Дополнительных пояснений

В справочниках указывается ряд дополнительных параметров, которые используются при выборе и расчете схем с детекторными диодами СВЧ: /?вых — выходное сопротивление диода; Ртах, ^итах — максимально допустимые мощности, рассеиваемые диодом в Длительном и импульсном реябшах.

Система АРВ с .д. Она позволяет поддержать постоянство напряжения во всем рабочем диапазоне изменения мощности вплоть до РмаКсС/Г = const ( 10.1,6, точка 7). В этом случае установка больших коэффициентов по напряжению (Кои & ж 100 и более) не влечет за собой самораскачивание, так как в регуляторе приняты специальные меры стабилизации (регулирование по ряду дополнительных параметров, включающих первую и вторую производные от регулируемой величины). Следовательно, в схеме замещения системы генератор с АРВ с.д. должен быть замещен параметрами хг = 0, Ur = const. Разница между максимальными мощностями ^Я'дмакс и РЕ1>иакс тем больше, чем больше xd — х/ и меньше сопротивление связи хс.

Дополнительные параметры служат для характеристики специфических отличий конкретного импульса, описания его «тонкой» структуры. Число этих параметров и даже состав зависят от формы рассматриваемого импульса. Так, для импульсов, по форме близких к прямоугольным, в 1.12 качестве дополнительных параметров ис-

Так для импульсов, по форме близких к прямоугольным, в качестве дополнительных параметров используют длительность фронта импульса, длительность среза импульса, коэффициент спада вершины, амплитуду и длительность послеимпульсного выброса, иногда сопутствующего импульсу при его формировании или передаче, коэффициент колебательной составляющей, иногда накладывающейся на импульс.

Строгий анализ процессов в релаксационных автоколебательных системах встречает ряд затруднений математического характера. Они объясняются отсутствием регулярных методов решения нелинейных дифференциальных уравнений и неприменимостью имеющихся приближенных методов — таких, как квазилинейный метод (здесь уже нельзя пренебрегать высшими гармониками). Кроме того, нельзя анализировать действительное поведение системы во время скачка, без учета дополнительных параметров схемы — межэлектродных емкостей, сопротивлений утечек и пр., а это приводит чаще всего к повышению порядка уравнения. Рис g 16 Изменение формы

Этот прием анализа процессов получил название метода разрывной трактовки. Часто такой метод позволяет не только выяснить основные черты процесса, но и получить количественные соотношения, хорошо согласующиеся с опытом. Разрывная трактовка процесса предполагает обычно идеализацию скачков, т. е. та или иная координата в системе (ток, потенциал или их производные) может мгновенно изменить свое значение на конечную величину, но безусловно так, что энергия, запасенная в системе, при этом сохранится неизменной. При необходимости можно иногда вычислить реальный ход процесса во время скачка учетом дополнительных параметров схемы.

Анализируя данные статистической обработки результатов испытаний, следует иметь в виду, что наблюдаются случаи, когда в окрестности точки минимальной дисперсии имеется область небольших изменений дисперсии, что позволяет без заметной потери точности расчета долговечности использовать набор искомых коэффициентов уравнения. В таких случаях, исходя из кинетической концепции процесса разрушения твердых тел, следует отдавать предпочтение тому решению системы линейных уравнений, в котором значение коэффициента, отражающего энергию активации разрушения, представляет лучшее приближение к величине энергии сублимации, т. е. благодаря введению дополнительных параметров в уравнение (3.28) коэффициент UQ будет соответствовать энергии сублимации матрицы сплава. Следовательно, дополнительным критерием при определении оптимального решения служит коэффициент b уравнения (3.29).

рационального размещения поверхности теплообмена в объеме испарителя и получения на выходе заданной влажности пара необходимо рассчитывать ряд дополнительных параметров. Среднее объемное паросодержание на стабилизированном участке двухфазного слоя фст и влажность пара на внешней границе парового объема ш определяются по формулам, справедливым для многих теплоносителей в широком диапазоне изменения тепло-физических свойств [4.7—4.8]:

Для статических индукционных транзисторов система приводимых предельных и характеризующих параметров имеет существенный разброс, зависящий от паспортных данных фирм-изготовителей, и не регламентирована на отечественные приборы. Наиболее полно данные ключи могут быть охарактеризованы системой параметров, применяемой для мощных полевых транзисторов (МДП, IGBT), дополненной специальными параметрами, отражающими возможность переключения в биполярный режим. Система дополнительных параметров для СИТ представлена в Табл. 3.3.

у Таблица 3.3. Система дополнительных параметров ОПТ

При подключении измерительного преобразователя Urp устанавливается реостатом для напряжения питания (в случае HLS) или для коэффициента усиления (в случае HLA). Для того чтобы можно было рассчитать ?/гр, должен быть по возможности точно известен или рассчитан ряд дополнительных параметров, которые автоматически учитываются при сквозной градуировке.

