Достаточно обеспечить

скую петлю-гистерезиса при достаточно медленном перемагничивании образца. Ширина петли равна удвоенному значению коэрцитивной силы3 Яс.

При достаточно медленном изменении токов можно пренебречь излучением и считать, что вся работа А равна энергии W, запасенной в системе контуров. Связь между токами и потокосцеплениями определяется как при постоянных токах (п. 1 § 1.8):

§ 15.5. Потери в ферромагнитном сердечнике, обусловленные гистерезисом. Как известно (см. § 14.4), ферромагнитным материалам свойственно явление гистерезиса, которое вызвано отставанием изменения магнитной индукции от изменения напряженности магнитного поля. Площадь гистерезисной петли в координатах S, Н (В — индукция, Я — напряженность поля), снятая при достаточно медленном изменении магнитного поля во времени (когда вихревые токи практически отсутствуют), характеризует энергию, выделяющуюся в единице объема ферромагнитного материала за один период переменного тока (за одно перемагничивание). Потери в сердечнике, обусловленные гистерезисом, пропорциональны объ-

Растворимость золота в твердой фазе сильно зависит от температуры (см. 1.13). При температуре 1150° С она составляет 5 • Г0!6 см~3, а при 1050° С — уже 2-1016 см~3, т. е. падает более чем в 2 раза. При достаточно медленном охлаждении пластины кремния, легированной золотом, концентрация золота будет падать; излишек золота либо диффундирует из кристалла наружу, либо осаждается в виде сгустков, распределенных по объему и являющихся электрически пассивными. Во избежание этого охлаждение должно 'быть достаточно резким, чтобы сохранить высокую концентрацию золота.

При подаче на вход последовательного диодного детектора ( 9.4) AM колебания e=E(t)cos<$> .происходят те же процессы, что и при детектировании .высокочастотных колебаний с постоянной амплитудой. При изменении амплитуды E(t) изменяется напряжение U0 на ячейке RC. При изменении амплитуды, достаточно медленном по сравнению с постоянной времени ячейки RC, т. е. при выполнении условия '(9.1), угол отсечки поддерживается почти постоянным. Он определяется только значением RS и не зави-

На 9.13,6 приведено графическое построение закона изменения амплитуды выходного напряжения усилителя, исходя из частотной характеристики контура усилителя ( 9.13,а) и из временной диаграммы мгновенной частоты ЧМ колебания ( 9.13,в). Следует иметь в виду, что построение, приведенное на 9.13, справедливо при достаточно медленном изменении час 9.12

§ 15.5. Потери в ферромагнитном сердечнике, обусловленные гистерезисом. Из § 14.4 известно, что ферромагнитному материалу присуще явление гистерезиса. Площадь гистерезисной петли в координатах В, Н (В —индукция, Н — напряженность поля), снятая при достаточно медленном изменении магнитного поля во времени (когда вихревые токи практически отсутствуют), характеризует энергию, выделяющуюся в единице объема ферромагнитного материала за один период переменного тока (за одно перемагничивание). Потери в сердечнике, обусловленные гистерезисом, пропорциональны объему сердечника, первой степени частоты и площади гистерезисной петли. От толщины листов потери на гистерезис не зависят *.

Растворимость золота в твердой фазе сильно зависит от температуры (см. 1.13). При температуре 1150° С она составляет 5 • Г0!6 см~3, а при 1050° С — уже 2-1016 см~3, т. е. падает более чем в 2 раза. При достаточно медленном охлаждении пластины кремния, легированной золотом, концентрация золота будет падать; излишек золота либо диффундирует из кристалла наружу, либо осаждается в виде сгустков, распределенных по объему и являющихся электрически пассивными. Во избежание этого охлаждение должно 'быть достаточно резким, чтобы сохранить высокую концентрацию золота.

Таким образом, зависимость между На/а и jJfi0, изображенная на 9.8, б, будет справедлива и при достаточно медленном изменении //„ и В0 во времени. При этом вместо терминов «постоянная составляющая магнитной индукции» и «постоянная составляющая напряженности поля» будем пользоваться терминами «медленно изменяющаяся постоянная составляющая магнитной индукции (или потока)» 'и «медленно изменяющаяся постоянная составляющая напряженности поля (или тока)».

При достаточно медленном изменении напряжения и тока динамические характеристики совпадают со статическими. Определенные из статических характеристик сопротивления и проводимости в виде производных du/di или di/du называют дифференциальными. Обозначим их через га и gd. •

При достаточно медленном изменении тока и потока динамические характеристики повторяют статические. Определяемую из статических характеристик индуктивность в виде производной d*?Lldi называют дифференциальной. Обозначим ее через Ld. Для общности мы всегда будем говорить о динамической индуктивности ЬЛ, имея в виду, что при весьма медленном изменении тока она совпадает с дифференциальной, т. е. Ья = Ld. Для этого случая на 1-42 приведены кривые

Следовательно, достаточно обеспечить/т.рмин^4/с.у, т. е. /т.рмин

Требования к линейности здесь сравнительно невелики. Достаточно обеспечить линейность порядка 5—10% в диапазоне токов срабатывания. Расчет трансреактора не производится, так как методика его выполнения подробно рассмотрена в [2].

