Дальнейшим развитием

Одиннадцать лет, прошедших с момента выхода второго издания книги (1969 г.), ознаменовались дальнейшим повышением требований к качеству электроизоляционных материалов и изделий, совершенствованием средств измерительной и испытательной техники, стандартизацией новых методов и средств испытаний. Подготовка высококвалифицированных специалистов по специальности «Электроизоляционные материалы и изделия» невозможна без учета новейших достижений. В связи с этим третье издание книги было значительно переработано и дополнено. В то же время сокращение объема книги потребовало исключения некоторых разделов, • хотя и представляющих интерес для специалистов, но не входящих непосредственно в программу курса.

В настоящее время перед радиовещанием стоит ряд серьезных проблем, связанных с дальнейшим повышением качества передач, переходом на стереофонию и т. п. Для радиосвязи и радиовещания, как и для других отраслей радиотехники, актуальной проблемой остается борьба с радиопомехами. Для повышения помехоустойчивости радиолиний любого назначения надо, в частности, изыскивать наиболее эффективные способы кодирования информации. При этом следует учитывать, что не всякую информацию полезно передавать по линиям связи. Изысканию наиболее эффективных способов ко-

ные атомы ионизированы. Поэтому изменение удельного сопротивления связано только с зависимостью \лр = \JLP(Т), которая при малых концентрациях примесных атомов определяется рассеянием основных дырок на тепловых колебаниях атомов кристаллической решетки. При более высоких концентрациях атомов акцепторной примеси существенным становится их влияние на подвижность дырок. В области температур, для которой справедливо условие Pi ж Na, знак температурного коэффициента сопротивления резистора может измениться на отрицательный. При р, < jVa коэффициент TK.R с дальнейшим повышением температуры всегда остается отрицательным.

При давлениях выше 107 Па наблюдается сублинейная зависимость скорости роста от давления, что связано с возрастанием роли конкурирующего процесса - растворения оксида в водяном паре. С дальнейшим повышением давления появляется вероятность травления кремния водяным паром. Предельные значения давления и температуры водяного пара, отделяющие область роста оксида от области травления кремния, приведены в табл. 8.6.

Тепловой пробой р-и-перехода происходит вследствие вырывания валентных электронов из связей в атомах при тепловых колебаниях кристаллической решетки. Тепловая генерация пар «электрон — дырка» приводит к увеличению концентрации неосновных носителей заряда и росту обратного тока. Увеличение тока сопровождается дальнейшим повышением температуры. Процесс нарастает лавинообразно, происходит изменение структуры кристалла и переход необратимо выходит из строя. Если же при возникновении пробоя ток через ^-«-переход ограничен сопротивлением внешней цепи и мощность, выделяемая на переходе, невелика, то пробой обратим.

С дальнейшим повышением чг!стоты рост k замедляется, так

Из рассмотрения выходных (коллекторных) характеристик видно, что достаточно приложить очень небольшое напряжение UK3, чтобы ток 1К достиг величины, определяемой числом носителей заряда (дырок или электронов), инжектированных эмиттером и прошедших через базу. Некоторое увеличение тока /к, вызванное дальнейшим повышением напряжения ?/кэ при /&—const, объясняется эффектом модуляции (изменения) толщины базы. Модуляция толщины базы в транзисторе происходит при изменении напряжения

Для высокоомного кремния при Na~^>pi коэффициент 1KR является положительным в диапазоне рабочих температур полупроводниковой ИМС. Это объясняется тем, что в указанных пределах изменения температуры и концентрации почти все атомы примеси ионизированы. Поэтому изменение удельного сопротивления связано только с зависимостью \ip-\ip (Т), которая при малых концентрациях примеси определяется рассеянием основных дырок на тепловых колебаниях атомов кристаллической решетки. При более высоких концентрациях атомов акцепторной примеси существенным становится их влияние на подвижность дырок. В области температур, для которой справедливо условие pi^Na, знак температурного коэффициента сопротивления может изменяться на отрицательный. При pi
Электронный частотомер 43-7, например, может использоваться для ишерений частоты в пределах 10 Гц — 500 кГц (12 поддиапазонов) при значениях входного напряжения от 0,1 до 200 В. Погрешность прибора ±1,5% в диапазоне до 100 кГц и увеличивается до ±2% с дальнейшим повышением частоты.

Третий период (1946—1953 гг.) ознаменовался дальнейшим повышением энерговооруженности самолетов, совершенствованием их аэродинамических форм и значительным увеличением потенциальных возможностей авиационной техники. В авиации дальнего и сверхдальнего действия получили распространение особо мощные и экономичные поршневые двигатели. Основу гражданской и спортивной авиации к этому времени составили усовершенствованные двухмоторные самолеты, многоцелевые легкие одномоторные самолеты, средние и тяжелые вертолеты. Самолетный парк ВВС обновлен реактивными самолетами-бомбардировщиками среднего и большого радиусов действия с дозвуковыми скоростями полета, гидросамолетами и реактивными самолетами-истребителями со стреловидными крыльями и оперением (на истребителях этой группы к 1948 г. была достигнута, а в 1950 г. превышена в полете скорость звука). Наконец, в 1956 г. на внутренних и международных гражданских авиалиниях началась эксплуатация первых в мире реактивных пассажирских самолетов Ту-104.

0,04 мм рт. ст.). При этих давлениях начинают существенно сказываться уже и потери энергии ионами, идущими к мишени, при соударениях с атомами газа, так как длина пробега иона составляет соответственно 0,5—0,2 см. С дальнейшим повышением давления уменьшается, таким образом, не только газовое усиление, на и средняя энергия ионов, бомбардирующих мишень. С ростом давления газа в напылительной камере уменьшается, естественно, и длина свободного пробега распыленных атомов, что приводит к их рассеянию обратно на мишень и в стороны. Поэтому, несмотря на: то, что подложку располагают вблизи мишени, ее достигает все меньшее число атомов.

