Динамическое равновесие

зации набора данных и с помощью различных методов осуществляют операции обмена информацией между ОЗУ и ВУ. Программы управления задачами осуществляют динамическое распределение ресурсов между конкурентными задачами непосредственно в процессе их выполнения.

Сегментные регистры позволяют осуществлять динамическое распределение памяти, необходимое для реализации мультипрограммного (многозадачного) режима работы МП (см. гл. 13). Перемещение программ и данных в памяти производится простым изменением сегментных адресов в сегментных регистрах.

Динамическое распределение памяти осуществляется между программами в ходе самого вычислительного процесса.

Эффективное распределение ресурса памяти между программами не может быть статическим, т. е. не может производиться предварительно до пуска программы. В процессе обработки программ потребности в ресурсе памяти отдельных программ изменяются, что заранее не может быть учтено. Необходимо распределять память между программами динамически непосредственно в ходе вычислительного процесса, т. е. осуществлять динамическое распределение памяти. При этом должна обеспечиваться возможность независимой работы программистов над своими программами, подлежащими мультипрограммной обработке. Динамическое распределение памяти не должно приводить к дроблению ее свободного пространства — фрагментации памяти, затрудняющему ее использование. Это достигается организацией одноуровневой виртуальной памяти, допускающей адресацию на все адресное пространство. Размер его определяется количеством разрядов, которые могут быть использованы для представления адреса.

14.5. Динамическое распределение памяти. Организация виртуальной памяти

Виртуальная память есть способ организации памяти мультипрограммной вычислительной системы, при котором достигается гибкое динамическое распределение памяти, устраняется ее фрагментация и создаются значительные удобства для работы программистов. Это удается достигнуть без заметного снижения

Основными принципами построения отказоустойчивых комплексов на основе автоматической реконфигурации являются многоустройственность (в том числе многопроцессорность), общие поля процессоров, оперативной памяти, каналов и периферийных устройств, динамическое распределение функций между однотипными устройствами.

Динамическое распределение функций означает, что программы не привязаны жестко к процессорам, каналам и ПУ. Заранее неизвестно, какое из однотипных устройств будет выполнять данную функцию. Более того, работа может быть начата на одном, продолжена на другом и закончена на третьем устройстве.

Многосвязные интерфейсы позволяют многовходовым устройствам связываться друг с другом по независимым шинам. Динамическое распределение (диспетчирование) программ. В ОП организуются очереди для программ (работ), имеющих различные уровни приоритета. Аппаратура выделяет среди процессоров кандидата на прерывание, которым является процессор, обрабатывающий программу наименьшего приоритета.

ции, чему способствуют модульное построение системы и динамическое распределение ресурсов.

Программы этого пакета производят также необходимые преобразования кодов, контроль правильности передачи с помощью контролирующих кодов, диагностирование терминалов, сбор и обработку статистических данных об ошибках при передаче данных, динамическое распределение памяти при приеме сообщений. Метод теледоступа БТМД не обеспечивает телеобработку с очередями сообщений.

У работающего двигателя динамическое равновесие моментов автоматически восстанавливается при увеличении скольжения, пока тормозной момент на валу меньше максимального вращающего момента двигателя. Но когда тормозной момент достиг значения максимального момента двигателя, тогда при дальнейшем увеличении нагрузки возрастание скольжения будет лишь уменьшать вращающий момент: таким образом, динамическое равновесие, нарушенное увеличением нагрузки, не восстанавливается и вследствие преобладания тормозного момента двигатель останавливаете/, .

лостую, но и под нагрузкой (кривая 1). Когда ротор достигнет заданной скорости (точка b на кривой 1), пусковую фазу отключают. После этого скорость вращения ротора в зависимости от действующего на него момента начнет изменяться в соответствии с участком о — а кривой 2. Процесс пуска двигателя закончится и ротор будет вращаться с постоянной скоростью, когда наступит устойчивое динамическое равновесие вращающего момента и момента сопротивления Мс (точка а пересечения кривой 2 с пунктирной прямой). Пусковую фазу отключают либо вручную кнопочным выключателем, либо автоматически центробежным выключателем. На 19.8 показан внешний вид однофазного двигателя с фазосдвигающим конденсатором С и центробежным выключателем F .

