Дополнительному увеличению

На 11.10 представлена схема стабилизатора, отличающаяся от схемы на 11.6 введением дополнительного транзистора V5, являющегося усилителем мощности. Это позволяет получить большее по сравнению со схемой на 11.6 значение /н. Напряжение практически совпадает с напряжением стабилизации стабили-

Среди схем насыщенного типа при использовании транзисторов с относительно малым временем рассасывания заряда наибольшим быстродействием обладают ТТЛ со сложными инверторами. Быстродействие этих схем повышается при модификации основной схемы включением дополнительного транзистора в нагрузку каскада инвертора (см. 4.10, б), причем наибольшее быстродействие имеют ИМС с переходами Шоттки, которые препятствуют насыщению транзисторов.

Время, в течение которого выходной ключ открыт, может быть резко увеличено добавлением в каждый выходной ключ еще одного транзистора и конденсатора. При этом током первого транзистора за время tK заряжается емкость в базовой цепи дополнительного транзистора. Напряжение с этой емкости через большое добавочное сопротивление в базе второго транзистора удерживает последний в открытом состоянии до следующего импульса от первого транзистора.

Оба эти явления нежелательны, поэтому в современных ЭЛбКТрОН-ных схемах в качестве резистора R? используют дифференциальное сопротивление дополнительного транзистора VT3, который вводят в схему дифференциального каскада ( 11.7), Выходная вольт-амперная характеристика биполярного транзистора (см. 5.10, б) при /<; = const имеет очень малую крутизну, т. е. большие изменения коллекторного напряжения вызывают незначительные изменения тока коллектора, что эквивалентно большому дифференциальному сопротивлению даже при очень малом падении напряжения на транзисторе. Ток базы транзистора VT3 задается делителем R2R3, дифференциальное сопротивление транзистора VT3 около 10 МОм, за счет чего достигается значительное подавление синфазного сигнала. В ТО Же Время падение постоянного напряжения на транзисторе VT3 оказывается незначительным, т. е. повышения мощности рассеяния не происходит. Использование схемы на 11.7 на дискретных элементах не всегда целесообразно, так как требуется третий транзистор, однако в интегральном исполнении легко использовать «лишний» транзистор, что привело к широкому применению таких схем в современных усилителях.

Микросхема на 7.26, а отличается от подобной микросхемы ТТЛ со сложным инвертором (см. 7.24, б) дополнительными элементами в виде транзистора Шоттки T'g и резистора R6. Эти элементы предназначены для улучшения переключательной характеристики ИМС ( 7.26, б). В ИМС на 7.24,6 после отпирания фазорасщепителя на транзисторе TI сразу начинается спад выходного потенциала. При этом, пока остается закрытым инвертор на Гз, происходит «скалывание» переключательной характеристики на величину AUBXR2/Ri (см. переключательную характеристику на 7.25 на участке t/BXiOT2 < Um < (/вх.от)- Это обстоятельство мо,жет послужить причиной уменьшения помехоустойчивости 1/ГЮм- Включение транзистора Tg в ИМС ( 1.26, а) приводит к существенному уменьшению тока коллектора транзистора Т^ на участке ^вх.от2 < f^Bx < f-^вх.от- Поэтому выходное напряжение на этом участке (в отличие от схемы без дополнительного транзистора Т(>) практически остается Постоянным (ср. пунктирную кривую со сплошной на 7.26,6). И только тогда, когда потенциал базы транзистора Гз достигает уровня UOT.T и отпирается инвертор на Гз, наблюдается резкий спад выходного напряжения. Дополнительный транзистор Т$ используется и в ИМС на обычных транзисторах для улучшения их переключательной характеристики. 292

