Допустимым отклонением

Решение. Мощность в нагрузке определяется максимально допустимым током в ней и максимально допустимым напряжением сети, которое в режиме, близком к режиму короткого замыкания, окажется приложенным к нагрузке.

где А/г — результирующая деформация, ограниченная, например, допустимым напряжением стр материала; Fu = NAh — приложенная сила.

Помехоустойчивость определяется максимально допустимым напряжением помехи, не вызывающим неправильного срабатывания логического элемента.

следующими параметрами: максимальным допустимым током анода 1атах, максимально допустимым напряжением анода Uanou, максимально допустимой мощностью, рассеиваемой на аноде,

К статическим параметрам относят входные и выходные токи и напряжения, соответствующие логическим 1 и 0; токи потребления в двух состояниях; мощности, потребляемые схемой в состояниях 0 и 1. Средняя потребляемая мощность определяется по формуле /)пот.сР = (^2от + >Рпот)/2 = Х^р^по„, где Р2« —мощность, потребляемая устройством в состоянии 0; Р„ОТ — мощность, потребляемая устройством в состоянии 1; /ср—средний ток, потребляемый одним элементом устройства. Помехоустойчивость характеризуется допустимым напряжением статической помехи ипоы, при подаче которого на вход цифрового устройства не наблюдается его ложного срабатывания.

При проектировании формирователя бывают заданы нагрузка, показатели выходного импульса тока: амплитуда /м, длительность импульса t,,, длительность фронта и спада /ф и tctt, показатели входного импульса /вх. „, ta_ вх, /ф вх и /сп. „„, допустимые затраты энергии во входной цепи, которые обычно характеризуют допустимым напряжением на входной обмотке ?/вх. доп либо допустимым прира-

Основы расчета магнитоупругих преобразователей. Первой задачей при разработке любого магнитоупругого преобразователя является выбор размеров его сердечника, который диктуется техническими условиями ра:боты и допустимым напряжением а для выбранного ферромагнитного материала.

от генератора течет из источника напряжения -\-1) через сопротивление R, транзистор Т и диод Д в источник —И\. Рассматриваемый коммутатор имеет пт выходов при n+m входах. Входами коммутатора являются базы транзисторов групп п и т. Напряжение питания —U выбирают в соответствии с допустимым напряжением коллектора и требуемым падением напряжения в выбранной линии с сердечниками. Напряжение —U\ устанавливают несколько большим суммп ладений напряжений на от-КрЫТОМ ДИОДе Д Н транзисгоэе Т. Резистор R и напряже-ние -\-V выбирают в соответствии с характеристиками возбуждения сердечников памяти. Нормально на базы

4. Помехоустойчивостью ключевого элемента, определяемой максимально допустимым напряжением помехи UnoM, действующей на входе ключевого элемента. Помехоустойчивость характеризуется допустимыми значениями напряжения помехи отпирающей UnoM и запирающей UnQM полярности. Первое из них равно разности напряжений на входе: напряжения отпирания ключа l/вх.от и напряжения в рабочей точке А в закрытом состоянии ключа; второе — также разности напряжений на входе: напряжения в точке В в открытом состоянии ключа и граничного входного напряжения С/вх.гр, при котором транзистор находится либо на грани насыщения, либо на грани крутой и пологой областей вольт-амперной характеристики ( 6.1, а).

Отсюда видно, что чем меньше 0, тем меньше требуется толщина прокладки h. Величина 6 определяется допустимым напряжением на изделии (8-54) и зависит от материала прокладки. На 8-16 представлена зависимость 6 = f(a) для упругого полиуретанового пенопласта и резины.

При заданной схеме подстанции и выбранном размещении разрядников напряжение в различных точках подстанции определяется параметрами набегающей волны, в первую очередь ее крутизной. Сопоставление максимального напряжения на изоляции при разных крутизнах с допустимым напряжением позволяет определить опасные крутизны, при которых напряжение на изоляции оказывается выше допустимого. Так, на 18-14 абсциссы точек пересечения кривых ?/„. макс = / ([/') и прямой, соответствующей ияоп (470 кВ), дают значения критических крутизн U'Kp, превышение которых опасно для изоляции. Такими крутизнами обладают волны с длительностью фронта, превышающей

В металлопленочных резисторах токопроводящим слоем является пленка из сплавов высокого сопротивления, которую наносят на основание из керамики или ситалла. К металлопленочным резисторам относят резисторы типов: МЛТ (металлизированные лакированные теплостойкие); ОМЛТ (особые МЛТ), обладающие повышенной надежностью; МТ (металлопленочные теплостойкие), которые могут работать при температурах до +200°С; МУН (металлопленочные герметизированные прецизионные), которые являются высокостабильными во времени, имеют малый ТКЯ и могут работать при повышенной влажности; МУП (металлопленочные ультравысокочастотные прецизионные), имеющие номиналы 24—200 Ом с допустимым отклонением ±1%. К металлопленочным относят также типы резисторов, разработанные в последние годы: С2-6, работающие при температурах до +300°С; С2-8, работающие при повышенной влажности; С2-13; С2-14; С2-15, являющиеся высококачественными прецизионными резисторами. Наиболее стабильными являются резисторы типа С2-13, выпускаемые с допусками ±0,1; ±0,2; ±0,5; ±1; ±2,5%.

