Благодаря изменению

дальных напряжений специальной формы. Одним из самых распространенных на практике генераторов такого типа являются релаксационные генераторы пилообразного напряжения, рассмотренные в предыдущей главе. За счет повторяющихся процессов заряда и разряда конденсатора на его зажимах возникает периодическое несинусоидальное напряжение почти треугольной формы. В промышленной электронике широко применяется другой тип релаксационного генератора— мультивибратор, в котором также происходят процессы заряда и разряда конденсаторов. Благодаря использованию транзисторов или электронных усилительных ламп в этих генераторах удается получать периодические несинусоидальные напряжения в виде повторяющихся импульсов прямоугольной формы.

Микропроцессор К.580 имеет три формата команд: однобайтный (однословный), двухбайтный и трехбайтный ( 10.3). Формат команды и тип адресации задаются неявно кодом операции. Адрес команды задается адресом ее первого байта. - Проблема построения системы команд при коротком машинном слове решается благодаря использованию регистра-аккумулятора с подразумеваемой адресацией для реализации одноадресных и безадресных команд. В последних адрес операнда неявно задается кодом операции. Широко применяются укороченная регистровая адресация для обращения к общим регистрам и регистровая косвенная и индексная адресации для задания операнда в ОП. Наличие в регистровой структуре специального 16-разрядного регистра косвенного адреса позволяет иметь команды с подразумеваемой косвенной адресацией, т. е. без указания в команде регистра, хранящего исполнительный ад

высокая производительность — в 2—3 раза превосходит производительность МП 80286 и достигается за счет большей тактовой частоты, более быстрого доступа к памяти благодаря использованию размещенных на кристалле МП кэш (скрытой)-памяти и блока управления и защиты памяти (в том числе блока быстрого преобразования адресов);

Место подключения ВС выбирается из условия получения прироста энтальпии среды после ВЗ 550— 630 кДж/кг при номинальной нагрузке котла. Это позволяет получить параметры пара перед турбиной, наиболее близкие к необходимым для пуска блока из неостывшего состояния, при умеренном расходе топлива (до 20% номинального). При пусках из холодного состояния за счет уменьшения тепловыделения не удается получить температуру пара ниже 320—300°С, что значительно выше необходимой. Однако это затруднение снимается благодаря использованию пускового впрыска в паропроводы пр'и допустимом снижении температуры их металла (100—120°С) [2-24].

с нагрузкой. Это чрезвычайно важное обстоятельство становится возможным благодаря использованию двух источников питания (или одного с общей средней точкой). При этом потенциал на эмиттерах транзисторов в режиме покоя равен нулю, а в нагрузке будет отсутствовать постоянная составляющая тока. В выходной цепи обычного каскада ОК (см. 3.14) конденсатор должен иметь большой номинал для получения приемлемых значений Мн, однако реализовать такой конденсатор в ИМС чрезвычайно сложно. Таким образом, использование двухполяр-ного питания, что широко распространено в ИМС, позволяет получать мощные надежные усилители переменного и постоянного токов. При использовании дискретных транзисторов следует выбирать комплементарные пары с близкими значениями своих параметров. Такие пары транзисторов выпускаются отечественной промышленностью: КТ502 и КТ503, КТ814 и КТ815, КТ818 и КТ819 и др.

Использование данного способа функциональной интеграции (особенно при построении маломощных ИМС) дает значительную экономию площади кристалла, позволяет в широких пределах варьировать мощность, потребляемую схемой, путем изменения толщины и удельного сопротивления коллекторной области. Для увеличения сопротивления эпитакси-альных коллекторных слоев используют «пережатие» эпитаксиальной области, где размещается резистор, с помощью скрытых или диффузионных поверхностных слоев, тип электропроводности которых противоположен типу электропроводности эпитаксиальной пленки. На 3.22 показана структура элемента, содержащего такие области (области 1). Такую структуру применяют для создания схем на ЭПЛ. На 3.23 показана топология триггерной схемы, выполненной в одном изолированном кармане /г-типа электропроводности на тг-р-п-транзисторах. Создание такой структуры стало возможным благодаря использованию в качестве резистивных слоев участков эпитаксиальной пленки «пережатых» скрытым р+ -слоем и поверхностным диффузионным слоем.

Накопитель представляет собой матрицу запоминающих элементов, включенных между словарными и разрядными шинами. Накопитель выполняет основные функции ПЗУ — хранение и выдачу информации. Запись информации в накопитель ПЗУ осуществляется путем, создания связей элементов со словарными и разрядными шинами. АИ в ПЗУ служат для согласования (по электрическим характеристикам) схем ДШ со схемами управления ПЗУ. В качестве АИ используют, например, инверторы типа ТТЛ. ДШ выполняют функцию логического преобразования кода адреса в код выборки строки или столбца накопителя и согласования входов элементов с выходами АИ. Каждый выход ДШ принимает значение «1» или «О» только при одном наборе выходных сигналов адреса. Благодаря использованию входного ДШ число входов ПЗУ меньше числа словарных шин.

В аналоговой аппаратуре ГИС по сравнению с полупроводниковыми ИМС имеют более широкие схемотехнические возможности благодаря использованию различных навесных компонентов (полупроводниковых ИМС, транзисторов, конденсаторов, индуктивных катушек и т. д.). ГИС позволяют реализовать широкий класс функциональных электронных схем — усилителей, преобразователей, коммутаторов, устройств селекции и сравнения, вторичных источников питания, являясь при этом экономически целесообразными в условиях серийного и даже мелкосерийного производства.