Указанные недостатки в значительной мере устранены в сдвоенном компараторе 521СА1 (аналог цА711). Схема ИКН показана на 9.2. Так как речь идет о сдвоенном ИКН, состоящем из двух идентичных половинок, то ограничимся рассмотрением одной половинки (например, расположенной слева). Транзисторы TI и Т г образуют входной дифференциальный каскад, к выходам которого подключены входы каскада промежуточного усиления на транзисторах Тз и Т$, одновременно производящего (совместно с повторителем на Те) преобразование двухфазного сигнала в однофазный. Выходным каскадом служит повторитель напряжения на Tj со сдвигающим стабилитроном Дз. Выходы двух отдельных компараторов совмещаются на эмиттерных повторителях на TI и Т% по логике ИЛИ. По своей структуре входной промежуточный и выходной каскады этого ИКН ( 9.2) практически не отличаются от соответствующих каскадов компаратора 521СА2 (см. 9.1). Отличие этих компараторов связано с включением дополнительного транзистора (Гз или Т\§ на 9.2), ограничивающего степень насыщения транзистора Т$ или Тп на заданном уровне независимо от разброса коэффициента передачи тока базы pV При работе транзистора Т* в активной области транзистор Т5 остается в закрытом состоянии (что обеспечивается перепадом напряжения на резисторе RS от тока коллектора Т-^. Однако, когда ток коллектора транзистора Т2 уменьшается настолько, что ключевой транзистор Т4 заходит в область насыщения, транзистор TS отпирается. Тогда ток коллектора этого транзистора /К5, протекая через резистор R2, приводит к спаду потенциала базы и соответственно потенциала эмиттера транзистора Т$. С понижением потенциала эмиттера уменьшается ток базы ключевого транзистора Т$, 414

Транзисторная цепь запуска ( 6.22). Эта схема запуска базируется на использовании дополнительного транзистора. На рисунке показан запуск по коллектору TI триггера; триггер изображен не полностью — дан только каскад на транзисторе Т1. Для запуска используется импульс отрицательной полярности. Предположим, что транзистор Т1 заперт. На его коллекторе имеется от-

17.2. Дифференциальный каскад с дополнительным транзистором: а —схема; б — графическое пояснение работы дополнительного транзистора

Транзисторная цепь запуска ( 5.22). Эта схема запуска базируется на использовании дополнительного транзистора. На рисунке показан запуск по коллектору Тг триггера; триггер изображен неполностью — дан только каскад на транзисторе Tlvt Для запуска используется импульс отрицательной полярности. Предположим, что транзистор 7\ заперт. На его коллекторе имеется

На 4.17 представлена схема трансформаторного ФИУ, которая обеспечивает управление в диапазоне скважности от 1 до 99%. Заряд входной емкости силового ключа обеспечивается в данной схеме через внутренний диод дополнительного транзистора. При этом импульсный трансформатор может работать в режиме насыщения, поскольку контур разряда входной емкости при закрытом дополнительном транзисторе отсутствует. При переключении сигнала в первичной обмотке дополнительный ключ отпирается, обеспечивая разряд входной емкости и выключение силового ключа.

Наконец, для питания драйверов, управляющих силовыми ключами с низкими потерями во входной цепи, используют часть выходной энергии самого ключа. Как правило, в данных схемах используют заряд внешнего конденсатора от выходной цепи ключа. Для стабилизации напряжения применяют параметрические методы на основе стабилитронов. Усиление выходного тока источника питания осуществляют с помощью дополнительного транзистора ( 4.58).

Стабилизаторы напряжения служат для питания нагрузки постоянным напряжением при изменении в заданных пределах напряжения питания и тока нагрузки. Стабилизатор последовательного типа основан на том, что его выходное напряжение меньше напряжения питания; разность этих напряжений приходится на регулирующий последовательный транзистор. Изменяя ток базы этого транзистора в функции выходного напряжения, можно стабилизировать выходное напряжение с высокой точностью. Типичные значения тока нагрузки десятки миллиампер — единицы ампер. При включении дополнительного транзистора с большим допустимым коллекторным током удается поднять выходную мощность стабилизатора. Часто в микросхеме стабилизатора предусматриваются выводы для подключения датчика тока, который отключает стабилизатор, запирая регулирующий транзистор при перегрузках по току и коротких замыканиях. Основные параметры интегральных стабилизаторов напряжения приведены в табл. 22.5 [22.1 ].

В результате переменная составляющая, равная х ~^min). имеет максимум, которому и соответствует максимум кривой характеристики холостого хода и короткого замыкания (см. 1.5,в ). Дальнейшее увеличение тока возбуждения приводит к снижению ЭДС генератора. Поэтому магнитная система в индукторных машинах должна быть слабо насыщена, что приводит к дополнительному увеличению массы генератора, которая на 40-60% выше, чем у генераторов с вращающимися выпрямителями.