температуры с определенной допустимой неравномерностью по объему изделия. Для сталей средняя температура Тср находится в диапазоне 1000—1250 °С с допустимым отклонением от нее ±(100 — 25) К (меньшее отклонение — для точных технологий, таких, как штамповка на ковочных вальцах и др.). Обычно принимают максимальную температуру нагрева стали ТтаХ = 1250 °С, а перепад температуры по сечению ДТ — 100—150 К. В отдельных случаях, например при прессовании алюминия, используется градиентный нагрев с заданным законом изменения температуры по длине изделия.

Допустимая потеря напряжения в сети НН определяется как разность между отклонением напряжения на шинах НН У'ш и предельно допустимым отклонением V. у самого удаленного электроприемника в сети НН;

Допустимая потеря напряжения в сети ВН определяется как разность между отклонением напряжения на шинах ЦП Уцп и предельно допустимым отклонением УПР в точке подключения В самого удаленного РТ ( 8.1, а) в режиме максимальных нагрузок. При этом с учетом зоны нечувствительности РПН можно записать

Рассмотрим принцип работы декодирующего устройства на примере перевода кодированной программы в импульсную форму. Траектория движения инструмента относительно детали ( 13.13) аппроксимируется участками прямых, длина которых определяется допустимым отклонением от геометрической кривой. На перфорированной ленте записаны числа, соответствующие перемещению по осям координат в единицах цены импульсов датчиков обратной связи. Для того чтобы инструмент двигался по заданному отрезку прямой, необходимо, чтобы за время прохождения пути Лл; вдоль одной оси по второй был пройден путь Дг/. Для этого на магнитной ленте вдоль дорожки сигнала управления перемещением по оси х записываются Дл:/6 импульсов, а вдоль оси у — Ау/д импульсов, где б — перемещение на один импульс. Скорость перемещения задается частотой следования импульсов.

Чем длиннее линия, тем резче выражена зависимость элементов схем замещения от частоты, так как значительнее изменяется аргумент yl гиперболических функций. Практически реализовать сопротивления элементов схем замещения с требуемой зависимостью их от частоты оказывается невозможным. Поэтому схемы замещения остаются пригодными (с допустимым отклонением параметров) в тем большем диапазоне частот, чем меньше длина линии. Линию значительной длины (по сравнению с длиной волны наивысшей гармонической составляющей сигнала) разбивают на участки, для каждого из которых уже составляется эквивалентная схема. В результате однородная линия заменяется цепочкой или, как говорят, искусственной л и н и-е и.

Номинальное сопротивление термистора — это его сопротивление при определенной температуре (обычно 20°С). Термисторы изготовляют с допустимым отклонением от номинального сопротивления ±20, 10 и 5%. Номинальные сопротивления различных типов термисторов имеют значения от нескольких ом до нескольких сотен килоом.

Длительность расширенного импульса ограничена разрядом накопительного конденсатора и допустимым отклонением напряжения от амплитуды Um. При коротких входных импульсах накопительный конденсатор не будет успевать заряжаться, так что напряжение на нем не достигнет Um- Поэтому длительность входного импульса также ограничена допустимым отклонением напряжения на конденсаторе от величины 1/,„.

Пример 5.5. Рассчитать устройство для стабилизации напряжения на уровне ^нагр.ном=8 в с допустимым отклонением ±3%. Напряжение питания изменяется в пределах ?/=25-ьЗО в. Сопротивление нагрузки Ян«гр=200 ом. Устройство должно функционировать при температурах 9 = О-г-40 С, а также при замене стабилитрона другим экземпляром того же типа.

Дальнейшее улучшение качества эпитаксиальных структур кремния проводится одновременно с увеличением их диаметра. В будущем получат широкое применение структуры диаметром до 150 мм и толщиной эпитаксиальных слоев 0,4—80 мкм (отклонение от номинала ±5%), удельное сопротивление которых перекроет диапазон 0,05—80 Ом-см с допустимым отклонением не более ±10%, плотностью дислокаций до 102 см~2 и плотностью дефектов упаковки 0—10 см~2.

Скорость движения фотоленты 0,8; 1,6; 6; 13; 50,100,8,16,60,130, 500,1000 мм/сек с допустимым отклонением ±10%.