Достаточно использовать

Электротехника является наукой о техническом использовании электричества и магнетизма в народном хозяйстве. Без достаточно глубокого знания электротехники невозможно представить себе инженеров — создателей и руководителей современного высокоразвитого производства.

Расчетное давление в конденсаторе составляет 3,9 кПа, т. е. конденсатор работает в условиях достаточно глубокого вакуума. Давление в нем поддерживается за счет конденсации пара. Теплота при конденсации отбирается технической водой, охлаждающей теплообменную поверхность конденсатора. Для ее циркуляции используются циркуляционные насосы охлаждающей воды 8. Неконденсирующиеся газы из конденсатора отсасываются паровыми эжекторами 11, 12. Вода из конденсатора конденсатным насосом первой ступени 9 и конденсатными насосами второй ступени 16 через конденсаторы 14, 13 эжекторов 11, 12, систему кон-денсатоочпстки 15 и подогреватели низкого давления (ПНД) 17 подается в деаэратор 18.

В летний период паровая нагрузка конденсаторов таких ТЭЦ увеличивается и возникают трудности с поддержанием достаточно глубокого вакуума, что обусловлено повышенной температурой воды, охлаждаемой в градирнях, а также, как правило, недостаточной производительностью градирен. При повышении темпера-

Направленное движение молекул вещества к подложке, т. е. молекулярный пучок, может быть создано, во-первых, за счет достаточно глубокого вакуума и исключения таким образом столкновений молекул вещества с молекулами остаточного газа, во-вторых, путем соответствующего формирования поверхности вещества, излучающего молекулы.

Направленное движение молекул вещества к подложке, т. е. молекулярный пучок, может быть создано, во-первых, за счет достаточно глубокого вакуума и исключения таким образом столкновений молекул вещества с молекулами остаточного газа, во-вторых, путем соответствующего формирования поверхности вещества, излучающего молекулы.

§ 1.1. Характеристика электронных ламп. Электронные лампы — приборы, принцип действия которых основан на электронной эмиссии и управлении потоком электронов электрическим полем, а иногда и магнитным полем в условиях достаточно глубокого вакуума. 5Частным видом электронной эмиссии является термоэлектронная.

Все эти обстоятельства вызывают необходимость достаточно глубокого изучения влияния неравномерности зазора на магнитное поле. Ввиду сложной структуры магнитного поля в зазоре при зубчатом якоре этот вопрос трудно поддается исследованию. С достаточной для инженерных целей точностью поле в зазоре может быть исследовано по методу удельной магнитной проводимости зазора.

Транзистор будет находиться в режиме насыщения, если с/упр >-» ивхтах + «бэ> где MEsmax — максимальное значение переключаемого напряжения. Для получения достаточно глубокого насыщения

Систематическое изложение главных вопросов, составляющих основу химии и технологии теплоносителя водоохлаждаемых реакторов, сделало необходимым помещение ряда глав, содержащих преимущественно вспомогательный материал, могущий, однако, быть необходимым читателю для достаточно глубокого понимания материала основных глав. Это относится, по существу, ко второй главе, включающей общие положения одно- и двухфазной гидродинамики, тепло- и массообмена, и к третьей главе, в которой изложены основы физической химии воды и

Все эти обстоятельства вызывают необходимость достаточно глубокого изучения влияния неравномерности зазора на магнитное поле. Ввиду сложной структуры магнитного поля в зазоре при зубчатом якоре этот вопрос трудно поддается исследованию. С достаточной для инженерных целей точностью поле в зазоре может быть исследовано по методу удельной магнитной проводимости зазора.

Однако, так же как и в иконоскопе, созданию достаточно глубокого потенциального рельефа в трубке с переносом изображения препятствует перераспределение вторичных электронов, сглаживающих потенциальный рельеф. Таким образом, и в супериконоскопе ток электронов, уходящих с мишени, является ненасыщенным. Однако ввиду более высоких (по сравнению со скоростями фотоэлектронов) начальных скоростей вторичных электронов большая доля вторичных электронов достигает коллектора. В некоторых типах

