Большинства применений

По результатам опыта короткого замыкания определяют сопротивления гъ xs, r'2, x'sz, для чего полагают, что go «О, bo ~ 0, rt « r'i и xsl «! *s2. Получаемая при этом точность вполне приемлема для большинства практических случаев.

Формула относится к проводникам, у которых среднее геометрическое расстояние площади поперечною сечения от самой себя (g) значительно меньше удвоенного радиуса кривизны и длины проводника /, что обычно выполняется для большинства практических задач. Значение N определяется линейным интегралом по длине проводника, а (/ = 10/1п?/(2л) (при постоянном токе).

допустимое количество итераций ITDOP= 12 вполне достаточно для большинства практических случаев.

Теперь рассмотрим ВАХ биполярного транзистора для основной схемы включения — схемы ОЭ. Входным током в схеме ОЭ является ток базы. На 2.17, а приведены входные ВАХ биполярного транзистора, включенного по схеме ОЭ. Внешне эти характеристики похожи на входные ВАХ схемы ОБ. Однако входные ВАХ схемы ОЭ смещаются вправо вниз при увеличении выходного напряжения ?/кэ. Следует отметить, что для большинства практических случаев влияние f/K3 на входные ВАХ прекращается уже при напряжениях, составляющих десятые доли вольта.

С помощью эквивалентной схемы для большинства практических случаев можно определить (без учета шунтирующего влияния г* и Лб):

Для реального ОУ использование (3.48) приводит к появлению погрешностей в расчете Kv инв. Чем больше в ОУ Киоу и Rmoy, тем меньшую погрешность дает использование этой формулы. Так, при АГ„оу=103, Ra*oy— Ю кОм, Roc= 100 кОм, /?! = 1 кОм погрешность в определении Киияв по (3.48) составит примерно 9%, а при А^иоу=105 остальные параметры, те же -^- менее 0,1%. Обычно допускается использование (3.48) при ЮА^иинв<^иоу (т.е. при глубине ООС F>10), что справедливо для большинства практических случаев.

Уравнения электромеханического преобразования энергии имеют аналитическое решение лишь при достаточно больших допущениях datf/dt = О или линейном изменении скорости. В этом случае уравнения напряжений (2.1) и уравнение движения (2.3) могут решаться независимо друг от друга. Исследование переходных процессов при изменяющейся скорости вращения возможно только с помощью вычислительных машин, так как уравнения содержат произведения переменных. Широкое внедрение в практику вычислительных машин в последние десятилетия позволило решить целый ряд задач, считавшихся ранее недоступными. При этом может быть получена высокая точность решения, которая не является необходимой для большинства практических задач.

Ниже дается упрощенная методика, которая позволяет получить удовлетворительные результаты для большинства практических случаев.

Из 3.23 видно, что в активном режиме коллекторное напряжение не оказывает кб влияния на выходные характеристики схемы ОБ. Такой вывод оправдан для большинства практических случаев. В действительности с повышением обратного коллекторного напряжения ток коллектора в активном режиме будет слабо возрастать (пунктирные кривые на 3.23) за счет увеличения обратного коллекторного тока /К0 (2.79) и коэффициента передачи эмиттерного тока ссдт (3.6).

Введение дополнительных меток приводит к небольшому увеличению числа состояний МПА — некоторые переходы станут выполняться за больше; число тактов по сравнению с автоматом, синтезирован шш только на основе первоначальной разметки. Однако компенсацией за снижение быстродействия является уменьшение сложности и связанное с ним повышение надежности проектируемого ДУ, что предпочтительней для большинства практических применений.

Отметим, что для большинства практических задач матрицы А(/) уравнений состояния удовлетворяют условию Лаппо — Данилевского, т. е. перестановочны со своим интегралом:

Вместе с тем для упрощения .аппаратуры и повышения быстродействия ЭВМ длина формата команды должна быть согласована с выбираемой исходя из требований к точности вычислений длиной обрабатываемых машиной слов (операндов), составляющей для большинства применений 16 — 32 бит, с тем чтобы для операндов и команд можно было эффективно использовать одни и те же память и аппаратурные средства обработки информации. Формат команды должен быть по возможности короче, укладываться в машинное слово или полуслово, а для ЭВМ с коротким словом (8 — 16 бит) должен быть малократным машинному слову. Решение проблемы выбора формата команды значительно усложняется в малых и микроЭВМ и микропроцессорах, работающих с коротким словом.

Схема ОБ обладает хорошими частотными характеристиками и позволяет наглядно раскрыть физику транзистора, но тот факт, что она не обеспечивает усиления по току и имеет малое входное сопротивление, делает ее неоптимальной для большинства применений. Поэтому наибольшее использование в транзисторной технике находит схема ОЭ.