Расширению запирающего слоя препятствуют неподвижные ионы донорных и акцепторных примесей, которые образуют на границе полупроводников двойной электрический слой. Этот слой определяет контактную разность потенциалов (потенциальный барьер) фк на границе полупроводников ( 1.1, б). Возникшая разность потенциалов создает в запирающем слое электрическое поле, препятствующее как переходу электронов из полупроводника п-типа в полупроводник р-типа, так и переходу дырок в полупроводник n-типа. В то же время электроны могут свободно двигаться из полупроводника р-типа в полупроводник n-типа, точно так же как дырки из полупроводника n-типа в полупроводник р-типа. Таким образом, контактная разность потенциалов препятствует движению основных носителей заряда и не препятствует движению неосновных носителей заряда. Однако при движении через p-n-переход неосновных носителей (так называемый дрейфовый ток /др) происходит снижение контактной разности потенциалов фк, что позволяет некоторой части основных носителей, обладающих достаточной энергией, преодолеть потенциальный барьер, обусловленный контактной разностью потенциалов фк. Появляется диффузионный ток /диф, который направлен навстречу дрейфовому току /др, т. е. возникает динамическое равновесие, при котором /ДР=/диф.

Состояние транзистора, при котором отсутствует напряжение на р — n-переходе между эмиттером и базой, называется равновесным ( 6.2, а). В равновесном состоянии на обоих переходах устанавливается динамическое равновесие между потоками дырок и электронов, протекающих в обе стороны. Эмиттер и коллектор транзистора являются низкоомными слоями, а база — высокоомным слоем. В результате потенциалы Ферми эмиттера фрэ и коллектора ФРК лежат вблизи уровней акцепторов, а у базы уровень Ферми расположен вблизи середины запрещенной зоны.

Каждый р — л-переход транзистора можно рассматривать в отдельности при условии, что расстояние между переходами значительно больше диффузионной длины неосновных носителей в средней области. Из-за наличия потенциальных барьеров в равновесном состоянии на р — n-переходах образуется «потенциальная яма», из которой могут выйти лишь те электроны, которые обладают достаточной тепловой энергией, и в равновесном состоянии в обоих переходах устанавливается динамическое равновесие между потоками электронов.

ратура ниже ( 9.1). Этот процесс прекратится, когда установится динамическое равновесие, при котором действие электрического поля препятствует диффузии. Вторая составляющая определяется разностью температур обоих спаев и является результатом изменения положения уровня Ферми в запрещенной зоне. Третья является следствием направленного движения фононов (квантов тепловой энергии) от горячего спая к холодному.

У работающего двигателя динамическое равновесие моментов автоматически восстанавливается при увеличении скольжения, пока тормозной момент на валу меньше максимального вращающего момента двигателя. Но когда тормозной момент достиг значения максимального момента двигателя, тогда при дальнейшем увеличении нагрузки возрастание скольжения будет лишь уменьшать вращающий момент: таким образом, динамическое равновесие, нарушенное увеличением нагрузки, не восстанавливается и вследствие преобладания тормозного момента двигатель останавливается.

У работающего двигателя динамическое равновесие моментов автоматически восстанавливается при увеличении скольжения, пока тормозной момент на валу меньше максимального вращающего момента двигателя. Но когда тормозной момент достиг значения максимального момента двигателя, тогда при дальнейшем увеличении нагрузки возрастание скольжения будет лишь уменьшать вращающий момент: таким образом, динамическое равновесие, нарушенное увеличением нагрузки, не восстанавливается и вследствие преобладания тормозного момента двигатель останавливаете.-..

Процесс адгезионного фильтрования состоит из трех стадий: переноса грубодисперсных примесей из потока воды на поверхность фильтрующего зернистого материала под действием инерционных сил; закрепления их на поверхности зерен под действием сил адгезии (прилипания) и в щелях между зернами; отрыва части задержанных примесей за счет увеличения скорости воды в порах, сечение которых уменьшается по мере увеличения количества прилипших частиц. Так как эти процессы происходят одновременно, то в определенный момент времени устанавливается динамическое равновесие между ними. Верхняя часть фильтрующего слоя из-за насыщения перестанет поглощать примеси, в результате чего в работу включатся следующие (нижележащие) участки фильтрующего слоя. Постепенно насыщение распространяется в глубь слоя и в определенный момент времени (момент «проскока») концентрация грубодисперсных примесей в воде (фильтрате) начнет повышаться. В это время фильтр необходимо вывести из рабочего состояния. Время работы фильтра от начала пропуска воды до момента «проскока» примеси (до заданной ее концентрации в фильтрате) называется временем защитного действия фильтра т.*. д.

Количество свободных электронов и дырок в любом полупроводниковом материале определяется динамикой двух параллельно идущих процессов: генерации новых пар электрон—дырка под действием тепловых колебаний решетки и их рекомбинации при замещении вакантных уровней электронами. При легировании полупроводника с увеличением концентрации основных носителей заряда возрастает роль рекомбинаций, вследствие чего дополнительно снижается количество неосновных носителей. Динамическое равновесие вос-

потенциальных барьера (тонкая линия на 3.3, б) , как и при встречном включении двух диодов. При отсутствии внешних источников результирующие токи через каждый переход равны нулю, так как само поле поддерживает динамическое равновесие при движении основных и неосновных носителей зарядов.