Допустимыми пределами

Для каждой реализации массива значений конструкционных параметров последовательно рассчитываются значения электрических параметров и сравниваются с допустимыми отклонениями. При несоответствии значения электрического параметра полю допуска расчет для данной реализации прекращается и формируется следующая реализация. Та, при которой удовлетворены ограничения на все электрические параметры, регистрируется, после чего цикл повторяется для следующей реализации. Соотношение общего числа реализаций и реализаций, удовлетворяющих всем наложенным ограничениям, рассматривается как условная вероятность выхода годных.

Область базы, как и эмиттерная область, получается диффузией легирующей примеси через вскрытые под диффузию окна в слое двуокиси кремния. Пленка SiO2 защищает участки поверхности подложки от про-ни кновени я атомов диффузанта,обеспечивая локальный характер диффузии. Переходы база — эмиттер, база — коллектор образуются в местах пересечения соответствующих профилей концентрации ( 1.2), так как именно в этих точках концентрация диффундирующей примеси равна уже имеющейся концентрации примеси противоположного типа проводимости. Ширина базы обычно составляет 0,6...0,8 мкм с допустимыми отклонениями =t 0,1 мкм. На 1.1, а показан интегральный транзистор (вид сверху). Чтобы дать представление о размерах транзистора на поверхности подложки, он изображен при 500-кратном увеличении (отметим, что вертикальные размеры на 1.1, а изображены не в масштабе).

Геометрические размеры элементов ИМС определяются погрешностями, вносимыми при изготовлении их структур, и допустимыми отклонениями параметров этих элементов. Объясним это на примере резисторов.

Номинальные величины и классы точности. По возможностям изменения их сопротивления резисторы делятся на постоянные и переменные. Все постоянные резисторы выпускаются с определенными номинальными сопротивлениями, допустимыми отклонениями фактических величин сопротивлений от номинальных (классами точности) и мощностями рассеяния [6].

Все нормы должны задаваться с допустимыми отклонениями. Если-в комплект поставки входят отдельные, механически не связанные

На каждый материал, выпускаемый промышленностью, имеются технические условия (ТУ) или ГОСТы. В этих документах приводятся технические характеристики материалов с допустимыми отклонениями, а также изменения характеристик под действием различных факторов (температуры, повышенной влажности и т. д.).

На чертеже коммутационной платы должны быть показаны: 1) материал, из-которого изготовлена подложка платы и ее размеры; 2) конфигурация всех слоев платы и размеры, характеризующие положения каждого элемента слоя по отношению к плате; 3) материал, из которого изготовлен каждый слой, его толщина, электрические характеристики материала; 4) параметры каждого элемента, расположенного на плате с допустимыми отклонениями.

Пунктирная прямая 2 на 2.16 соответствует распределению примесных атомов в эпитаксиальном слое, которое обычно является однородным. Выбор значения удельного объемного сопротивления эпитаксиального слоя рэп обусловлен необходимостью обеспечения достаточно высокого напряжения пробоя перехода база — коллектор. Кривая 3 соответствует распределению примесных атомов акцепторного типа в базе. Уравнение этой кривой приблизительно может быть представлено гауссовой функцией, а типичные значения удельного поверхностного сопротивления составляют 120—200 Ом/П. Распределение атомов эмиттернои примеси донорного типа представлено кривой 4. При формировании эмиттернои области транзисторной структуры в качестве легирующего элемента обычно используют фосфор. Уравнение кривой 4 с высокой степенью точности может быть представлено двумя функциями дополнительного интеграла ошибок способом, описанным в настоящей главе. Поверхностная концентрация атомов эмиттернои примеси примерно соответствует пределу их растворимости при температуре диффузии, т.е. составляет величину порядка Ю21 см""3. Ширину базовой области транзистора, заключенной между коллекторным и эмит-терным переходами, обычно выбирают в пределах 0,6—0,8 мкм с допустимыми отклонениями, составляющими ±0,1 мкм.

