Большинстве практических

Корпусная изоляция по своей конструкции может быть непрерывной или гильзовой. Непрерывную изоляцию образуют обертыванием проводников катушки по всей их длине лентой изоляционного материала, например микалентои, стекломикалентои или стеклослюдинитовои лентой. Ленту обычно наносят вполперекроя (вполнахлеста) в несколько слоев, число которых зависит от номинального напряжения машины. В большинстве конструкций после напожения ленты изоляцию пропитывают изолирующими составами — лаками или компаундами для создания монолитного изолирующего слоя и увеличения ее теплопроводности и механической прочности.

где ?вент ~ наружный диаметр вентилятора, м; в большинстве конструкций можно принять ?>вент *> Da; Кт - 2,9 для двигателей с Da < < 0,25 м; Ят = 3,6 для двигателей с Dg = 0,25 т 0^ м. В двигателях большой мощности (03 < Da < 0^ м)

Минимизация площади кристалла при компоновке БИС. Одной из особенностей конструирования БИС является стремление минимизировать число внешних выводов схемы, что позволяет уменьшить площадь кристалла БИС. В большинстве конструкций БИС внешние выводы располагаются по периметру кристалла, например так, как показано на 5.4, где А к В — стороны кристалла; h — шаг контактных площадок; с — технологическая величина, связанная с размером закраины кристалла БИС; v1 и vz — числа выводов, расположенных соответственно на сторонах А и В кристалла.

Другую подгруппу печатающих устройств для последовательной печати данных составляют электрифицированные пишущие машинки. Как и в телеграфных аппаратах, печать знаков на бумаге производится с помощью литерных рычагов. Привод литерных рычагов в большинстве конструкций осуществляется от ребристого валика, Для выбора литерного рычага, на который воздействует ребристый валик, используются электромагниты, выполняющие функции ключей.

Изготовление внешних выводов. В большинстве конструкций корпусов выводы прямоугольного сечения производят групповым методом в виде рамки, объединяющей все выводы или часть в одну деталь ( 10.4, а). Рамки являются наиболее сложной из металлических деталей корпуса и изготавливаются двумя методами: штампованием и травлением. Штампы для рамок в связи со сложной их конфигурацией, высокими требованиями по точности и стойкости имеют большую стоимость, поэтому штампование применяют только в тех случаях, когда необходимо изготовить большое количество рамок. Методом штамповки также нельзя делать рамки при ширине выводов менее 100 мкм. При малых партлях и ширине выводов менее 100 мкм рамки целесообразнее изготовлять методом хи-

Другую подгруппу печатающих устройств для последовательной печати данных составляют электрифицированные пишущие машинки. Как и в телеграфных аппаратах, печать знаков на бумаге производится с помощью литерных рычагов. Привод литерных рычагов в большинстве конструкций осуществляется от ребристого валика. Для выбора литерного рычага, на который воздействует ребристый валик, используются электромагниты, выполняющие функции ключей.

В большинстве конструкций применяется, как правило, одноступенчатый контакт без провала, принимаются меры для всемерного облегчения подвижной системы. Вводятся пружины в виде стержней, закрученных по оси, обладающие существенно меньшей инерцией, чем спиральные.

Дугогасительные системы построены на принципе гашения электрической дуги поперечным магнитным полем в камерах с продольными щелями, (см. § 6-3 — 6-6). Магнитное поле гашения в подавляющем большинстве конструкций возбуждается последовательной дугогасительной катушкой. Были созданы конструкции с постоянными магнитами, но распространения они не получили. На 16-2 приве-

В большинстве конструкций пленочных матриц ЗУ разрядные шины получают вакуумным напылением. Медь марки Ml напыляется на подложку при температуре 100—200° С в присутствии магнитного поля. При напылении термовакуумным методом медь загружается в молибденовый стакан и производится электронно-лучевой нагрев при напряжении 1200 В и токе электронного пучка 0,26 А. При ионно-плазменном напыленди (мишень из меди Ml) применяют следующие режимы: ток накала катода до 150 А, ток разряда до 6 А, напряжение на мишени до 6 кВ, ток на мишени не более 300 мА.