В отличие от транзистора, тиристор — элемент с неполной управляемостью (исключение составляют двухоперационные тиристоры, однако они выпускаются пока еще со сравнительно небольшими рабочими токами —• единицы ампер —- и малыми напряжениями — до 500—600 В, — что явно недостаточно для большинства применений). Тиристор просто включить, но выключение его может быть произведено только при уменьшении анодного напряжения или изменении его полярности. Поэтому тиристорные инверторы обычно выполняются двухпозиционными и позволяют получать ток без пауз. Однако путем усложнения схемы (введя в нее дополнительные тиристоры, служащие для выключения основных) можно получить и трехпозиционный ин-

Линейные размеры элементарного модуля должны быть порядка половины длины волны. Это и определяет требования к размерам отдельных элементов СВЧ, составляющих принципиальную электрическую схему модуля. В общем случае один приемопередающий модуль должен включать передатчик, приемник, коммутирующее устройство, преобразователь напряжения и излучатель, к которым часто добавляют систему кодирования и обработки информации. В сумме такой модуль должен содержать до 100 активных элементов в объеме порядка 0,1 Я3. Если учесть, что в этот объем должны входить также необходимые пассивные элементы, то для линейных размеров активных элементов получаются значения / » 0,01 ~ 0,1 Я. Если Я = 3 см, то длина / составляет 0,3—3 мм. Эти цифры характеризуют предельную степень миниатюризации, достаточную для большинства применений устройств СВЧ. Практически допустимы еще большие размеры элементов, поскольку принципиально ограничены (рабочей длиной волны) поперечные размеры модуля, а его толщина может значительно превышать половину длины волны.

Число линий информационной шины (ИШ) определяет объем информации, получаемой или передаваемой МП за одно обращение к памяти, к устройству ввода или вывода. Большинство МП имеет 8-шинную информационную магистраль. Это позволяет за один раз принять восемь двоичных единиц информации (1 байт). Один байт информации может содержать один из 256 возможных символов алфавита источника информации или один из 256 возможных кодов операций. Такое количество допустимых символов и типов операций для большинства применений является достаточным.

Современные электромеханические реле отличаются повышенным ресурсом, малыми габаритами, допустимостью произвольного положения в пространстве. Появились герконовые и быстроприсоединяемые (втычные на разъемах) реле, низкопрофильные реле для монтажа на печатных платах и др. Электромеханические реле имеют лучшее соотношение «цена-функция» для большинства применений, и их релейные схемы более просты и понятны для эксплуатационного персонала.

чаются друг от друга. Однако для большинства применений можно использовать схему замещения на 6.21, которая приведена для «-канального транзистора (в случае транзистора с р-каналом направления всех полярных элементов схемы замещения изменяются на противоположные). Инерционные свойства полевых транзисторов отражаются с помощью межэлектродных емкостей Сзи, С3с, Сип, ССп; следует подчеркнуть, что емкости Сип, Ссп (а для транзисторов с управляющим р-n переходом и емкости Сзи, С3с) зависят от напряжения на соответствующем переходе транзистора — это барьерные емкости полевых транзисторов. Сопротивления слоев истока Ги и стока гс учитываются только для достаточно мощных транзисторов. Зависимые источники тока IN и // моделируют токи через канал транзистора при нормальном и инверсном включении соответственно.

Линейные размеры элементарного модуля должны быть порядка половины длины волны. Это и определяет требования к размерам отдельных элементов СВЧ, составляющих микросхему. Определим для примера размеры приемо-передающего модуля. В общем случае один приемо-передающий модуль должен включать передатчик, приемник, коммутирующее устройство, преобразователь напряжения и излучатель, к которым часто добавляют систему кодирования и обработки информации. В сумме такой модуль должен содержать до 100 активных элементов в объеме порядка 0,1 Я3. Если учесть, что н этот объем должны входить также необходимые пассивные элементы, то для линейных размеров активных элементов получаются значения /« (0,01ч-0,1)Я. Если Я —3 см, то длина / составляет от 0,3 до 3 мм. Эти цифры характеризуют предельную степень миниатюризации, достаточную для большинства применений устройств СВЧ. Практически допустимы еще большие размеры элементов, поскольку принципиально ограничены (рабочей длиной волны) поперечные размеры модуля, а его толщина может значительно превышать половину длины волны.

Добротность Q таких катушек зависит от функции, выполняемой ими в данной схеме, однако для большинства применений приемлема величина порядка 100.

Число линий информационной шины (ИШ) определяет объем информации, получаемой или передаваемой МП за одно обращение к памяти, к устройству ввода или вывода. Большинство МП имеет 8-шинную информационную магистраль. Это позволяет за один раз принять восемь двоичных единиц информации (1 байт). Один байт информации может содержать один из 256 возможных символов алфавита источника информации или один из 256 возможных кодов операций. Такое количество допустимых символов и типов операций для большинства применений является достаточным.

Получаемые результаты впечатляют. Хотя ПТ не могут сравняться с биполярными транзисторами в согласованности Um, их параметры вполне пригодны для большинства применений. Например, наилучшим образом согласованная пара ПТ имеет сдвиг 0,5 мВ и температурный коэффициент 5 мкВ/"С (макс), в то время как у лучшей биполярной пары эти значения будут 25 мкВ и 0,6 мкВ/°С, грубо говоря, в 10 раз лучше. Операционные усилители (универсальные дифференциальные усилители с высоким коэффициентом усиления, о которых мы будем говорить в следующей главе) выпускаются как на полевых, так и на биполярных транзисторах; для высокоточных применений вы сможете, вообще говоря, выбрать ОУ с биполярной «начинкой» (ввиду тесного согласования входных транзисторов по иБЭ), в то время как ОУ с ПТ-входом, очевидно, является наилучшим выбором для высокоомных схем (их входы затворы ПТ-не потребляют тока). Например, недорогой ОУ типа LF 411 со входом на ПТ с /?-и-переходом, который мы используем повсеместно в схемах,