теплового механизма возбуждения (добавочной тепловой энергии) разрывает ковалентные связи и переходит из валентной зоны в зону проводимости. Этот процесс носит вероятностный характер.

рекомбинации, в базу из внешней цепи проходят новые электроны, которые образуют ток базы /д. Толщина базы составляет не более 0,1 мм, а для некоторых транзисторов — не более нескольких микрометров. Область базы обычно выполняется из «-полупроводника с малым содержанием донорных примесей, что свидетельствует о низкой концентрации свободных электронов в базе. Поэтому лишь немногие дырки, попавшие в базу, рекомбинируют с ее электронами. Подавляющая часть дырок (в лучшем случае до 99,8%) под действием теплового движения (диффузии) успевает дойти до коллекторного перехода. Здесь дырки попадают в зону действия • электрического поля, созданного контактной разностью потенциалов и внешним напряжением Ек, приложенным к участку база — коллектор. Так как потенциальный барьер коллекторного перехода не препятствует движению через него неосновных носителей, то пришедшие в базу из области эмиттера и достигшие коллекторного перехода дырки (неосновные носители в я-области) поступают в коллектор, создавая ток коллектора /к- Таким образом, поток дырок, инжектируемых эмиттером, распределяется в транзисторе между двумя областями — базой и коллектором. Следовательно, ток эмиттера равен сумме токов коллектора и базы:

Под действием теплового возбуждения п электронов кристалла перешли из валентной зоны в зону проводимости. Сколько свободных носителей заряда образовалось в кристалле?

Под действием теплового возбуждения п электронов кристалла перешли из валентной зоны в зону проводимости. Сколько свободных носителей заряда образовалось в кристалле?

Под действием теплового возбуждения п электронов кристалла перешли из валентной зоны в зону проводимости. Сколько свободных носителей заряда образовалось в кристалле? Осталось прежним 12

Под действием теплового (или иного) возбуждения электроны соседних орбит легко переходят на незаполненную орбиту, что приводит к хаотическому (или упорядоченному) движению дырок. В рассматриваемом случае для перехода валентного электрона на незаполненную соседнюю орбиту требуется примерно 0,01 эВ. Поэтому энергетический уровень дырки размещается в непосредственной близости от валент-

Донорной примесью для германия является, например, мышьяк. Атом мышьяка имеет пять валентных электронов. При замещении в кристаллической решетке атома германия атомом мышьяка четыре валентных электрона мышьяка образуют заполненные связи с соседними атомами германия, а пятый электрон окажется слабо связанным с атомом мышьяка и под действием теплового движения или электрических сил может перемещаться между атомами германия.

Для ориентации диполя требуется время, которое характеризуется временем релаксации т. После снятия внешнего поля в течение т ориентация полярной молекулы под действием теплового движения уменьшается в е раз (е — основание натурального логарифма).

где 0 — угол между М и Н ( 11.8), Минимального значения Um достигает при 0 = 0. Поэтому все диполи стремятся ориентироваться в направлении поля, чему мешает тепловое движение. Результирующий магнитный момент вещества складывается из проекций магнитных моментов отдельных атомов на направление Н. Так как величина этих проекции Мн — М cos 0, то задача количественного расчета намагниченности вещества сводится к вычислению-среднего значения М.н, отвечающего равновесию между ориентирующим действием поля и дезориентирующим действием теплового движения. Эта задача была решена методами классической статистики Ланжевеном, методами квантовой статистки Бриллюэном.