органа, зоной каскадного действия и мертвой зоной OHM междуфазного комплекта. Коэффициенты чувствительности k4 определяются для двух режимов: при включенных выключателях с обеих сторон цепей и в режиме каскадного отключения, когда выключатель с противоположной стороны поврежденной цепи уже отключен. В первом случае достаточно обеспечить необходимый &ч при КЗ в точке /СР,Ч, где чувствительности защит обеих сторон линии одинаковы (предложено в ЭСП Т. Н. Дородновой и Э. П. Смирновым)^ При этом учитывается, что при КЗ в других местах цепей чувствительность одной из защит будет увеличиваться. Нетрудно показать, что положение точки /СР;Ч, характеризуемое расстоянием /Р,ч от шин, например, подстанции Б ( 8.14,а), определяется как /Р,чБ =[/С,ЗА/(/С,ЗА +

манипуляции электрических потенциалов на металлических электродах МДП-структуры, возбуждения акустической волны в слое пьезоэлектрика, покрывающего полупроводник, и др. Однако наибольшее распространение получили ПЗС на основе МДП-структур. К одному из важнейших типов ПЗС относится так называемый поверхностно-зарядовый транзистор, структура и условное обозначение которого приведены на 3.16, а, б. Как видно из рисунка, структура ПЗС представляет собой кремниевую подложку с электропроводностью /г-типа, на которой создаются области, покрытые слоем SiCb толщиной 0,1—0,2 мкм. Над этими областями располагаются металлические электроды, показанные на 3.16, а. Структура ПЗС очень проста, так как по существу включает в себя только три области и для своего формирования не требует проведения процессов контролируемого введения примесных атомов (диффузии или ионного легирования). Количество технологических операций, необходимых для изготовления ПЗС, втрое меньше, чем для биполярных структур, и вдвое меньше, чем для МДП-структур. Важная особенность ПЗС состоит также в том, что их можно изготовлять не только на основе кремния, но и на основе ряда других полупроводниковых материалов (например, на арсениде галлия), имеющих высокую подвижность носителей заряда или большую ширину запрещенной зоны. Однако следует принимать во внимание, что технология изготовления ПЗС предъявляет гораздо более жесткие требования к совершенству границы раздела между полупроводником и диэлектриком, чем технология изготовления МДП-структур. Например, если для нормальной работы МДП-транзисторов достаточно обеспечить плотность поверхностных состояний 10'°— 10" см~2, то для функционирования ПЗС эта плотность должна быть меньше примерно на два порядка.

Отсюда видно, что для обеспечения максимального значения Рг необходимо, чтобы значения тип были возможно большими, т. е. сопротивление плеча, соединенного последовательно с Rx, следует выбирать возможно большим, а соединенного параллельно — меньшим по сравнению с Rx (практически достаточно обеспечить т яа> п я? ж 10).

Отсюда видно, что для обеспечения максимального значения Рг необходимо, чтобы значения тип были возможно ббльшими, т. е. сопротивление плеча, соединенного последовательно с Rxt следует выбирать возможно большим, а соединенного параллельно — меньшим по сравнению с Rx (практически достаточно обеспечить т « п ж « 10).

легания основной своей площадью. В связи с этим на остром краю щетки чрезмерно возрастает плотность тока, проходящего через щетку. Вследствие возникающего здесь тепла край щетки сильно раскаливается и от него откалываются мелкие накаленные кусочки материала щетки, вызывающие визуально впечатление мелких искр. Такое искрение не является опасным для машины и может быть всегда устранено. Для этой цели достаточно обеспечить строго цилиндрическую и гладкую поверхность коллектора и полное прикосновение площади щеток к ней.

Проверка чувствительности. Чувствительность защиты оценивается коэффициентом чувствительности пускового органа, зоной •каскадного действия и мертвой зоной органа направления мощности. 'Коэффициенты чувствительности определяются для двух режимов: при включенных выключателях с обеих сторон цепей и в режиме каскадного отключения, когда выключатель с противоположной стороны цепи уже отключен. В первом случае достаточно обеспечить необходимый к,', мин при к. з. в точке Хр. ч, где чувствительности защит обеих сторон линии одинаковы (предложено Т. Н. Дород-новой и Э. П. Смирновым [Л. 378]). При этом учитывается, что в случаях к. з. в других местах цепей чувствительность одной из защит будет увеличиваться. Нетрудно показать, что положение точки /СР. ч, характеризуемое расстоянием /р ч от шин, например, подстанции Б ( 6-25, а), определяется как

органа, зоной каскадного действия и мертвой зоной OHM междуфазного комплекта. Коэффициенты чувствительности k4 определяются для двух режимов: при включенных выключателях с обеих сторон цепей и в режиме каскадного отключения, когда выключатель с противоположной стороны поврежденной цепи уже отключен. В первом случае достаточно обеспечить необходимый k4 при КЗ в точке Кр.ч, где чувствительности защит обеих сторон линии одинаковы (предложено в ЭСП Т, Н. Дородновой и Э. П. Смирновым). При этом учитывается, что при КЗ в других местах цепей чувствительность одной из защит будет увеличиваться. Нетрудно показать, что положение точки /СР,Ч, характеризуемое расстоянием /Р)Ч от шин, например, подстанции Б ( 8.14,а), определяется как /р,чб =[/Сза/(Л:за +

При e = const сохраняются отношения w^/wi ( 10.3), как и в случае несжимаемой жидкости, поэтому для обеспечения подобия треугольников скоростей во всей проточной части ТК достаточно обеспечить подобие треугольников на входе в ТК,

няться и вручную, для чего достаточно обеспечить вычисление в темпе процесса отклонения регулирования. Из выражения для отклонения регулирования видно, что в случае изолированно работающей ЭЭС ВР сводится к астатическому регулированию частоты. Подчеркивается, что при правильном определении А"Ээс в неаварийных ЭЭС значение отклонения регулирования останется равным нулю, так как мощность первичного регулирования (первый член) равна по величине частотной коррекции (второй член) и противоположно по знаку.