Задаваясь допустимыми отклонениями напряжения, можно определить Q2, а отсюда и мощность компенсирующих устройств

ты в цепи включения выключателя при несоблюдении (с допустимыми отклонениями) условий синхронизации. Включение генератора в сеть методом точной синхронизации допускается, если напряжение генератора отличается от напряжения сети по фазе не более чем на 15 эл. град, по величине — не более чем на 20%, а по частоте не более чем на 0,1%, или 0,05 Гц.

У деталей, обрабатываемых резанием, различают точность размеров, формы поверхностей и их взаимного расположения. Точность выполнения размеров отдельных поверхностей деталей задается на рабочих чертежах деталей и характеризуется допустимыми отклонениями размеров от номинального значения. Допустимые отклонения формы и расположения поверхностей составляют часть допуска на размеры этих поверхностей. Между заданными отклонениями размеров и ше-

Конструкция статора и его размеры в большинстве случаев определяются необходимостью ограничить напряжение между коллекторными пластинами допустимыми пределами, при заданных условиях эксплуатации.

Недостатки полупроводниковых ИМС на биполярных транзисторах в некоторой степени могут быть компенсированы ИМС на МДП-транзисторах. Интегральные устройства на основе различных МДП-структур находят широкое применение при проектировании ряда функционально законченных устройств, к которым относятся, например, постоянные и оперативные запоминающие устройства, электронные калькуляторы, микропроцессоры, а также микромощные устройства, предназначенные для использования в медицине и космических системах. Для ИМС на МДП-транзисторах характерны высокая надежность, низкое энергопотребление и большая функциональная сложность, что позволяет значительно снизить стоимость аппаратуры на их основе. Уровень, достигнутый в области проектирования ИМС на МДП-структурах, позволяет при равной функциональной сложности получать гораздо меньшие размеры элементов по сравнению с элементами биполярных полупроводниковых ИМС, причем процесс их изготовления включает меньшее количество технологических операций. При проектировании МДП-ИМС необходимо учитывать ряд общих ограничений, свойственных технологии изготовления полупроводниковых приборов, а также специфические аспекты МДП-технологии, в частности зависимость свойств МДП-приборов от свойств исходного полупроводникового материала и особенно от состояния поверхности полупроводниковой подложки, контактирующей с диэлектриком. Учет этих особенностей в процессе проектирования позволяет получить приборы с параметрами, изменение которых ограничено некоторыми допустимыми пределами, что обеспечивает выполнение заданной схемотехнической функции.

С ростом мощности трансформаторов снижается их сопротивление, а токи к. з. растут. Поэтому в большинстве случаев единичная мощность трансформаторов, питающих сети и установки до 1 000 в, определяется допустимыми пределами величины тока к. з. Считается нецелесообразным применение трансформаторов со вторичным напряжением 0,4 кв мощностью более 1600 — 2 500 ква. При трехфазном коротком замыкании через короткую и мощную дугу на выводах 0,4 кв такого трансформатора, присоединенного к заводской кабельной сети, действующее значение симметричного тока будет достигать 44—69 ка. Если учесть подпитку места к. з. от двигателей, питающихся от этого трансформатора, то станет очевидной необходимость применения в этой установке усиленных коммутационных аппаратов либо применения специальных токоограничителей. В качестве таких токоограничителей могут быть использованы плавкие предохранители с наполнителем.

Зазоры при стыковке плат в корпусе ГИМ, необходимые для обеспечения технологичности конструкции при сборке и удовлетворяющие требованию ограничения электрических неоднородностей СВЧ-тракта допустимыми пределами, должны соответствовать приведенным в табл. 4-12.