Для обеспечения необходимой оперативности и в то же время достаточно глубокого изложения отдельных разделов к работе над книгой был привлечен коллектив авторов. В написании отдельных глав приняли участие: гл. 2 — дипл. физ. Э. Небе, гл. 3 — д-р т. н. В. Эрлер и дипл. физ. Э. Небе, гл. 4 — д-р т. н. В. Эрлер, д-р т. н. Э. Иелинек, гл. 5 — д-р т. н. Г. Мельцер, гл. 6 — д-р т. н. Л. Вальтер, гл. 7 —дипл. физ. Г. Эггерт, дипл. инж. С. Глязер, дипл. физ. В. Грундман и дипл. инж. П. Полинг, гл. 8 — дипл. инж. И. Фишер, д-р т. н. Э. Иелинек, дипл. инж. Г. Ион и д-р т. н. Д. Кригер, гл. 9 — дипл. инж. И. Арнольд и дипл. инж. Г. Виснер. Ценные результаты измерений были нам любезно предоставлены инженером Ниттнером. Его фундаментальные работы в области полупроводниковых тензорезисторов легли в основу создания «системы измерения с полупроводниковыми тензорезисторами».

— фСЛх(О) — &^нх(0. гДе ^ — безразмерное постоянное число. Если говорить строго, то любое электрическое звено является нелинейным и инерционным, т. е. для него не выполняются указанные выше преобразования. Используя определенные меры, большинство звеньев удается линеаризировать, что позволяет считать их с достаточной для практики точностью линейными. Звенья, в которых должны выполняться нелинейные преобразования над сигналом, следует делать широкополосными, безынерционными. Таким образом, в электрическом тракте достаточно использовать два вида моделей звеньев — линейные инерционные и нелинейные безынерционные. Последние обычно описываются оператором вида L/Bblx(/) =

Для кодирования двухградационных изображений (некоторых видов карт, схем, чертежей, газетных, машинописных и рукописных текстов и т. п.) достаточно использовать всего два уровня яркости: I — уровень яркости знаков и линий, 0 — уровень яркости поля. Двухуровневый сигнал формируют путем пропускания сигнала, получаемого на выходе преобразователя свет — сигнал, через пороговое устройство, которое устраняет неравномерность яркости поля (фона) и различие уровня яркостей знаков и линий. Сформированный сигнал затем дискретизируется по времени последовательностью коротких импульсов с частотой f л= 1ДД (см. 7.1, в), и с помощью простых логических схем формируются импульсы 1 и 0. Величина 7\ обычно берется 0,5т,, где тэ — длительность элемента (самой короткой детали) изображения. Объем информации / и скорость FT = F;i можно определить из выражения (7.6), положив m = 1. Для сокращения объема передаваемой информации полученный цифровой сигнал подвергается последующей обработке (см. § 7.4).

Электромагнитный момент определяется по схеме с т статорами (см. 6.2) или т статорами и общим ротором (см. 6.3). Схема рис 6.3 позволяет учитывать пульсирующие моменты от произведений токов разных частот. В статике достаточно использовать более простую схему 6.2. Однако в переходных процессах неучет пульсирующих составляющих дает погрешность в определении ударных моментов и времени переходного процесса в пределах 10—15%.

МикроЭВМ в САПР используются для внешнего управления устройствами отображения, ввода и вывода графической информации. В последнее время стали разрабатываться и применяться в САПР терминалы, предназначенные для решения группы однородных задач. Например, задач документирования или задач ввода и редактирования графической информации, в которых в качестве управляющей ЭВМ достаточно использовать микроЭВМ.

Используя логические ИМС НЕ, ИЛИ, И, можно реализовать логическую функцию любой сложности, т. е. создать сколь угодно сложное в функциональном отношении цифровое устройство. Поэтому система уравнений (3.3) — (3.5) является функционально полной, а схемы НЕ, ИЛИ, И называют функционально полной системой логических элементов. Кроме того, доказано, что для построения любых цифровых систем достаточно использовать только две схемы из трех основных: схемы ИЛИ и НЕ, попарно объединяя которые, получают два универсальных логических элемента И — НЕ, ИЛИ — НЕ. Первый элемент выполняет функцию отрицания логического произведения входных сигналов (штрих Шеффера): у = х\/\хч/\... /\хт ; второй — функ-цию отрицания логического сложения (стрелка Пирса): у = xi V*2\/ ••• V*m. Реализовать такие элементы можно на ключах разных типов: диодных, транзисторных, диод-но-транзисторных и др. Их графическое обозначение показано на 3.14, г, д. Работа логических ИМС ИЛИ, И, И — НЕ, ИЛИ — НЕ на два входа описывается таблицей истинности (табл. 3.3).

