Добротность резонатора

Наряду с потерями tgS характеризует добротность конденсатора (а следовательно, и максимально возможную добротность контура с данным конденсатором) :

где f — рабочая частота; С — емкость конденсатора; R — сопротивление любого резистора, включенного последовательно с конденсатором. С увеличением этого сопротивления добротность конденсатора уменьшается.

сопротивление подложки невелико, добротность конденсатора, равная 1000, не является предельно большой.

Для характеристики реальных конденсаторов применяется понятие добротности Qc = u>CR. Обратная величина называется тангенсом угла диэлектрических потерь tg 8 = 1 /Qc. Так как добротности QL и Qc соответствуют по определению аргумента ХА тангенсу угла <р, то угол диэлектрических потерь 8 дополняет угол ср до 90°. Таким образом, зависимость (2.17) представляет собой частотную характеристику полной проводимости конденсатора г/д = = YcR, a ее аргумент — добротность конденсатора. Условная граница полосы пропускания в данном случае соответствует соотношению соС==;1/^. При значениях доб-ротности Qc> 10 полная проводимость пропорциональна частоте, и двухполюсник является идеальным емкостным сопротивлением.

ях) добротность конденсатора и тем меньше угол потерь.

Добротность конденсатора 44 •— контура (цепи) 73 Дуальные цепи Ы1 Дюамеля интеграл 258, 271

Чем больше сопротивление г, тем больше (при прочих равных условиях) добротность конденсатора и тем меньше угол потерь.

Ток /, опережает U на 90°, а ток /2 совпадает с U по фазе ( 3.7, д). Угол б называют углом norepb;igf> = \/Qc, гдефс — добротность конденсатора, tg6 зависит от типа диэлектрика и от частоты и изменяется от нескольких секунд до нескольких градусов.

Схема замещения реального конденсатора обычно представляет собой емкость и активное сопротивление, соединенные параллельно. В такой схеме замещения добротность конденсатора

где / — рабочая частота; С — емкость конденсатора; R — сопротивление любого резистора, включенного последовательно с конденсатором. С увеличением этого сопротивления добротность конденсатора уменьшается.

Преимущество МДП-конденсатора заключается в том, что он является неполярным 'и имеет нулевой коэффициент напряжения. Следовательно, к нему может быть приложено напряжение любой полярности, а номинальное значение емкости не зависит от приложенного напряжения. Кроме того, поскольку удельное сопротивление подложки невелико, добротность конденсатора, равная 1000, не является предельно большой.

Из формулы (8.64) следует, что добротность резонатора линейно нарастает с увеличением номера моды. Однако фактически этот рост происходит гораздо медленнее из-за неизбежного увеличения коэффициента ослабления а на больших частотах (при фиксированной длине / резонансная частота тем выше, чем больше номер моды). •

Добротность резонатора определяется формулой

Установлено, что добротность резонатора будет тем выше, чем меньше его поверхность при заданном объеме. Как было отмечено вы-" ше, объемный резонатор является весьма совершенной колебательной системой.

Определим добротность резонатора, считая, что проводимость стенок у> сим/м, магнитная проницаемость ц,1а, гн/м. Предположим для упрощения расчета, что векторы поля в диэлектрике имеют такое же выражение, как и в резонаторе без потерь. Так же, как и при исследовании волноводов, будем считать, что ток равномерно распределен в

Добротность резонатора 262 Дуальная цепь 67

Добротность резонатора определяется формулой

Установлено, что добротность резонатора будет тем выше, чем меньше его поверхность при заданном объеме. Как было отмечено выше, объемный резонатор является весьма совершенной колебательной системой.

Определим добротность резонатора, считая, что проводимость стенок у, сим/м, магнитная проницаемость ца, гн/м.

— — — резонаторе 225 Добротность резонатора 228 Ёмкость двухпроводной линии 46

где Q — добротность резонатора. Погрешность отсчета 6/j = г- -п А/, где dfldl — зависимость изменения частоты резо-

Кроме рассмотренной конструкции, которая обеспечивает связь резонатора с падающими волнами с одного основания образца, возможна также двусторонняя конструкция, в которой возбуждение резонатора происходит одновременно с двух оснований. На длине образца 1Р в этом случае укладывается целое число полуволн. Из-за увеличения связи резонатора с падающими волнами внешняя добротность резонатора уменьшается н кривая 95г,з идет более полого ( 4.11, кривая II).