2) сопоставление полученных значений с допустимыми пределами (определение истинности простых событий);

причем процесс их изготовления включает меньшее количество технологических операций. При проектировании МДП-ИМС необходимо учитывать ряд общих ограничений, свойственных технологии изготовления полупроводниковых приборов, а также специфические аспекты МДП-технологии, в частности зависимость свойств МДП-приборов от свойств исходного полупроводникового материала и особенно от состояния поверхности полупроводниковой подложки, контактирующей с диэлектриком. Учет этих особенностей в процессе ""проектирования позволяет получить приборы с параметрами, изменение которых ограничено некоторыми допустимыми пределами, атв обеспечивает -выполнение заданной схемотехнической функции.

Нетрудно выбрать необходимый режим работы непосредственно на семействе характеристик лампы, как это делалось для транзисторов. Например, если необходимо установить режим, обеспечивающий работу электронной лампы в области линейной части характеристик, то допустимыми пределами изменения потенциалов будут участки, положение которых приблизительно определяется незаштрихованной частью на 5.16, а (семейство анодыо-сеточных

Максимальная мощность всегда превышает номинальную и достигается лишь кратковременно. Степень форсировки и получаемая в этом случае дополнительная мощность определяются, как правило, допустимыми пределами увеличения напряжений в отдельных элементах блоков. Вследствие этого использование форсировочных возможностей энергетических агрегатов часто оказывается связанным со снижением вероятности их безотказной работы. Однако вопросы надежности работы энергоблоков в условиях их перегрузки изучены в настоящее время еще недостаточно.

Максимально допустимые токи ключа устанавливаются из условий непревышения максимально допустимой рабочей температуры переходов, конструктивных особенностей прибора, определяемых надежностью выводов и контактов, а также допустимыми пределами изменения усилительных свойств ключа, которые не должны ухудшаться при заданной токовой нагрузке.

механизма подъема предъявляют требования ограничения момента допустимыми пределами в статических и динамических режимах работы. Система управления приводом должна обладать высоким быстродействием для того, чтобы обеспечить ограничение момента в переходных процессах работы, когда возможны перегрузки механизма, значительно отличающиеся от статических.

Одним из замечательных свойств ЛОВ является электронная перестройка частоты генерируемых колебаний в широких пределах. Как видно из 4.13, с увеличением ускоряющего напряжения частота генерируемых колебаний увеличивается. Частотная характеристика ЛОВ является нелинейной. Закон изменения частоты обусловлен дисперсией замедляющей системы, так как изменение U0 меняет скорость электронов и, следовательно, условия синхронизма. Ширина рабочего диапазона электронной перестройки частоты генератора на ЛОВ определяется допустимыми пределами изменения выходной мощности. Отношение максимальной частоты рабочего диапазона к минимальной называется коэффициентом перекрытия диапазона.

Для остановки двигателя необходимо нажать на кнопку Стоп. При этом теряет питание параллельная катушка реле РУП. Контакты реле разомкнутся, и в обмотку возбуждения генератора будет введено все сопротивление РВГ. Поскольку обмотка возбуждения осталась включенной (питание катушки контактора 2Л осуществляется в этом случае через контакты реле 2РП), ток в ней начнет убывать. Электродвижущая сила генератора будет уменьшаться и, когда она окажется меньше э. д. с. двигателя, возникнет режим генераторного торможения с отдачей энергией в сеть и двигатель начнет останавливаться. При снижении напряжения генератора до определенного значения отпадет якорь реле 2РП. Его замыкающие контакты отключат обмотку контактора 2Л. Это приведет к тому, что замыкающие контакты 2Л отключат ОВГ от сети постоянного тока, а размыкающие замкнутся и подсоединят эту обмотку к якорю генератора. Вследствие изменения полярности напряжения на обмотке ОВГ ток возбуждения и э. д. с. генератора уменьшатся до нуля и двигатель остановится. Ограничение тока якоря допустимыми пределами при торможении осуществляет реле РУП. При опасных значениях тока это реле срабатывает и своими замыкающими контактами в цепи обмотки возбуждения генератора замыкает накопотко часть сопротивления РВГ.