Действием градиента

На промысловых насосных установках применяют центробежные, поршневые и роторные насосы. В центробежных насосах жидкость подается в результате засасывания ее на рабочие лопатки быстро вращающегося рабочего колеса с выбросом в спиральную камеру под действием центробежной силы. Из спиральной камеры, пройдя напорную задвижку и обратный клапан, жидкость поступает в напорный трубопровод. В начале работы центробежный насос не может засасывать жидкость, так как из-за малой плотности воздуха, заполняющего насос, центробежная сила оказывается недостаточной для выброса воздуха в нагнетательный трубопровод и создания нужного разрежения.

Схема центробежного насоса приведена на 35. Насос расположен на расстоянии Z\ от уровня жидкости, находящейся в приемном резервуаре. Перед запуском насос и всасывающая труба 4 должны быть заполнены перекачиваемой жидкостью, после чего включают двигатель, приводящий во вращение колесо 2. Жидкость, вращаясь вместе с колесом, под действием центробежной силы отбрасывается к периферии, заполняет спиральную камеру 3 и по нагнетательному трубопроводу / поднимается на высоту Z2. При этом

Основной частью центробежного вентилятора ( 38, а) является колесо с рабочими лопатками /, помещенное в улиткообразный спиральный кожух 2. При вращении рабочего колеса газ или воздух, находящийся в рабочем пространстве вентилятора, вращается вместе с ним и отбрасывается под действием центробежной силы к его периферии. Отделившись от колеса, газ поступает в спиральную камеру и далее — в нагнетательный патрубок. При движении газа от центра колеса к его внешней части возникает разряжение. В результате этого новая часть газа (воздуха) под действием внешнего (атмосферного) давления поступает в центральную часть колеса, закручивается и процесс повторяется.

Расчет крепления полюса при помощи болтов. Число болтов для крепления полюса пг, выбирается не менее двух. Для того чтобы не происходило удлинение болтов под действием центробежной силы при вращении ротора, болты ставят с предварительным натягом, который превышает центробежную силу на 20%.

Фотолитография. Как следует из изложенного, в процессе изготовления ИМС необходимо избирательно обрабатывать отдельные участки поверхности кристалла. Для создания защитного рисунка используют фотолитографию. Сущность этого процесса состоит в следующем. На поверхность кремниевой пластины наносят несколько капель специального вещества —- фоторезиста, чувствительного к действию ультрафиолетового света Пластины с фоторезистом помещают на вращающийся стол центрифуги. Под действием центробежной силы слой фоторезиста растекается, образуя тонкую равномерную пленку, после чего пластины просушивают. На пластину накладывают специальный фотошаблон с рисунком участков, которые впоследствии должны быть обработаны. Фоторезист засвечивается через фотошаблон ультрафиолетовым светом и пластина с фоторезистом подвергается специальной обработке, в результате которой фоторезист удаляется с участков поверхности, которые должны быть обработаны, а отдельные участки поверхности кристалла остаются покрытыми слоем фоторезиста, устойчивым к действию определенных химически активных веществ. Таким образом на поверхность кристалла наносится защитная маска.

циркуляция атмосферы происходит главным образом из-за вращения Земли, при котором под действием центробежной силы инерции воздушные массы отбрасываются в районе экватора в верхние слои атмосферы. На место ушедших масс воздуха с севера и юга подтекают новые воздушные слои. Следует сказать, что теория Гельмгольца не объясняет полностью циркуляцию атмосферы. Например, в ней не нашел отражения тот факт, что постоянные морские течения увлекают с собой воздушные массы. Для полного представления об атмосферной циркуляции потребуется проведение более глубоких экспериментальных и теоретических исследований. Помимо постоянных движений воздушных слоев существуют периодические движения воздуха с моря на сушу и обратно в течение суток (бризы) и года (муссоны). Происхождение бризов и муссонов обусловлено различными нагреваниями воды и суши вследствие их различной теплоемкости.

Наибольшее распространение в промышленности получил способ центрифугирования. При включении центрифуги фоторезист растекается по поверхности подложки под действием центробежной силы. Слой фоторезиста толщиной h на границе с подложкой формируется за счет уравновешивания этой силы и силы сопротивления, зависящей от когезии молекул фоторезиста:

При центрифугировании на подложку наносят каплю фоторезиста и помещают в центрифугу. Под действием центробежной силы фоторезист равномерно и плотно (без пузырьков и щелей) распределяется по всей поверхности.

Постоянные воздушные течения к экватору со стороны северного и южного полушарий образуют систему пассатов. Изучением природы возникновения постоянных воздушных течений занимались многие выдающиеся исследователи. Астроном Галилей впервые точно описал воздушные течения в северном и южном полушариях и объяснил их возникновение в 1686 г. По его предположению, в районе экватора происходит более интенсивное нагревание воздуха, который устремляется вверх, а со стороны севера и югп подтекают более холодные потоки воздуха. Как было впоследствии показано, такой эффект существует, по он играет вспомогательную роль по сравнению с эффектом вращения Земли. Астроном Гад-лей в 1735 г. указал, что вращение Земли оказывает главное влияние на образование пассатов. Заслуга в разработке теории зональных движений слоев воздуха принадлежит Гельмгольцу. Он показал, что общая циркуляция атмосферы происходит главным образом из-за вращения Земли, при котором под действием центробежной силы инерции воздушные массы отбрасываются в районе экватора в верхние слои атмосферы. На место ушедших масс воздуха с севера и с юга подтекают новые воздушные слои. Следует сказать, что теория Гельмгольца не объясняет полностью циркуляцию атмосферы. Например, в ней не нашел отражения тот факт, что постоянные морские течения увлекают за собой воздушные массы. Для полного представления об атмосферной циркуляции потребуется проведение большого числа экспериментальных и теоретических исследований.

