Баллистическая чувствительность

В схемах с параллельным соединением нагрузки и дросселя надо поддерживать неизменным ток питания (подача сигнала приводит к перераспределению токов между дросселем и нагрузкой), для чего приходится дополнительно включать достаточно большое балластное (постоянное) сопротивление Rc. Однако включение балластного сопротивления приводит к значительным потерям (а следовательно, и к ухудшению к.п.д.), что ограничивает применение подобных схем.

Более совершенной является трансформаторная схема, в которой используется в качестве балластного сопротивления линейная индуктивность, которая создается первичной обмоткой ненасыщенного трансформатора. Схема позволяет получить посредством изме-

Рассмотрим работу схемы стабилизатора с параллельным ферро-резонансным контуром, приведенную на 5.14, а. Последовательно с феррорезонансным контуром включен ненасыщенный трансформатор, первичная обмотка которого выполняет роль линейного балластного сопротивления, а вторичная — компенсационной.

тера и балластного сопротивления

С помощью балластного сопротивления, включенного последовательно с сопротивлением, имеющим характеристику типа Гц или Zu ( VIII. 1, б), можно получить стабилизацию напряжения. Так как дроссель является реактивным элементом, то стабилизаторы, в которых он используется, работают только в сетях переменного тока. Балластное сопротивление может быть как активным, так и реактивным. Балластный ненасыщенный дроссель обеспечивает большой к. п. д. стабилизатора.

стабилизаторы серии К142 типа К142 ЕН1 и ЕН2 ( IX. 18). Штриховыми линиями показано соединение микросхемы с навесными элементами. В К142ЕН опорное напряжение выделяется на резисторе R2 и термокомпенсирующем диоде Д1 после его стабилизации простейшим транзисторным стабилизатором напряжен ия на транзистор еТ5 с высокоомным транзисторным двухполюсником 77 (полевой транзистор) в качестве балластного сопротивления к стабилитрону Ctnl. Усилительный элемент выполнен в виде дифференциального усилителя на транзисторах Т6 и 77 ( VIII.18, д). Полевой транзистор Т2 является нагрузочным для транзистора 77 ( VI.7, г), на который подается связь с выхода стабилизатора (на контакт 12). Регулирующим элементом является сдвоенный составной транзистор ТЗ и Т4. Транзисторы Т8 и ТЭ используются соответственно для выключения микросхемы внешним сигналом и для ее защиты. Для микростабилизаторов стабилизирующие свойства определяют относительной нестабильностью в процентах по формуле:

2-83. На 2-83 представлена вольт-амперная характеристика неоновой лампы. Определить величину балластного сопротивления с тем, чтобы при напряжении 120 в ток в цепи лампы составлял 20 на.

2-85. В условиях задачи 2-84 определить наибольшее (критическое) значение балластного сопротивления, при котором возможно горение дуги.

с ними не будет включено так называемое «балластное сопротивление». Большое практическое значение имеет расчет величины балластного сопротивления, в частности значительный интерес представляет выбор балластного сопротивления г для устойчивого горения дуги.

- а — схема цепи дуги с активным балластным сопротивлением; б — методы регулирования тока дуги путем изменения ее длины, напряжения источника питания и балластного сопротивления.

Как следует из 5.20, условия гашения дуги можно достичь или путем увеличения длины дуги (при данном Ат) до /д > /кр, или за счет увеличения балластного сопротивления R^. Условия гашения, кроме того, можно также достичь посредством шунтирования дуги активным сопротивлением.

Чувствительность механизма к количеству электричества (так называемая баллистическая чувствительность) зависит от степени успокоения и выражается следующими формулами:

18—20 с. Увеличение Г0=2я у J/W достигается путем увеличения момента инерции подвижной части с помощью укрепленных на подвесе или растяжках дополнительных деталей (колец, диска и др.). Баллистическая чувствительность SQ = aim/Q или цена ДСЛСНИЯ (баллистическая постоянная) CQ = 1/SQ в отличие от чувствительности к току зависит от сопротивления внешней цепи, на которую замкнут гальванометр. Чувствительность SQ увеличивается с увеличением сопротивления внешней цепи, поэтому перед применением гальванометра необходимо определить его баллистическую постоянную при том сопротивлении цепи, при котором гальванометр будет работать.

где SQ — баллистическая чувствительность гальванометра (чувствительность к количеству электричества).

где SQ — баллистическая чувствительность гальванометра (чувствительность к количеству электричества).

Баллистическая чувствительность обычно определяется как амплитуда первого отклонения указателя гальванометра, выражается в делениях шкалы, отстоящей от зеркальца на расстоянии 1 м, и получается при прохождении через рамку количества электричества в 1 Кл.

Решить уравнение (3.86) можно и для значений Р, отличных от нуля. Анализ решений уравнения (3.86) для значений Р Ф 0 показывает, что баллистическая чувствительность, в отличие от чувствительности гальванометра к току и напряжению, зависит от степени успокоения р. _______,_______,_______,_______1_Р

Из уравнения (4-30) следует, что баллистическая чувствительность S0 гальванометра зависит от степени успокоения fS, т. е. от внешнего сопротивления, на которое замкнут гальванометр. Это свойство баллистического гальванометра заставляет каждый раз экспериментально определять его баллистическую чувствительность именно при том значении сопротивления цепи, при котором он будет применяться.

и Отсюда Q — 2УИ/г//"2 и баллистическая чувствительность

где 5„ — баллистическая чувствительность, дел/к;

Баллистическая чувствительность зависит от степени успокоения гальванометра (уменьшается с увеличением степени успокоения), поэтому баллистическая чувствительность должна определяться в тех условиях успокоения, при которых применяется гальванометр. Обычно баллистический гальванометр используют в периодическом режиме (Р несколько меньше единицы).

Баллистическая чувствительность обычно определяется • как амплитуда первого отклонения подвижной части гальванометра, выражается в миллиметрах шкалы, отстоящей от зеркальца на расстоянии 1 м, и получается при прохождении через рамку количества электричества в 1 мкК.