Усилитель НЧ выполнен на ИМС К237УН2 ( 3.6). Вместе с усилителем мощности на транзисторах благодаря использованию глубокой отрицательной обратной связи микросхема обеспечивает высокое качество звучания приемника при номинальной мощности (нелинейные искажения менее 1 %).

На этом примере можно проследить совершенствование разработки типового пульта комплекса, которое стало возможным благодаря использованию современных средств индикации и управления. Так, в более поздней разработке ЭВМ ЕС-1061 пульт управления имеет более совершенную, образно выразительную объемно-пространственную структуру вогнутой формы, применены люминесцентные индикаторы, что позволило при большей сложности пульта не увеличивать его размеры; тумблеры, поворотные переключатели заменены на кнопочные со световой индикацией нажатого состояния. Стилевое единство комплексов достигнуто единым характером формообразования и выразительностью цветофактурного решения.

Переносная магнитола «Рига-310-стерео» ( 4.11) имеет четко выраженный центр композиции благодаря использованию контраста. Зоны управления и индикации находятся на разных поверхностях магнитолы.

Структурная схема составляется в последовательности ( 3.7), определяемой функциональными связями ее элементов. Первым, естественно, должен быть изображен регулирующий транзистор РТ ( 3.7, а), так как эффект стабилизации напряжения возникает благодаря изменению его выходной проводимости. Входная цепь РТ питается

Переменная составляющая в токах Земли, создающих ее магнитное поле, появляется благодаря изменению моментов инерции планеты по осям х, у, z, что обусловлено, в основном, влиянием Луны. Постоянная составляющая момента Мм создается постоянными токами /0.

При мощности свыше 2—3 Вт целесообразно применять двухтактные схемы выходных каскадов ( 9.13,6). Здесь делитель, образованный резистором и диодом, служит для приоткрывания эмиттерных переходов обоих транзисторов; дополнительным назначением диода является температурная стабилизация режима работы. В режиме класса В (или АВ) оба плеча таких схем работают поочередно благодаря изменению полярности гармонического сигнала на вторичных полуобмотках входного трансформатора (или на нагрузочных резисторах фазовращателя в предоконечном каскаде). Работа таких каскадов аналогична двухтактным схемам выпрямления. Форма кривых и полярность напряжения на отдельных участках электрической цепи показана на 9.13, б. По сравнению с однотактной работа выходного трансформатора в двухтактной схеме облегчается вследствие взаимной компенсации потоков вынужденного подмагничивания в плечах с устранением всех четных гармоник.

Регулирование угловой скорости изменением подводимого напряжения. Регулирование может быть осуществлено с помощью отдельного генератора, тиристорного преобразователя либо последовательно-параллельным включением двигателей. При последовательно-параллельном включении двух двигателей можно получить две ступени угловой скорости благодаря изменению напряжения, подводимого

подмагничивающего тока в цепи управления благодаря изменению индуктивного сопротивления обмоток переменного тока напряжение приемников изменяется плавно.

Схема безынерционного (искрового) подключения реакторов 500 кВ показана на 25-2. Искровой промежуток присоединяется параллельно разомкнутому отъединителю выключателя, главные контакты которого нормально замкнуты. Пробивное напряжение искрового промежутка 500 кВ выбирается равным 1,5 ?/ф. В процессе эксплуатации могут наблюдаться отклонения от установленной величины ±10% за счет статистического разброса и ±10% благодаря изменению атмосферных условий, т. е. пробивное напряжение искрового промежутка может колебаться в пределах (1,2—1,8) С/ф. Нижний предел обеспечивает отстройку искрового промежутка в послеаварийных режимах работы и при качаниях, когда напряжение может повышаться до (1,1—1,2) ?/ф.

Сущность режимов BE или ABE заключается в том, что точка покоя УЭ не зафиксирована, а изменяет свое положение на ВАХ УЭ в зависимости от уровня усиливаемого сигнала, как это показано на 3.2, д. Точки покоя А и В УЭ для двух уровней сигнала в режиме Е благодаря изменению напряжения на выходе вторичного источника — регулируемого источника питания (РИП) — изменяют свое положение на ВАХ в соответствии с уровнем усиливаемого сигнала таким образом, что падение напряжения на УЭ получается минимальным для активного режима.

В качестве устройства, обеспечивающего развертку светового луча по оси абсцисс, применяется зеркальный многогранник (зеркальный развертывающий барабан). При вращении многогранника изменяется угол между плоскостью грани и плоскостью перемещения светового луча, падающего на эту грань. Благодаря изменению этого угла световая точка отраженного на экране светового луча перемещается в направлении оси абсцисс. Процесс повторяется, когда световой луч попадает на следующую грань и т. д. На 21-3 изображено такое устройство. Меньшая часть светового луча, выходящего через линзу 4 от зеркальца вибратора 3, отраженная зер-

• Проволочные тензорезисторы. В настоящее время важнейшие тензочувствительные элементы делаются преимущественно из константановой проволоки (диаметром в большинстве случаев около 0,02 мм), которая вклеена (например, с помощью фенольной смолы) между двумя подложками (например, из специальной бумаги). Благодаря изменению размеров витков проволоки можно изготавливать тензорезисторы с различными номинальными сопротивлениями. (Диапазон этих сопротивлений составляет примерно 100 —1000 Ом.) Кроме того, возможна подгонка тензорезистора к упругому-элементу с учетом его формы.

Благодаря изменению полярности зарядки второй половины схемы, вторая половина цепочки колебательных контуров включается встречно, причем собственные частоты колебательных контуров обеих половин существенно различны.

Основные закономерности температурно-силовой зависимости характеристик пластичности уравнение типа (3.16) отражает не только благодаря изменению величины его коэффициентов, но и сочетанием их знаков [66].