1 Здесь и далее при отсутствии дополнительных пояснений теплом для краткости называется совокупность обои* видов энергии: тепловой и электрической,

Сравнивая амплитуду исследуемого напряжения с амплитудой напряжения, отсчитанного по шкале калиброванного потенциометра (с учетом коэффициента деления делителя напряжения), можно измерить величину напряжения, подаваемого на вертикальный вход Y осциллографа. Измерение с помощью осциллографа амплитуды напряжения и длительности исследуемого процесса не требует дополнительных пояснений.

гашения поля. Работа структурной схемы модели очевидна и не требует дополнительных пояснений.

Если для подачи сигнала между двумя базами это выражение очевидно, то для подачи сигнала между базой одного транзистора и общей шиной оно требует дополнительных пояснений. При подаче входного напряжения между базой и общей шиной в базе этого транзистора потенциал изменяется на At/BX, что, как было показано выше, вызовет появление в эмиттере изменения потенциала той же полярности на величину At/BX/2, т. е. разность потенциалов между базой и эмиттером станет вдвое меньше и входной ток первого каскада соответственно уменьшится вдвое, а это эквивалентно увеличению вдвое входного сопротивления.

случаях к заметному повышению температуры распая, т. е. позволяет эксплуатировать паяное соединение при температуре выше температуры пайки. Магнитные поля используются при пайке материалов с особыми магнитными свойствами. В целом влияние электрических и магнитных полей на качество пайки мало изучено. Виды пайки различают по признакам: по условию заполнения зазоров — капиллярная и нека-пиллярная; по температуре пайки — высокотемпературная и низкотемпературная; по используемой технологической среде — обычная воздушная среда, среда нейтральных защитных газов, среда активных газов, вакуум; по способу расплавления припоя и нагреву заготовок — паяльником, в печах, в соляных ваннах, волной припоя, контактным нагревом, газовыми горелками, электронным лучом и др.; по строению паяного соединения и механизму его образования — бездиффузионная, растворно-диффузионная, контактно-реакционная, диспергированная и др. Сущность видов пайти по перечисленным признакам не требует дополнительных пояснений, кроме видов по последнему признаку.

Процесс усиления мощности требует дополнительных пояснений. Энергия, поступающая на вход усилителя мощности (на вход четырехполюсника 15.10, а), доставляется находящимся вне четырехполюсника источником сигнала и расходуется на управление режимом работы нелинейного сопротивления, входящего в состав четырехполюсника.

Условие отсутствия полюсов К(р) в правой полуплоскости для устойчивых четырехполюсников не требует дополнительных пояснений. Требование же отсутствия нулей в правой полуплоскости, а также смысл термина «минимально-фазовый четырехполюсник», будут пояснены в следующем параграфе.

Дополнительных пояснений к схеме не требуется, так как отдельные ее элементы подробно были рассмотрены ранее, в § 6.1. Следует лишь обратить внимание на то, что в примененной микросхеме использованы транзисторы п — р — п, поэтому полярность источника питания берется обратной по сравнению с полярностью на схеме 6.1, б.

Примерами балансного усилителя и эмиттерного повторителя, приводившихся в §§ 6.5, 6.9 ( 6.11 и 6.24), являются микросхемы, показанные на 6.28, а и в. Не требуется дополнительных пояснений, чтобы убедиться в эквивалентности этих схем упомянутым выше при соединениях, изображенных на 6.28, б и г.

6.34. В §3.3 подробно проиллюстрирован порядок составления уравнений по методам узловых напряжений и контурных токов резистивных цепей, поэтому запишем эти уравнения для резистив-ной цепи схемы ( 6,14, а) без дополнительных пояснений:

Вариантом схемы ПНК, основанной на принципе последовательного счета, является также известная схема с промежуточным преобразованием напряжения во временной интервал и последующим преобразованием этого интервала в код 120]. Эта схема отличается от схемы на 3.41 тем, что в ней вместо ПНК используется аналоговый генератор линейно изменяющегося напряжения (ГЛИН), который запускается в момент начала преобразования /„. Работа этой схемы полностью аналогична работе схемы на 3.41 и не требует дополнительных пояснений. Ее существенная особенность заключается в том, что роль эталонного напряжения в ней играет выходное напряжение ГЛИН. В связи с этим к выходному напряжению ГЛИН предъявляются высокие требования линейности и стабильности. Поэтому сфера применения таких схе-м ограничена в связи с появлением

Для формирования стробов ввода и вывода используются напряжения с выхода дешифратора, управляемого тремя разрядами адресной шины, сигналы «Ввод» и «Вывод» с выхода регистра состояния МП, а также выходные сигналы МП «Прием» и «Выдача». Логика формирования этих сигналов приведена на 10.6 и не требует дополнительных пояснений.