В центробежном насосе ( 9-3) >сидкость движется от центра колеса к периферии. При вращении раоочего колеса на жидкость, находящуюся в межлопастных каналах, действует центробежная сила. Под действием центробежной силы жидкость выбрасывается в спиральную камеру, переходящую в напорный патрубок. Напор, создаваемый насосом, возрастает при увеличении частоты вращения рабочего колеса.

давление, более всего соответствующее характеристикам вентиляционных систем электрических машин, и пригодны для реверсивных машин. Принцип действия центробежного вентилятора заключается в том, что при вращении колеса с лопатками воздух, находящийся между лопатками, под действием центробежной

Электроны 4е" поступают к катоду через сопротивление Rn нагрузки ТЭ. Полученная вода (Н2О)„ под действием градиента концентрации возвращается к аноду. Две молекулы воды (2Н2О). образовавшиеся в элементарном акте результирующей реакции, необходимо отводить из зоны реакции. Отвод воды осуществляется дренажным устройством. При работе ТЭ гель в ИОМ иод влиянием воды набухает и находится, как указывалось, в квазитвердом состоянии.

те в генераторном (разрядном) режиме. При электролизе (зарядном режиме) эта масса снабжает водой электроды до тех пор, пока раствор электролита не становится высококонцептри-рованным, а асбест достаточно осушенным. Перенос воды осуществляется ее диффузией в жидком состоянии под влиянием градиента концентрации и перемещением паровой фазы под действием градиента давления, причем второй механизм переноса преобладает в диапазоне рабочих температур Г=373 -н 433 К. Местоположение жидкой фазы внутри РТЭ регулируется капиллярными силами, которые намного превосходят гравитационные воздействия. Это обстоятельство облегчает применение данного РТЭ в условиях невесомости на КЛА [1.7].

эпитаксиальных слоев заданной толщины и типа электропроводности. Фотолитография служит для травления окон в пассивирующем слое диоксида кремния на поверхности полупроводниковой пластины, через которые осуществляется локальное легирование полупроводниковой подложки. Диффузия является наиболее широко распространенным методом легирования и представляет собой перемещение атомов примеси в полупроводниковую подложку под действием градиента их концентрации при высокой температуре. В результате диффузии формируются области с различными типами электропроводности, образующие /о-п-переходы. Нанесение тонких диэлектрических пленок производится путем термического окисления поверхности кремниевой подложки или методом осаждения (этим методом наносятся также и металлические пленки).

Движение носителей заряда в полупроводнике в общем случае обусловлено двумя процессами: диффузией под действием градиента их концентрации и дрейфом под действием электрического поля. Полный ток состоит из че-

Движение носителей заряда в полупроводнике в общем случае обусловлено двумя процессами: диффузией под действием градиента их концентрации и дрейфом под действием электрического поля. Полный ток состоит из четырех составляющих. Запишем выражение для его плотности:

параметров рассмотрим важнейшие физические процессы, протекающие в транзисторной структуре при смещении р-я-переходов. В нормальном режиме работы транзистора на один из его р-я-пе-реходов со стороны эмиттера подается прямое напряжение смещения, а на другой со стороны коллектора — обратное, как показано на 2.7, на котором изображена идеализированная структура транзистора типа я-р-я, не содержащая пассивных областей. При рассмотрении принципа работы транзистора и выводе основных соотношений будем предполагать, что неосновные носители заряда распространяются в активных областях транзисторной структуры только под действием градиента их концентрации.

Внутри базовой области транзистора, изготовленного методом двойной диффузии, возникает сильное электрическое поле, обусловленное действием градиента примесной концентрации. Поэто-

Предположим, что к одному из электродов (истоку или приемнику) приложено напряжение записи более отрицательное, чем напряжение хранения, приложенное к другому электроду. В этом случае под первым электродом возникает более глубокая потенциальная яма, а в области, разделяющей потенциальные ямы, создается электрическое поле, параллельное поверхности подложки. Это приводит к процессу переноса дырок в более глубокую потенциальную яму, который осуществляется как за счет дрейфа под действием поля, так и за счет диффузии под действием градиента концентрации неосновных дырок. Процесс переноса дырок представляет собой второй характерный режим работы ПЗС, называемый режимом передачи информационного сигнала.

Диффузионным называют ток, возникающий благодаря направленному перемещению носителей заряда под действием градиента концентрации носителей заряда.

Процесс переноса зарядов может наблюдаться в полупроводниках при наличии электронов в зоне проводимости и при неполном заполнении электронами валентной зоны. При выполнении этих условий и в отсутствие градиента температуры перенос носителей зарядов может происходить либо под действием электрического поля, либо под действием градиента концентрации носителей заряда.

Предположим, что к одному из электродов (истоку или приемнику) приложено напряжение записи более отрицательное, чем напряжение хранения, приложенное к другому электроду. В этом случае под первым электродом возникает более глубокая потенциальная яма, а в области, разделяющей потенциальные ямы, созда-•ется электрическое поле, параллельное поверхности полупроводника. Это приводит к переносу дырок в более глубокую потенциальную яму, который осуществляется как за счет дрейфа под действием поля, так и за счет диффузии под действием градиента концентрации. Плотность тока дырок равна