Диаграммы полупроводников

где mi — число фаз; ?/4, Д — соответственно фазные напряжение и ток статора; ф4 — угол сдвига фаз между ними. Из векторной диаграммы, показанной на 10.21, получим (имея в виду абсолютные значения) :

Однако учитывая, что ток /КБО незначителен, можно считать /К«а6т/э. Из последнего выражения видно, что БТ является прибором, управляемым током: значение коллекторного тока зависит от входного эмиттерного тока. Если рассматривать БТ как прибор с зависимыми источниками (см. § 7.9), то он близок по свойствам к источнику тока, управляемому током (ИТУТ). В свою очередь, входным током /э управляет прямое напряжение UB3. Как видно из потенциальной диаграммы, показанной на 16.16,6, с ростом прямого напряжения уменьшается потенциальный барьер эмиттерного перехода. Это сопровождается экспоненциальным ростом тока эмиттера /э. К коллекторному переходу в активном режиме прикладывается большое запирающее напряжение. Как видно из потенциальной диаграммы, это приводит к значительному увеличению потенциального барьера коллекторного перехода. Вследствие того, что напряжение в цепи коллектора значительно превышает напряжение в цепи эмиттера, а токи в цепях эмиттера и коллектора примерно равны, мощность полезного сигнала на выходе схемы оказывается существенно большей, чем на входе. Это и открывает широкие возможности использования БТ в качестве усилительных приборов.

тивление r'Js цепи ротора, но и индуктивное сопротивление х'2 (s) ее являются переменными, зависящими от скольжения s. При скольжениях, меньших критического (0su глубокопазный двигатель представ-

Генераторному режиму соответствует дуга Н„АСТ круговой диаграммы, показанной на XI.38. Линия Н0С является линией полезной мощности генератора. Мощность P2—tnpAe определяет активную

В соответствии с этим определением для нагрузочной диаграммы, показанной на 16-19, если двигатель подъемной машины обеспечивает не только движение, но и торможение машины, получим

Эти зависимости обобщены в виде диаграммы, показанной на 7-6. На осях отложены значения F • 10~7 и молярные объемы V диффузанта. Параметр Ф характеризует растворитель. Воде отвечает кривая, для которой Ф равно 1,0, для бензола 0,70, а для метилового спирта 0,82. 112

Вектор напряжения на шинах генератора делит вектор падения напряжения Лх^ на две части, пропорциональные индуктивным сопротивлениям xd и хвн. Увеличим передаваемую активную мощность на АР и тем самым угол 8 на Д5. Это вызовет изменение реактивной мощности, передаваемой в систему. Для получения зависимости реактивной мощности от угла S запишем выражение, следующее из векторной диаграммы, показанной на 9.1, в:

Однако учитывая, что ток /КБ0 незначителен, можно считать /к«абт/э. Из последнего выражения видно, что БТ является прибором, управляемым током: значение коллекторного тока зависит от входного эмиттерного тока. Если рассматривать БТ как прибор с зависимыми источниками (см. § 7.9), то он близок по свойствам к источнику тока, управляемому током (ИТУТ). В свою очередь, входным током 1Э управляет прямое напряжение 11ЪЭ. Как видно из потенциальной диаграммы, показанной на 16.16,6, с ростом прямого напряжения уменьшается потенциальный барьер эмиттерного перехода. Это сопровождается экспоненциальным ростом тока эмиттера 1Э. К коллекторному переходу в активном режиме прикладывается большое запирающее напряжение. Как видно из потенциальной диаграммы, это приводит к значительному увеличению потенциального барьера коллекторного перехода. Вследствие того, что напряжение в цепи коллектора значительно превышает напряжение в цепи эмиттера, а токи в цепях эмиттера и коллектора примерно равны, мощность полезного сигнала на выходе схемы оказывается существенно большей, чем на входе. Это и открывает широкие возможности использования БТ в качестве усилительных приборов.

Обратная связь по углу ф" между током и напряжением статорнон цепи обеспечивает поддержание постоянным коэффициента мощности двигателя. Такая связь осуществляется датчиком угла, схема которого приведена на 5.11, а. К зажимам abc подводится напряжение от трансформатора ТрШ ( 5.10, а), а зажимы /, 2 соединены со вторичной обмоткой трансформатора тока TpTL' Под действием напряжений ?/ТрНь ?АгРт1 по цепи балластных резисторов /?6/ и /?б2 протекает выпрямленный диодными мостами Bnl и Вп2 ток. Напряжение на выходе датчика UPblx равно алгебраической сумме напряжений на балластных резисторах и, как следует из диаграммы, показанной на 5.11, б, пропорционально векторной сумме напряже-

Для осуществления указанного действия УАПВ в его схему вводится максимальное реле напряжения, контролирующее наличие напряжения на линии. Замыкающий контакт KSV1 реле включается в цепь обмотки реле времени КТ комплектного реле AKS типа РПВ-358 ( 11.2). При этом пуск устройства АПВ происходит, если обеспечиваются несоответствие положений выключателя (см. 7.5, реле положения KQT) и его ключа управления SA и наличие напряжения на включаемой линии. Напряжение срабатывания реле контроля напряжения принимается ?/с.Р = = (0,7-н0,8) UmM. Время срабатывания *АПШ(1) находится согласно (11.1), а время срабатывания *АПВ1(2) устройства АПВ с проверкой наличия напряжения (на выключателе Q2) — на основе временной диаграммы, показанной на 11.3.

