Амортизационные отчисления

Разница в механизмах действия переключателей и терми1 сторон связана со значительно меньшим объемом нагреваемой области в аморфной пленке переключателя — проводящего канала или шнура, образующегося при шнуровании тока (см. § 3.13). Проводящий канал возникает перед переключением прибора в открытое состояние и из-за разогрев-а имеет большую удельную проводимость, чем остальная пассивная часть пленки аморфного полупроводника.

Поэтому величины, входящие в уравнения (10.6) и (10.7), являются параметрами проводящего канала в пленке аморфного полупроводника, т. е. Н — это коэффициент рассеяния проводящего канала; Т — температура проводящего канала; Rx — коэффициент, зависящий от площади сечения проводящего канала,

толщины пленки аморфного полупроводника и его свойств; В — коэффициент температурной чувствительности аморфного полупроводника.

Удельная проводимость разогретого проводящего канала превышает удельную проводимость остальной пассивной части пленки аморфного полупроводника. Однако площадь поперечного сечения проводящего канала на несколько порядков меньше площади пассивной части пленки аморфного полупроводника между электродами. Поэтому полная проводимость пассивной части пленки может быть больше абсолютного значения дифференциальной проводимости, характерной для переходного участка ВАХ проводящего канала. В таком случае переключатель будет иметь так называемую у-образную ВАХ (см. § 3.13).

Напряжение переключения переключателей на аморфных полупроводниках уменьшается с увеличением температуры окружающей среды, так же как и пробивное напряжение при тепловом пробое (см. § 3.13). Однако в переключателях с малой толщиной пленки аморфного полупроводника (несколько микрометров) из-за большой напряженности электрического поля тепловому пробою может предшествовать лавинный пробой. Пробивное напряжение при лавинном пробое растет с увеличением температуры окружающей среды (см. § 3.11). Поэтому у переключателей с малой толщиной пленки аморфного полупроводника может быть сложная зависимость напряжения переключения от температуры. Тем не менее механизм переключения из закрытого состояния в открытое связан только с тепловым пробоем.

Элементы памяти на аморфных полупроводниках имеют ту же конструкцию, что и переключатели, но в качестве аморфного полупроводника используют обычно халькогенидные стекла трой-

Нестабильность обычно проявляется в уменьшении со време нем напряжения переключения и с переходом прибора на аморфных полупроводниках в состояние памяти, т. е. в открытое состояние с эффектом памяти. Связано это явление с постепенной кристаллизацией аморфного полупроводника в проводящем канале, которая происходит тем быстрее, чем выше температура и напряженность поля в проводящем канале. При этих условиях облегчаются дрейф ионов аморфного полупроводника в проводящем канале и их перегруппировка, способствующая кристаллизации.

Число переключений, которое может выдержать переключатель, зависит от тока, проходящего через открытый переключатель, и от длительности прохождения этого тока. Чем больше амплитуда и длительность импульсов тока, тем за меньшее число переключений происходит перегруппировка ионов в проводящем канале, приводящая к кристаллизации в нем аморфного полупроводника.

1.3. Низкоомные универсальные омические контакты, созданные на основе использования свойств локализованных состояний в аморфном полупроводнике: а — схема, объясняющая принцип действия с мозаичным р+/«+-омическим контактом [ 24]; б ~ предлагаемый реальный универсальный омический контакт на основе аморфного полупроводника

но разупорядоченных областях расположен близко к середине запрещенной зоны. В нелегированных пленках a-Si:H и-типа ( 2.4.8, в) (в областях сеток чистого a-Si) электроны двигаются более свободно и менее подвержены захвату ловушками, что проявляется в недисперсионном характере электронного переноса и в высокой подвижности носителей заряда. Дырки же, претерпевая со стороны ловушек частый захват, оказываются локализованными в сильно разупорядоченных областях Si:H аморфного полупроводника, что проявляется в диспер-сионности переноса дырок. Как было показано выше, этот случай реализуется в пленках обоих типов: TP-a-Si:H и PP-a-Si:H. Изложенную модель можно распространить и на a-Si:H р-типа, легированный бором, в котором уровень Ферми лежит вблизи валентной зоны ( 2.4.8, г). В этом случае дырки, расположенные преимущественно в областях сеток чистого a-Si, обладают подвижностью, большей, чем электроны, которые дрейфуют в сильно разупорядоченных областях Si:H, что хорошо согласуется с экспериментальными наблюдениями [150].