Дополнительная изоляция в лобовых частях всыпных обмоток устанавливается только между катушками разных фаз, т. е. между крайними катушками разных катушечных групп. В большинстве конструкций между лобовыми частями этих катушек устанавливают прокладки из листового материала того же класса нагревостойкости, что и корпусная изоляция. Более надежна изоляция лобовых частей крайних катушек ленточным материалом, применяемая в машинах больших мощностей.

где ?>вент — наружный диаметр вентилятора, м; в большинстве конструкций можно принять DBem~Da;

от значений как постоянных ЭДС ?\ и Ег, так и переменной ЭДС с. В большинстве практических случаев, например в цепях с транзисторами (см. гл. 10), положение рабочей точки можно считать соотве-гствую-щим режиму покоя, т. е. определять при е -0, как на рие. 6.11.

Следует отметить, что подобные схемы имеют весьма ограниченное применение, так как в большинстве практических случаев при перемене полярности сигнала требуется изменять не значение тока нагрузки, а направление или фазу. Поэтому в качестве усилителей, реагирующих на полярность (фазу) сигнала, используются усилители, собранные по двухтактным схемам.

В основе определения магнитных проводимостей зазоров любой конфигурации лежит в большинстве практических случаев метод замены реального зазора суммой плоскопараллельных.

В большинстве практических случаев этой поправкой можно пренебречь и просто использовать осреднениую по сечению плотность тока. Поправки на изоляцию при расчетах взаимной индукции &М существенно меньше Л/,, и их обычно не учитывают [2.4].

Следовательно, удельный расход сверхпроводника минимален, когда максимально произведение Я^/;'/р(Ят) [2.38]. Соответствующие значения Яш и Ур легко находятся по заданной зависимости /р(Яш). В большинстве практических случаев расход сверхпроводника уменьшается с уменьшением Нт. Однако, как видно из (2.253), при этом возрастают размеры СПИН.

При мСн(0) = 0, что соответствует приближенному анализу в большинстве практических случаев,

Разрядные контуры включают в себя ЕН, индуктивности и активные сопротивления. Различные схемы разрядных контуров можно эквивалентно представить в виде последовательно соединенных Сн, Lp, Rp. В большинстве практических случаев Сн, Lp, Rp соединяются последовательно, а параметры Lp и Лр включают в себя индуктивности и активные сопротивления нагрузки LH, RH проводов разрядного контура Lnp, Rup и дуги разрядного устройства Ья, Ru. В общем случае параметры Lp(/p) и Rp(ip) являются переменными, зависящими от разрядного тока /р, причем зависимости от разрядного тока могут быть нелинейными. Нелинейности определяются, главным образом, электромагнитными процессами в разрядных устройствах и нагрузке (потребителях энергии ЕН). В частном случае, при постоянных Lp и Rp, в соответствии с уравнением uc» = ipRp + Lpdip/dt + (l/CH)$ipdt при ip(0)=0, uc»(Q)=Up, как известно, процесс может быть как апериодическим (при Rp ^24/Lp/CH), так и колебательным (при Rp < 2A/Lp/CH).

Следует иметь в виду, что в большинстве практических случаев достаточно ограничиться влиянием на нелинейные искажения второй и третьей гармоник. Тогда

напряжению. Его значения лежат в пределах 0,002—0,0002. Как показывает анализ устройств на транзисторах, в большинстве практических расчетов им можно пренебречь, т. е. полагать равным нулю. Параметр /I2j3 —безразмерный коэффициент передачи тока, характеризующий усилительные (по току) свойства транзистора при постоянном напряжении на коллекторе. Параметр /122э имеет размерность проводимости и характеризует выходную проводимость транзистора при постоянном токе базы. Н- параметры транзистора позволяют достаточно просто создать его схему замещения, в которой присутствуют только резисторы и управляемый источник тока (см. 1.23, б). Приращения напряжений и токов в схеме на 1.23, б связаны системой управлений (1.8) при Л12=0.

В большинстве практических случаев величина приложенного напряжения U значительно превышает величину Дф0, т. е. U ^> Дф0. С учетом этого соотношения выражение для L0 принимает вид

В большинстве практических случаев стремятся уменьшить ток базы, что достигается за счет снижения рекомбинационных процессов в базе. При этом улучшаются усилительные способности транзистора.