Диаграмма явнополюсного

В качестве примера на 34 приведена диаграмма энергетических уровней иона неодима Nd3+.

Диаграмма энергетических зон гетероперехода изображена на 3.7. Из-за разницы в ширине запрещенных зон у электронного AWi и дырочного Д№2 полупроводников появляется разрыв энергетических уровней в валентной зоне Wv и в зоне проводимости Wc. В результате возникает потенциальный барьер и гетеропереход приобретает выпрямительные свойства. Так же, как и в обычном р — я-переходе, высота потенциального барьера гетероперехода будет изменяться при приложении внешнего напряжения: увеличиваться при обратном и уменьшаться при прямом напряжении.

а — плоская модель; 6 — энергетический спектр электронов атома кремния; в — диаграмма энергетических зон

1.3. Диаграмма энергетических зон:

На 16.7,6 показана диаграмма энергетических зон полупроводника с донорной примесью. В запрещенной зоне вблизи дна зоны проводимости создается разрешенный энергетический уровень (примесный, донорный), на котором при температуре, близкой к О К, располагаются «лишние» электроны. Для перевода электрона с примесного уровня в зону проводимости требуется меньше энергии, чем для переиода электрона из валентной зоны. Расстояние от донорного уровня до дна зоны проводимости называется энергией ионизации (активации) доноров

На 16.8,6 показана диаграмма энергетических зон полупроводника с акцепторной примесью. В запрещенной зоне вблизи потолка валентной зоны создается примесный энергетический уровень (акцепторный). При температурах, близких к О К, этот уровень свободен, при повышении температуры он может быть занят электроном валентной зоны, в которой после ухода электрона образуется дырка. Расстояние от потолка валентной зоны до акцепторного уровня называется энергией ионизации (активации) акцепторов AWaa. Внесение в полупроводник акцепторной примеси существенно увеличивает концентрацию дырок, а концентрация электронов остается такой же, какой она была в собственном полупроводнике. В этом примесном полупроводнике электропроводность обусловлена в основном дырками, ее называют дырочной, а полупроводники — полупроводниками р-типа. Дырки для полупроводника р-типа — основные носители заряда, а электроны — неосновные.

14.6. Диаграмма -энергетических уровней люминофора:

На 1.7, б показана диаграмма энергетических зон полупроводника с донорной примесью. В запрещенной зоне вблизи дна зоны проводимости создается разрешенный энергетический уровень (примесный, донорный), на котором при температуре, близкой к О К, располагаются "лишние" электроны. Для перевода электрона с примесного уровня в зону проводимости требуется меньше энергии, чем для перевода электрона из валентной зоны. Расстояние от донорного уровня до дна зоны проводимости называется энергией ионизации (активации) доноров

На 1.8, б показана диаграмма энергетических зон полупроводника с акцепторной примесью. В запрещенной зоне вблизи потолка валентной зоны создается примесный энергетический уровень (акцепторный). При температурах, близких к О К, этот уровень свободен, при повышении температуры он может быть занят электроном валентной зоны, в которой после ухода электрона образуется дырка. Расстояние от потолка валентной зоны до акцепторного уровня называется энергией ионизации (активации) акцепторов ДИ?й. Внесение в полупроводник акцепторной примеси существенно увеличивает концентрацию дырок, а концентрация электронов остается такой же, какой она была в собственном полупроводнике. В этом примесном полупроводнике электропроводность обусловлена в основном дырками,

60.61. Диаграмма энергетических уровней упрощенной атомной системы:

7.1. Диаграмма энергетических уровней атома водорода

а — диаграмма явнополюсного генератора при активно-индуктивной нагрузке; б — упрощенная диаграмма явнополюсного генератора при активно-индуктивной нагрузке; в — диаграмма неявнополюсного генератора при активно-индуктивной нагрузке; г — диаграмме явнополюсного генератора при активно-емкостной нагрузке

Векторная диаграмма явнополюсного генератора с учетом насыщения. Явнополюсная машина в поперечной оси имеет большой воздушный зазор, поэтому будем считать, что проводимость потока, определяющего сопротивление xaq, мало зависит от насыщения. В продольной оси зазор небольшой, и проводимость потока, определяющая сопротивление хаа, в значительной степени зависит от насыщения. Насыщенное значение xad(mc)<.xad.

6-7. Векторная диаграмма явнополюсного синхронного генератора.

Векторная диаграмма явнополюсного генератора. Векторную диаграмму синхронной явнополюсной машины ( 13.11) можно построить согласно уравнению (1.3.9), которое с учетом (13.6) принимает вид

Уравнению (6-67) соответствует векторная диаграмма явнополюсного синхронного генератора с ненасыщенной магнитной системой, приведенная на 6-28.

Синхронные машины. Устройство и принцип действия синхронной машины. Холостой ход синхронного генератора. Работа синхронного генератора под нагрузкой. Реакция якоря при активной нагрузке. Реакция якоря при емкостной нагрузке. Реакция якоря при индуктивной нагрузке. Векторные диаграммы, внешние и регулировочные характеристики синхронного генератора. Векторная диаграмма неявнополюсного генератора. Векторная диаграмма явнополюсного генератора. Внешние характеристики синхронного генератора. Мощность и электромагнитный момент синхронной машины. Работа синхронной машины в режиме двигателя. Векторные диаграммы синхронного двигателя. U-образные характеристики синхронного двигателя. Пуск синхронного двигателя.

Векторная диаграмма явнополюсного генератора. Векторную диаграмму синхронной явнополюсной машины ( 3.8) можно построить согласно уравнению (3.9), которое с учетом (3.6) принимает вид

6.6. Векторная диаграмма явнополюсного синхронного генератора

Векторная диаграмма явнополюсного генератора, работающего в простейшей системе, показана на 2-10. В соответствии с ней имеем