лем подчиняются сложным законам квантовой механики и электродинамики, но в рамках классической теории поля Максвелла—• Лоренца вполне достаточно использовать приближенные модели микросистем вещества. Одна из возможных моделей представляет собой совокупность связанных точечных зарядов рсв.микро разного знака, локализованных в микрообъеме вещества. Положительные заряды находятся в ядрах атомов, а отрицательные — в геометрических центрах электронных оболочек. Наряду с такой дискретной моделью микросистем вещества используется и непрерывная модель, где допускается существование объемной плотности связанных зарядов рсв.микро как функции координат в пределах микрообъема вещества Умикро-

Для измерения мощности в данном случае достаточно использовать один ваттметр, измеряющий мощность одной фазы. Для получения мощности трехфазной системы достаточно показание ваттметра умножить на 3.

ных проектах достаточно использовать обозначения лишь для отдельных элементов, состоящих в общем случае из трех частей, которые указывают вид элемента, его номер на схеме и функцию (буквенный код из [1.13]). Например, C4F — конденсатор С4, используемый как защитный. Указание функций не обязательно, т. е. букву F можно не указывать. При необходимости вводится обозначение контакта электрического элемента (аппарата), показываемое в буквенно-цифровом обозначении справа после двоеточия комбинацией букв и цифр ( В.4). Например, SB1R:2 — контакт 2 первого кнопочного выключателя SB1 сброса (R).

Логические элементы, как правило, реализуют одну или несколько из перечисленных выше функций: НЕ, И, ИЛИ, И-НЕ, ИЛИ-НЕ. Условные графические обозначения ЛЭ, выполняющих эти функции, представлены на 7.1. Соединяя соответствующим образом эти ЛЭ, можно получить микросхему, выполняющую любую более сложную логическую функцию. В принципе для этого достаточно использовать только элементы И-НЕ или ИЛИ-НЕ, поэтому они получили наибольшее распространение в микросхемах. Выше были приведены логические функции двух переменных. Для их выполнения необходимы ЛЭ с двумя входами ( 7.1, б — д). При увеличении числа логических переменных соответственно возрастает и число входов; их может быть три, четыре и более. Логический элемент, выполняющий операцию НЕ ( 7.1, а), называется инвертором. Он имеет один вход и один или несколько выходов. В последнем случае для любого из k выходов выполняется операция 5;=Л (i = 1,2..... k).

Для современных программ оптимального проектирования характерно сочетание нескольких методов, которые попеременно включаются в работу в зависимости от поведения целевой функции, этапа поиска, требований к точности определения координат оптимальной точки и допустимого времени поиска. В начальной стадии поиска при значительном изменении целевой функции достаточно использовать простые статистические методы, имеющие большую дисперсию, но обладающие значительной скоростью счета. При выходе в существенно нелинейную область обычно используется метод статистического градиента или «наилучшей случайной пробы. Последний метод заключается в проведении серии пробных шагов, из которых выбирается наилучший. При этом вероятность пропуска направления градиента невелика. При выходе в окрестность экстремума успешно применяется один из градиентных методов.

Анализ данных этой таблицы показывает, что выводы о возможности отказа от учета распределенное™ параметров при /=^250 км, полученные выше при исследовании изменения /Cz и /Су при вариации длины линии (см. табл. 1.1), справедливы и при рассматриваемом подходе, поскольку значения kr, kx, kg и kb при / = 250 км мало отличаются от единицы. Сопоставления точных и приближенных значений kr, kx, kb показывают, что допущение об отсутствии потерь на корону, т.е. пренебрежение вторыми слагаемыми в (1.1476), практически не сказывается на значениях kx и kb (kxttk'x, kb^k'b), а наибольшее отличие kr от kr (при /=1000 км) не превосходит 3,5 %. Переход к рассмотрению идеализированной линии (без потерь) связан только с изменением поправочного коэффициента к индуктивному сопротивлению, при этом отличие k"x от -k'x вне зависимости от длины составляет примерно 0,1 %. Таким образом, при длинах линий 250^/^1000 км в использовании более точных выражений (1.1476) нет практической необходимости и в зависимости от принимаемых допущений достаточно использовать для расчета поправочных коэффициентов выражения (1.147в) или