Благодаря включению

С помощью МДП-технологии удается получить высокую помехоустойчивость схем. Благодаря сравнительно высокому напряжению включения, или пороговому напряжению МДП-транзистора, можно получить в диапазоне рабочих температур запас помехоустойчивости более 1 В. МДП-транзистор пригоден для использования в динамических схемах, так как его затвор, являющийся по существу высококачественным конденсатором, служит в качестве элемента временной памяти для входных данных. Поскольку МДП-транзистор может проводить ток в любом направлении, т. е. обладает свойством двунаправленное™, с его помощью можно передавать данные путем зарядки и разрядки накопительных конденсаторов в узлах МДП-ИМС. Способность хранения и передачи заряда позволяет использовать тактируемые нагрузочные приборы, для которых характерны небольшое потребление мощности и малые геометрические размеры.

Возникновение потенциала протекания и явления электроосмоса, которые наиболее часто используются в электрокинетических преобразователях, связаны с динамикой двойного слоя, когда жидкая фаза перемещается относительно твердой поверхности (стенки). Благодаря сравнительно прочной связи зарядов дипольной части двойного слоя с

Возможность функционирования такой системы обеспечивалась до 60-х годов благодаря сравнительно большим резервам по установленной мощности электростанций и по пропускной способности линий =лектропередачи. В последние годы эти резервы значительно сократились и существовавшая система управления энергосистемами пришла в противоречие с требованиями надежности и экономичности работы энергосистем. С этим связаны принимаемые в настоящее время серьезные попытки создания объединенной иерархической системы оперативно-диспетчерского управления.

Благодаря сравнительно малой средней мощности луча, измеряемой ваттами, диаметр светового пятна на изделии не может превысить 1—2 мм, поэтому лазеры на твердом теле могут применяться лишь в тех технологических процессах, которые не требуют больших затрат энергии. Это — точечная сварка мелких деталей

Благодаря сравнительно небольшой ширине запрещенной зоны под влиянием поглощения некоторого количества энергии отдельные возбужденные электроны могут быть переброшены через запрещенную зону в зону проводимости, .что вызывает эффект электронной проводимости. На месте электронов, ушедших из заполненной зоны, остаются свободные места — «электронные дырки». Место этих дырок будут занимать другие электроны заполненной (валентной) зоны. Таким образом, свободное место — дырка будет перемещаться в направлении электрического поля, создавая эффект движения положительного заряда.

Существенным недостатком схемы является то, что шихта подается в ванну печи в четырех (по числу бункеров) точках и ее затем приходится разгребать по колошнику, подвигая к электродам. При плавке карбида кальция эта операция возможна благодаря сравнительно холодному колошнику.

С помощью МДП-технологии удается получить высокую помехоустойчивость схем. Благодаря сравнительно высокому напряжению включения, или пороговому напряжению МДП-транзистора, можно получить в диапазоне рабочих температур запас помехоустойчивости более 1 В. МДП-транзистор пригоден для использования в динамических схемах, так как его затвор, являющийся по существу высококачественным конденсатором, служит в качестве элемента временной памяти для входных данных. Поскольку МДП-транзистор может проводить ток в любом направлении, т. е. обладает свойством двунаправленное™, с его помощью можно передавать данные путем заряда и разряда накопительных конденсаторов в узлах МДП-ИМС. Способность хранения и передачи заряда позволяет использовать тактируемые нагрузочные приборы, для которых характерны небольшое потребление мощности и малые геометрические размеры.

Это тепло отводится от нагревателя тремя путями: конвекцией (через окружающий воздух), излучением и посредством передачи тепла (благодаря наличию теплопроводности) менее нагретым деталям крепления нагревателя. Благодаря сравнительно невысокой температуре нагревателя обычно решающей

Благодаря сравнительно простой конструкции, надежности в эксплуатации, возможности намотки большинства типов обмоток (цилиндрических, винтовых, непрерывных, переплетенных) горизонтально-намоточные станки нашли самое широкое применение в производстве обмоток трансформаторов III—VIII габаритов.

Железо (низкоуглеродистая сталь). Технически чистое железо обычно содержит небольшое количество примесей углерода, серы, марганца, кремния и других элементов, ухудшающих его магнитные свойства. Благодаря сравнительно низкому удельному элект]рическому сопротивлению технически чистое железо используется довольно редко, в основном для магнитопроводов постоянного магнитного потока. Обычно технически чистое железо изготовляется рафинированием чугуна в мартеновских печах или конверторах и имеет суммарное содержание примесей до 0,08—0,1 %. За рубежом такой материал известен под названием «армко-железо».

Прежде чем можно будет рассматривать использование этих систем в крупных масштабах, предстоит еще проделать значительную, исследовательскую работу. Если можно будет достичь приемлемой стоимости фотоэлектрических преобразователей, то благодаря сравнительно коротким срокам, необходимым для строительства, электростанций, и наращиванию производственных мощностей по выпуску для них оборудования и материалов можно будет .быстро внедрить эту технологию.

Таким образом, например при ?н = ?, благодаря включению конденсатора имеем 1УИ=1У0, т.е. вся начальная энергия передается в индуктивную нагрузку. Кроме того, конденсатор шунтирует ключ К1 при размыкании и напряжения на К1 во время коммутации (?к) будут много меньше, чем в схеме на 2.28, а.