а f2(d-6)/2 (четные d) [ 0 (нечетные d). Передаточная функция этого кода указывает на то, что имеется единственный путь с расстоянием Хемминга d-^> от пути из одних нулей, который сливается с путём из одних нулей при данном узле. Из диаграммы состояний, показанной на 8.2.6, или решётчатой диаграммы, показанной на 8.2.5, видно, что путь с d=6 это acbe. Нет других путей из узла а до узла е, имеющих расстояние d=6. Второе слагаемое в (8.2.2) указывает на то, что есть два пути от узла а до узла е, имеющих расстояние d=8. Снова из диаграммы состояний или решётки мы видим, что этими путями являются acdbe и acbcbe. Третье слагаемое в (8.1.2) указывает, что есть четыре пути с расстоянием d=\0 и так далее. Таким образом, передаточная функция даёт нам дистанционные свойства свёрточного кода. Минимальное расстояние кода называется минимальным свободным расстоянием и обозначается dcs. В нашем примере d№ = 6.

Уравнения для диаграммы состояний, показанной на 8.2. 12, таковы:

2.9. Зонные диаграммы полупроводников р-тнпа:

Как видно из приведенной выше формулы, электропроводность полупроводника зависит or подвижности носителей заряда, а также их концентрации. Введение примесей в полупроводник существенно изменяет его проводимость. Введение в четырехвалентный полупроводник пятивалентной примеси, например фосфора (F), позволяет получить донорную проводимость (и-типа). Введение трехвалентной примеси, например бора (В), позволяет получить полупроводник с акцепторной проводимостью (/?-типа). Энергетические диаграммы полупроводников п- и /?-типа показаны на 16.4, а.

1.4. Энергетические диаграммы полупроводников: а — собственного; б — типа п; в — типа р

9-2. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ЗОННЫЕ ДИАГРАММЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

носителей мр0. Соответственно в гс-области существуют основные носители с равновесной концентрацией пп0 и неосновные носители с равновесной концентрацией рп0. Причем для ^-полупроводника про<*Рр<» а Для н-полупроводника рп0 < ге„0. Так как Na = NK, то концентрации основных и неосновных носителей зарядов в обеих областях одинаковы: рр0 „== п„0 и тгр0 = р„0 и для каждой области справедливо условие электронейтральности (9-29) и (9-31). Такой переход называют симметричным р-п переходом. На 10-1 энергетические диаграммы показаны раздельно для двух областей кристалла. В реальном переходе провести четкую границу между областями р- и «.-полупроводников невозможно. Для первого рассмотрения мы будем считать, однако, переход идеально резким ( 10-2, а), отделив две области полупроводников плоскостью, которую называют металлургической границей и которую мы примем за начало отсчета координаты х. Концент-

10-1. Энергетические диаграммы полупроводников до контакта.

9-2. Энергетические зонные диаграммы полупроводников..... 184

9-2. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ЗОННЫЕ ДИАГРАММЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

носителей мр0. Соответственно в гс-области существуют основные носители с равновесной концентрацией пп0 и неосновные носители с равновесной концентрацией рп0. Причем для ^-полупроводника про<*Рр<» а Для н-полупроводника рп0 < ге„0. Так как Na = NK, то концентрации основных и неосновных носителей зарядов в обеих областях одинаковы: рр0 „== п„0 и тгр0 = р„0 и для каждой области справедливо условие электронейтральности (9-29) и (9-31). Такой переход называют симметричным р-п переходом. На 10-1 энергетические диаграммы показаны раздельно для двух областей кристалла. В реальном переходе провести четкую границу между областями р- и «.-полупроводников невозможно. Для первого рассмотрения мы будем считать, однако, переход идеально резким ( 10-2, а), отделив две области полупроводников плоскостью, которую называют металлургической границей и которую мы примем за начало отсчета координаты х. Концент-

10-1. Энергетические диаграммы полупроводников до контакта.

9-2. Энергетические зонные диаграммы полупроводников..... 184

Как видно из приведенной выше формулы, электропроводность полупроводника зависит от подвижности носителей заряда, а также их концентрации. Введение примесей в полупроводник существенно изменяет его проводимость. Введение в четырехвалентный полупроводник пятивалентной примеси, например фосфора (F), позволяет получить донорную проводимость (и-типа). Введение трехвалентной примеси, например бора (В), позволяет получить полупроводник с акцепторной проводимостью (/э-типа). Энергетические диаграммы полупроводников п- и /ьтипа показаны на 16.4, а.