Диффузионные предназначены

Вольт-амперная характеристика для полупроводникового слоя носит более сложный характер из-за влияния пространственного заряда в полупроводнике In/ <~ (U + Uo)Vt, где UD — диффузионный потенциал.

На границе двух растворов вследствие разной активности ионов (разной скорости диффузии) также возникает некоторая разность потенциалов между этими растворами. Это граничный или диффузионный потенциал, значение которого может достигать десятков милливольт. Для уменьшения диффузионной разности потенциалов соединение двух полуэлементов в гальваническую цепь осуществляется с помощью электролитического ключа Ж ( 14.2), представляющего собой сосуд, наполненный концентрированным раствором с возможно близкими по значению подвижностями анионов и катионов, например, КС1.

Погрешность преобразования рН составляет около +0,1...0,2 значения рН. Основными источниками погрешностей являются температурные изменения электродных потенциалов, а также наличие диффузионных потенциалов, возникающих на границе жидкостных контактов растворов, входящих в электрическую цепь преобразователя. В пробах кислот, оснований и солей с концентрацией не более 0,1 моль/л колебания диффузионного потенциала обычно не превышают ±3 мВ, при более высоких концентрациях диффузионный потенциал

Погрешность преобразования рН составляет около +0,1...0,2 значения рН. Основными источниками погрешностей являются температурные изменения электродных потенциалов, а также наличие диффузионных потенциалов, возникающих на границе жидкостных контактов растворов, входящих в электрическую цепь преобразователя. В пробах кислот, оснований и солей с концентрацией не более 0,1 моль/л колебания диффузионного потенциала обычно не превышают ±3 мВ, при более высоких концентрациях диффузионный потенциал

В этой формуле S3, 10 — площадь и толщина эмиттерного перехода; уо — максимальный коэффициент инжекции эмиттера при отсутствии тока рекомбинации; Na(x)—концентрация акцепторов в базе (транзистор л-р-л-типа); Dn?, — коэффициент диффузии электронов неосновных .носителей заряда в базе; т?1Э, трэ — времена жизни электронов и дырок в объеме эмиттерного перехода; х=0, x — = W—границы области базы с эмиттерным и .коллекторным переходами; UD — диффузионный потенциал.

где И в — диффузионный потенциал.

— диффузионный потенциал эмиттерного перехода.

где q - заряд электрона; е - диэлектрическая постоянная; А - площадь перехода; Fp - внутренний (диффузионный) потенциал; Л^0 - полная концентрация ионизованных ловушечных уровней в обедненном слое. В общем случае емкость в момент времени t после подачи импульса напряжения или света С (г) связана с концентрацией ионизованных уровней Nj(t) в момент t следующим уравнением я

В табл. 5.1.1 приведены значения диффузионного потенциала в различных типах солнечных элементов на основе a-Si с р-/-n-переходом. При замене п- и р -слоев на п мк-Si ир a-SiC диффузионный потенциал Vb увели-

Таблица 5.1.1. Диффузионный потенциал и напряжение холостого хода для различных типов солнечных элементов на основе a-Si

Теория, описанная в предыдущем разделе, может быть использована не только для объяснения характерных особенностей солнечных элементов на основе a-Si, но и для оценки произведений подвижности на время жизни (^птп, МрТр) и параметров эффективной поверхностной рекомбинации (Sn, 5p) в реальных элементах. Вычисление этих физических параметров осуществляется на основе анализа спектров эффективности собирания носителей Tj(a, Va), как функции приложенного напряжения смещения Va. На практике лучше обрабатывать нормализованные спектры эффективности собирания 7j(a, Ka)/7j(a, 0), поскольку такая нормализация компенсирует спектральные зависимости оптической системы. Детальный анализ спектров т? (а, ^а)/т?(а, 0) показал, что со стороны низкого поглощения они главным образом определяются величинами M«rn + + грТр и Sn X Sp, а в области более высокого поглощения — отношением ИпТп/ИрТр и параметром эффективной поверхностной рекомбинации на лицевой стороне [11, 13]. Если получены экспериментальные зависимости *?(<*, Ka)/7?(a, 0) по крайней мере для двух приложенных напряжений в областях низкого и высокого поглощения, то могут быть подсчитаны значения ^птп, ^рТр, $п и 5р. Пример такой процедуры показан на 5.1.10 [12]. Для приведенных диаграмм свет падает нар-слой и предполагается, что диффузионный потенциал Vb составляет 0,9 В, а приложенное напряжение смещения Va для измерения нормализованной эффективности собирания носителей равны — 1,0 и 0,4 В. Подобные графики для случая падения света на n-слой можно легко получить только перестановкой индексов п и р на 5.1.10, б. Прежде всего, как можно видеть из 5.1.10, а, экспериментально полученные величины г)(а, Ka)/7j(a,0) в области более слабого поглощения (где a = 1,0 • 104 см'1) используют да определения ИпТп + ИрТр и Sn X5p. Затем, как указывается на< 5.1.10, а рассчитываются значения цптп + МрТр и Sn путем сравнения экспериментальных данных TJ(a, Ka)/7j(a, 0) в области более высокого

Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения с частотой до 5000 Гц.

Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 50 кГц.

Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.

Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.

Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.

Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для применения в высокочастотных выпрямительных и преобразовательных устройствах на частотах до 50 кГц.

Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные. Предназначены для применения в схемах умножения частоты и частотной модуляции.

Диоды германиевые диффузионные. Предназначены для работы в параметрических усилителях в диапазоне волн от 6 до 60 см.

Диоды германиевые диффузионные. Предназначены для работы в параметрических усилителях в диапазоне волн от 3 до 6 см.

Диоды германиевые диффузионные. Предназначены для работы в параметрических усилителях с увеличенной линейностью амплитудной характеристики в умножителях, делителях частоты и модуляторах в сантиметровом и дециметровом диапазонах.

Диоды германиевые диффузионные. Предназначены для применения в переключающих устройствах в диапазоне волн 3 см.