Дальнейшим развитием конструкции этого экскаватора является роторный траншейный экскаватор ЭТР231А. Роторный траншейный экскаватор ЭТР231А оснащен двигателем внутреннего сгорания трактора Т-130, вращающим генератор ГСС 104-4, 250 кВ'А, 1500 об/мин. Привод механизма хода осуществляется через коробку передач асинхронным двигателем А02 (40 кВт, 980 об/мин). Для привода ротора служит асинхронный двигатель АОП2 (100 кВт, 930 об/мин), работающий через двухскоростиой редуктор и реечные зацепления.

Дальнейшим развитием задачи по оптимизации условий использования автоматизированного агрегатного сборочного оборудования является определение предпосылок и объема переналадок в пределах одной базовой компоновки сборочного АСТО.

В соответствии с дальнейшим развитием нефтяной и газовой промышленности в течение ближайших лет произойдут качественные изменения в буровом электрооборудовании. Эти изменения будут заключаться во внедрении регулируемых электроприводов основных механизмов на базе широкого применения полупроводниковой техники, электронных вычислительных машин и микропроцессоров.

Дальнейшим развитием систем регулирования частоты электромашинных преобразователей с использованием энергии высших гармоник поля является устройство регулирования с использованием пьезоэлектрического трансформатора в качестве измерительного органа частоты. Это позволяет добиться независимости параметров измерительного органа напряжения от внешних факторов, снизить массу и габариты устройства регулирования, а также повысить надежность[50].

Дальнейшим развитием специализированных под узкие тематические направления УСО является создание на базе ЭВМ интерфейсных модулей, специальной периферии измерительных приборов и датчиков и специального программного обеспечения измерительно-вычислительных комплексов (ИВК) и автоматизированных рабочих мест (АРМ). Примером ИВК могут служить ИВК-3 и ИВК-8.

Транзисторно-транзис торная логика (ТТЛ). Данные логические микросхемы (3.7) явились дальнейшим развитием схемы диодно-тран-зисторной логики. Они строятся на основе многоэмиттер-ных транзисторов, каждый из которых имеет обычно от двух до восьми эмиттеров, что соответствует логическим элементам И — НЕ с числом входов от двух до восьми. Если заменить р — п-переходы, входящие в структуру многоэмиттерного транзистора, эквивалентными диодами, электрическая схема практически совпадает с предыдущей схемой ДТЛ и будет работать аналогично. Интегральные микросхемы ТТЛ-типа имеют более высокое быстродействие по сравнению с ДТЛ и более экономичны. Это наиболее широко используемый в настоящее время в простых логических микросхемах тип логики, на ТТЛ-схемы приходится более 50% общего производства логических микросхем. Примером могут служить серии К106, К130, К133, К155.

Интегральная инжекционная логика (И2Л) является дальнейшим развитием логических устройств на базе биполярных транзисторов ( 3.8). Особенностью ее является совмещение коллекторной области инжек-ционной части (транзистор Т1) с базовой областью переключающего транзистора Т2 и базы инжектора — с эмиттером переключающей части схемы. Оба транзистора (Т1, включающий области рг — пх — pz, и Т2, включающий области пг — /?2 — п2) могут быть изго-

Плавающие кольца. Стремление уменьшить протечки через уплотнение с радиальным зазором привело к созданию конструкций уплотнения с радиальной щелью, в которых щель может быть сделана меньше, чем возможные радиальные биения вала. Это стало возможным потому, что втулки не стали жестко фиксировать относительно корпуса и она получила возможность радиально смещаться и, таким образом, «отслеживать» биение вала. Однако длинная втулка, как уже указывалось выше, чувствительна к перекосам и прогибам вала, поэтому дальнейшим развитием этой конструкции явилось разделение втулки на отдельные кольца, каждое из которых способно смещаться в радиальном направлении (см. 7.37). Благодаря малой длине кольца менее чувствительны к перекосам и прогибам вала. Эти конструкции уплотнений с радиальной щелью получили в литературе название «плавающих» или самоустанавливающихся.

Направление дальнейшего развития электронных измерительных приборов в настоящее время связывается с использованием больших интегральных схем (БИС) и дальнейшим развитием микроэлектроники.

цилиндрического УГ с неравномерным воздушным зазором между ротором и статором. В пазах ротора расположена обмотка якоря, стержни которой выведены на контакт.ie кольца. Щеточные ПК соединяют группы стержней последовательно в соответствии со схемой 5.7, в, чтобы повысить напряжение якоря. В режиме разряда при прохождении непосредственно под зубцами статора (в зоне с наибольшей индукцией поля возбуждения В5тах) стержни имеют максимальную наведенную ЭДС. Если стержни движутся между зубцами, то их ЭДС' в пределах всей впадины практически близка к нулю. Таким образом, в случае неизменной частоты вращения п ротора частота напряжения на выводах обмотки якоря равна /=zc/j, причем zc — число зубцов статора. Форма периодических униполярных напряжений (T=\/f) показана на осциллограмме 5.7, г. Подобные УГ изготавливают на частоту /= 800 Гц при « = 50 об/с [5.20]. Амплитуда напряжения якоря УГ составляет 20—80 В, средний ток порядка 102 А. Дальнейшим развитием данных устройств служит У Г с коллекторным якорем, который позволяет повысить напряжение, уменьшить массу и габариты машин [5.21].

Агрегатирование является дальнейшим развитием метода унификации и состоит в том, что выделяются и конструктивно оформляются в виде самостоятельных изделий функциональные части и сборочные единицы, которые могут быть применены в различной ЭА.