5Л-9. Спектральные кривые для элементов с различным составом аморфного полупроводника при наличии или отсутствии освещения смещения белого света [,/V0 1 • 101S фотоны/ (см2 • с) (Накамура Г. и др.) : 1 ~ a-Si : Н с n-i-p- переходом (1400 А);

эксплуатационные расходы — стоимость потребляемой электроэнергии, амортизационные отчисления, расходы на текущие и капитальные ремонты, прочие эксплуатационные расходы, зарплата обслуживающего персонала, стоимость суток (часа) бурения (без учета затрат, на которые анализируемый показатель оказывает непосредственное влияние).

Сопоставительной оценке в расчете рациональной установленной мощности подлежат: производительность буровой установки при спуско-подъемных операциях в зависимости от установленной мощности привода, определяющая экономию текущих затрат, зависящих от времени; энергетические затраты при спуско-подъемных операциях и роторном бурении; расходы на мон-тажно-транспортные работы; амортизационные отчисления.

Амортизационные отчисления. Изменение амортизационных отчислений определяется по формуле

Эксплуатационные затраты входят в удельную сметную стоимость 1 ч работы буровой установки по затратам, зависящим от времени. Существенное изменение при изменении установленной мощности привода претерпевают такие составляющие стоимости станко-часа, как энергетические затраты и амортизационные отчисления (на новых буровых установках —свыше 30% от общей стоимости). Остальные составляющие можно условно принять постоянными, за исключением затрат на содержание и ремонты электрооборудования, которые для электрических машин можно определить по средним удельным затратам на 1 кВт установленной мощности (4,75 руб/кВт в год); для комплектных устройств управления эти затраты условно принимаются постоянными.

Если выделить амортизационные отчисления и принять во внимание снижение ценности эффекта для момента, когда производятся капиталовложения АК. на повышение надежности, величина указанного экономического эффекта 5т будет равна

СА. — амортизационные отчисления по приборам, руб.;

Определение капитальных, эксплуатационных и приведенных затрат. Капитальные затраты каждого варианта схемы РУ вычисляются по укрупненным показателям стоимости ячеек высоковольтных выключателей, приведенным в [33, 61]. В эксплуатационных затратах учитываются только амортизационные отчисления и отчисления на обслуживание. Приведенные затраты рассчитываются по выражению

Основным источником инвестиций сейчас по-прежнему остаются амортизационные отчисления. Инвестиции, привлекаемые из прибыли, составляют только 30 % их общего объема. При этом большая часть инвестиций осуществляется за счет бартера и взаимозачетов, что значительно снижает их эффективность. По-прежнему низки объемы вводимых новых мощностей электростанций, которые в 1999 г. составили только 835 МВт.

В настоящее время капиталовложения в АЭС вы не, чем в ТЭС равной мощности, но строятся они в основном в районах, в которых стоимость органического топлива относительно велика. Поэтому стоимость ядерного топлива, рассчитанная на 1 кВт • ч вырабатываемой электроэнергии, оказывается здесь более низкой, чем на обычных электростанциях, а амортизационные отчисления более высок ими. Следовательно, АЭС надо рассматривать в системе как базовые. Использование АЭС для покрытия промежуточных электрических нагрузок экономически нецелесообразно. Однако в часы значительного >меньшения электропотребления, особенно если продолжительность такого режима невелика, они могут быть частично разгружены. Оборудование АЭС обычно позволяет уменьшать и увеличивать мощность установки довольно быстро. В качестве пиковых могут быть сооружгны электростанции, специально предназначенные для покрытия пиковой части графика электрических нагрузок. Такие электростанции дслжны быть расположены вблизи потребителей и быть приспособлены для частого пуска и останова. Стоимость этих электростанций должна быть значительно ниже, чем базовых, так как число часов использования их невелико. Для пиковой установки КПД может быть невысоким.

где Иа - амортизационные отчисления;

Амортизационные отчисления включают издержки на капитальный ремонт и на накопление средств, необходимых для замены (реновации) изношенного и морально устаревшего оборудования. Определяются по формуле