Существенным недостатком транзисторов является зависимость их параметров от температуры, что приводит к изменению коллекторных характеристик транзистора (пунктирные кривые на 2.5). Вследствие этого при изменениях температуры изменяется положение рабочей точки усилителя (например, точка П' на 2.5), что может вызвать искажение выходного напряжения. Для предотвращения этого требуется температурная стабилизация рабочей точки. На 2.6 изображена схема усилителя ОЭ с эмиттерной температурной стабилизацией, которая стабилизирует рабочую точку за счет отрицательной обратной связи по постоянному току, возникающей благодаря включению в эмиттерную цепь усилителя резистора /?э . Резисторы #Б , Rs необходимы для создания требуемого напряжения

а. При этом ?/i//?i=—UJR2. Благодаря включению диодов потенциал точки а не превышает ±0,6 В (прямое напряжение на открытом диоде) при достаточно больших t/t и U2, чем защищаются входные цепи операционного усилителя от перегрузки.

Благодаря включению м-р-перехода затвора в непроводящем направлении полевой транзистор имеет большое входное сопротивление, порядка 10е -т- 108 ом. Выходное сопротивление зависит от параметров канала и может быть тоже достаточно большим.

В гл. 3 проанализированы все шесть задач проектирования элементарных матричных схем, методы решения которых опираются на аппарат векторно-матричных уравнений [1]. Благодаря включению этого материала рассмотрены (хотя и только для элементарных схем) все возможные задачи проектирования. Для более сложных матричных схем к настоящему времени получены при-

После момента времени 1 1 (когда завершается переключение тока /о в эмиттер опорного транзистора элементов II группы) изменение выходного напряжения элемента I группы приближенно можно оценить по (7.39). В действительности в моменты времени t > fi при определении выходного напряжения C/Buxi(0 надо учитывать изменение входной емкости Свх нагрузочных транзисторов (так как они переходят из проводящего состояния в закрытое). Однако емкость Свх не так существенно влияет на крутизну изменения выходного напряжения, так как благодаря включению эмиттерного повторителя ее влияние ослабляется в Рдг раз [см. (7.40) для т]. Аналогично после момента времени t2 можно считать, что дальнейшее нарастание выходного напряжения элементов II группы происходит по экспоненте с постоянной времени т.

Работа триода в динамическом режиме. Благодаря включению резистора Ra в анодную цепь триода (см, 1.7) изменения анодного тока не определяются анодными характеристиками, так как при изменении сеточного напряжения изменяется не только анодный ток, но и анодное напряжение :

ния ?а. Однако при использовании каскода в качестве усилителя высокой частоты этот недостаток можно устранить, включив лампы Л\ и Л2 параллельно по постояннсму току и последовательно по переменному. Такая схема приведена на 10.20,6, где указанные режимы обеспечиваются благодаря включению высокочастотных дросселей Lb L2 (их сопротивления по высокой частоте весьма велики, а по постоянному току близки к нулю) и разделительной емкости Сс.

Индукторный высокочастотный генератор-возбудитель ВГТ имеет три обмотки возбуждения, расположенные вместе с трехфазной обмоткой переменного тока на неподвижном статоре. Первая из них LGE1 включается последовательно с обмоткой ротора основного генератора LG и обеспечивает основное возбуждение ВГТ. Благодаря включению LGE1 последовательно с обмоткой ротора основного генератора обеспечивается резкое увеличение возбуждения ВГТ при коротких замыканиях в энергосистеме вследствие броска тока в роторе. Обмотки ШЕ2 и ЮЕЗ получают питание от высокочастотного подвозбудителя GEA через выпрямители. Подвозбу-дитель (высокочастотная машина 400 Гц с постоянными магнитами), как и вспомогательный генератор ВГТ, соединен с валом турбогенератора.

Особо следует рассмотреть работу выходного каскада. Дело в том, что отсутствие разделительных конденсаторов в схеме операционного усилителя может привести к появлению постоянной составляющей на выходе усилителя. Чтобы этого не произошло, используется так называемый усилитель амплитуды сигнала, или транслятор уровня, собранный на транзисторах VT7 и VT8. Благодаря включению резистора R9 между эмиттером транзистора VT7 и коллектором транзистора VT8 снижение потенциала не сопровождается заметным уменьшением усиления. Так как резистор R9 и сопротивление коллекторного перехода транзистора VT8 образуют делитель с большим сопротивлением нижнего (транзисторного) плеча, сигнал почти без затухания поступает на базу транзистора VT9 выходного каскада. Компенсация температурного дрейфа напряжения эмиттер — база транзистора VТ8 обеспечивается транзистором VT5.

При четырехзажимном включении измеряемых сопротивлений (сопротивление R1 на 11-6) сопротивления соединительных проводов не суммируются с величиной измеряемого сопротивления. Измерительная схема в некоторых конструкциях мостов (например, мост Р316) строится таким образом, что влияние одного из четырех соединительных проводников на точность измерения исключается благодаря включению его в цепь гальванометра. Сопротивления трех остальных проводников, подключающих измеряемое сопротивление /?,, входят в цепь питания и в цепи высокоомных измери-