Динамическая характеристика

Динамическая эквивалентная схема транзистора. Биполярный транзистор является инерционным прибором. Его инерционность вызвана конечным временем диффузии неосновных носителей через базу и наличием емкостей коллекторного и эмиттерного переходов (Сн и Сэ). При мгновенных изменениях отпирающего тока базы на /б изменение коллекторного тока не будет мгновенным. Из-за конечного времени диффузии и наличия емкостей переходов коэффициент передачи транзистора по току а и коэффициент усиления по току В являются частотно-зависимыми. Примерный вид зависимости коэффициента а от частоты переменного тока / показан на 3.38. Он

Динамическая эквивалентная схема прибора получается из статической при учете паразитных емкостей прибора — емкости Сзи между затвором и истоком, емкости С30 между затвором и стоком, емкости Сси между стоком и истоком. Значения этих емкостей составляют 1—2 пФ. Эквивалентная схема выключенного прибора показана на 3.47, а, а схема включенного транзистора, работающего при ис < ^спе?. на 3.47, б.

при превышении током уровня /р напряжение на приборе скачком изменяется от Up до Uu- Этот скачок напряжения происходит при токе г — Ip + At, где At — бесконечно малая величина. Можно считать, что скачкообразное изменение напряжения происходит при постоянном токе t = /р, вследствие чего паразитными индуктивностями прибора (например, индуктивностями вывода) можно пренебречь. Однако паразитной емкостью С, шунтирующей выводы прибора, пренебречь нельзя. Динамическая эквивалентная схема прибора с Af-образной в. а. х. показана на 7.4, где С — паразитная емкость между выводами прибора: HP — нелинейный резистор, сопротивление которого определяется из статической эквивалентной схемы на рассматриваемом этапе.

скачка не изменяется. Следовательно, релаксационные генераторы на приборах с 5-образной в. а. х. должны иметь емкостной накопитель энергии. Паразитной емкостью прибора можно пренебречь, так как она оказывается подключенной параллельно большой накопительной емкости и фактически не влияет на характер переходных процессов. Однако необходимо учитывать эквивалентную паразитную индуктивность прибора, вызванную его инерционностью. При скачке тока индуктивность прибора L тормозит его развитие. Из-за этого скачок тока происходит не мгновенно, накопительный конденсатор теряет часть заряда и напряжение на приборе в реальных схемах изменяется (например, при включении уменьшается, отклоняясь от значения ?/вкл). Динамическая эквивалентная схема прибора ( 7.6) содержит нелинейный резистор HP с в. а. х. вида, показанного на 7.5, а, и паразитную индуктивность L.

Динамическая эквивалентная схема запертого диода получается из схемы 3.4, б путем добавления емкости Сак, образованной запертым р-п-переходом ( 3.6). Емкость Сак является нелинейной емкостью, которая в зависимости от технологии изготовления p-n-перехода обратно пропорциональна либо J/Т^Г, либо 1/иак.

Динамическая эквивалентная схема. Биполярный транзистор является инерционным прибором. Его инерционность вызвана конечным

Динамическая эквивалентная схема прибора получается из статической при учете паразитных емкостей прибора — емкости Сзи между затвором и истоком, емкости Сзс между затвором и стоком, емкости. Сси между стоком и истоком. Эквивалентная схема выключенного прибора показана на 3.45, а, а схема включенного транзистора, работающего при wc<^cnepi на Рис- 3.45,6.

Таким образом, динамическая эквивалентная схема входной цепи лампы при

Динамическая эквивалентная схема анодной цепи запертой лампы (при иск< Ego или иак < 0) представлена на 3.57, а. Обычно Свых = Сак.

Динамическая эквивалентная схема прибора с Af-образной в. а. х.

ния ?/вкл). Динамическая эквивалентная схема прибора ( 7.6) содержит нелинейное сопротивление НС с в. а.х. вида, показанного на 7.5, а, и паразитную индуктивность L.

14.12. Частные циклы размагничивания (а) и динамическая характеристика размагничивания (б) МУС при /у > О

6.2. Обобшечная динамическая характеристика

Сказанное может быть также пояснено в-2. В левой части изображена динамическая характеристика сердечника Ф (iw). Кривые магнитного потока Ф (f), создаваемого рабочей обмоткой при отсутствии и при наличии тока iy во входной цепи, обозначены на 6-2 соответственно

Входная динамическая характеристика представляет собой зависимость входного тока от входного напряжения в динамическом 112

а — схема включения; б — динамическая характеристика в семействе статических выходных характеристик; в — входная динамическая характеристика.

В АВМ все переменные представляются в виде непрерывно изменяющихся физических величин (токов и напряжений), изменение которых дает решение задачи. Любая динамическая характеристика воспроизводится с помощью регистрирующего прибора (например, на экране электронного осциллографа). На аналоговых устройствах целесообразно ставить задачи не полностью определенные, постановка которых уточня-

Отложив на соответствующих осях напряжение, равное Ек, и ток, равный EK/RK, через полученные точки проводят прямую AG, называемую нагрузочной прямой. Выходная динамическая характеристика является геометрическим местом точек пересечения нагрузочной прямой со статическими характеристиками. Используя динамическую коллекторную характеристику, можно для любого значения коллекторного тока найти соответствующие значения напряжения на коллекторе и тока во входной цепи /б, которые являются взаимосвязанными. Нагрузочную прямую можно построить так же, проведя прямую линию из точки G под углом гз = arctg /?K.

1.12. Динамическая характеристика / триода (а) и линия нагрузки АВ (б)

Следовательно, динамическая характеристика пересекает статические характеристики. Наклон динамической характеристики /, построенной на семействе анодно-сеточных характеристик, определяет ее крутизну.

Характер изменения анодного тока, вызванного изменением напряжения на сетке, ясен из сопоставления кривой O'a'b'c'd'e'f'g h'i' изменения анодного тока с кривой изменения сеточного напряжения. При уменьшении отрицательного напряжения на сетке анодный ток увеличивается (точки /;', /'), а при увеличении — анодный ток уменьшается (точки d', h'). Кроме постоянной составляющей анодного тока /а0, определяемой напряжением (/С0, появляется переменная составляющая ia = /amsin со/. При этом предполагается, что на рабочем участке QS динамическая характеристика прямолинейна. Таким образом, анодный ток триода в динамическом режиме

Динамическая характеристика тиратрона ( 2.13) сильно отличается от характеристики триода. При значительных отрицатель* ных напряжениях на управляющей сетке скорость электронов недо-