При уменьшении напряжения ток в обмотке электромагнита регулятора уменьшается, пружина сжимает угольный столб, ток подмагничивания увеличивается, что приводит к уменьшению индуктивного сопротивления вторичных обмоток компаундирующих трансформаторов, дополнительному увеличению напряжения на обмотке возбуждения и полному восстановлению напряжения до номинального. Основную функцию компенсации возмущения осуществляют компаундирующие трансформаторы, система автоматического регулирования по отклонению выполняет только коррекцию напряжения. Схема автоматического регулирования

1. Увеличение тарифа за счет отклонения фактического режима по сравнению с оптимальным режимом. Дело в том, что первоначально тариф на электроэнергию, отпускаемую с рынка, рассчитывается для системы без учета ограничений по пропускной способности ЛЭП. При этом в работу включаются самые экономичные электростанции. В действительности же фактический режим работы электростанций отличается от расчетного из-за ограничений по передаче электроэнергии от наиболее экономичных электростанций. Это приводит к дополнительному увеличению тарифа, предназначенному для компенсации потерянной прибыли наиболее экономичных, но не загруженных из-за ограничений электростанций.

Покажем, каким образом обеспечивается выполнение этого требования. Поднесущая частота приводит к дополнительному увеличению (например, во время положительных полуволн) или уменьшению (во время отрицательных полуволн) яркости черно-белого изображения. При условии (3.23) вдоль строки укладывается нецелое число (я+1/2) периодов (нечетное число полупериодов) поднесущей частоты, что приводит к изменению на 180° ее фазы от строки к строке. Благодаря нечетному числу строк в кадре фаза поднесущей частоты изменяется и от кадра к кадру.

работы ОУ всегда имеют место паразитные эффекты и паразитные элементы, которые могут приводить к дополнительному увеличению сдвигов фазы по петле ОС и нарушать устойчивое состояние ОУ, особенно если скорость

При малых токах основной вклад дает 1-й член (падение напряжения на ОПЗ р-п перехода). С ростом тока падение напряжения на сопротивлении базы сначала увеличивается пропорционально току / за счет ЭДР (2-й член), а затем квадратично возрастает с током (~/2) из-за усиления Оже-рекомбинации при высокой концентрации дырок (4-й член). Неучтенное в выражении (1.143) явление спада коэффициента инжекции при больших токах приводит к дополнительному увеличению падения напряжения на сопротивлении базы.

напряжение U обращается в нуль (U — 0) и обмотка / автотрансформатора замыкается накоротко (t/j = 0). Одновременно напряжение на обмотке 2 автотрансформатора возрастает от (72 ДО U't что приводит к дополнительному увеличению токов короткого замыкания.

ния s (примерно в -^-__ м раз], дополнительному увеличению потерь и

увеличении п. д. с. одного из них, например вследствие увеличения скорости вращения приводного двигателя, увеличивается ток этого генератора и увеличенная намагничивающая сила обмотки последовательного возбуждения приводит к дополнительному увеличению э. д. с. обмотки якоря и это влечет дальнейшее увеличение тока и э. д. с. В результате один генератор будет нагружаться, а второй разгружаться и параллельная работа их становится неустойчивой. Для обеспечения возможности параллельной работы ставится уравнительный провод, соединяющий точки С2 ц С2 присоединения обмоток последовательного возбужде-

Для измерений переменных напряжений на входе цифрового вольтметра постоянного тока устанавливается преобразователь переменного напряжения в постоянное — обычно выпрямительный, что приводит к дополнительному увеличению погрешности измерения и резкому увеличению времени измерения. Последнее объясняется необходимостью сглаживания пульсаций выпрямленного напряжения с помощью фильтров. Показание таких вольтметров пропорционально среднему значению переменного напряжения, а в большинстве случаев необходимо измерять действующее значение. Разработаны цифровые вольтметры переменного тока с использованием преобразователей действующего значения (терморезисторов, термоэлектрических преобразователей и др.), а также ЦИП, основанные на методе дискретного уравновешивания по действующему значению [75].

Если в непосредственной близости друг от друга расположено несколько проводников с переменными токами и каждый из них находится не только в собственном переменном магнитном поле, но и в магнитном поле друг"их проводников, то распределение переменного тока в каждом проводнике будет несколько отличаться от того, которое имело бы место, если бы этот проводник был уединен. Этот эффект носит наименование эффекта близости. Он приводит к дополнительному увеличению активного Сопротивления проводников.