Активного линейного

1) параметрические преобразователи, в которых измеряемая неэлектрическая величина воздействует на резистивный, или индуктивный, или емкостный элемент так, что каждому значению неэлектрнческой величины соответствует определенное значение г, или L, или С активного, индуктивного или емкостного элемента электрической цепи измерительного устройства. При изменении измеряемой неэлектрической величины в той же степени изменяется >; или L, или С;

2. Что можно сказать про сдвиг фаз тока относительно напряжения на зажимах активного, индуктивного и емкостного сопротивлений?

§ 4.5. Последовательное соединение активного, индуктивного

§ 4.5. Последовательное соединение активного, индуктивного и емкостного сопротивлений. Треугольники напряжений и сопротивлений' 88 § 4.6. Параллельное соединение. Треугольники токов и проводимостей 94 . § 4.7. Преобразование последовательного соединения активного и реактивного сопротивлений в эквивалентное параллельное: соединение 96

с последовательным соединением активного и индуктивного сопротивлений;

с последовательным соединением активного, индуктивного и емкостного сопротивлений;

Условием резонанса при параллельном соединении активного, индуктивного и емкостного сопротивлений ( 6-7) является также отсутствие сдвига фаз между током и напряжением на зажимах цепи.

Схема 3.44, а состоит из источника ЭДС ? и последовательно с ним включенных активного, индуктивного и емкостного элементов (R, L, С). Схема 3.44, б состоит из источника тока /э и трех параллельных ветвей. Первая ветвь содержит активную проводимость §э, вторая — емкость Сэ, третья — индуктивность L3. <

1) параметрические преобразователи, в которых измеряемая неэлектрическая величина воздействует на резистивный, или индуктивный, или емкостный элемент так, что каждому значению неэлектрической величины соответствует определенное значение г, или L, или С активного, индуктивного или емкостного элемента электрической цепи измерительного устройства. При изменении измеряемой не электрической величины в той же степени изменяется г, или L, или С;

Скоростные погрешности могут быть уменьшены и за счет правильного выбора (где это возможно) характера нагрузки ZHan>: активного, индуктивного, ем- с костного [10]. Однако можно д°' _ уменьшить либо амплитудную, ' либо фазовую погрешность, по- '

из источника э. д. с. ? и последовательно с ним включенных активного, индуктивного и емкостного сопротивлений (R, L, С). Схема 3.44, б состоит из источника тока /9 и трех параллельных ветвей. Первая ветвь содержит активную проводимость §3^ вторая — емкость С3, третья — индуктивность L3.

Эквивалентные схемы транзистора подразделяют на две большие группы: эквивалентные схемы, построенные с учетом физических свойств транзистора, его структуры и геометрии (модели транзистора), и эквивалентные схемы, отражающие свойства транзистора как активного линейного четырехполюсника (формальные эквивалентные схемы). Первые характеризуются физическими (внутренними) параметрами транзистора, вторые — параметрами транзистора как четырехполюсника (характеристическими параметрами).

Характеристические параметры транзистора можно найти, если формально представить транзистор в виде активного линейного четырехполюсника ( 2.15, а), у которого имеются входные ток 1\ и напряжение U\ и выходные ток /2 и напряжение L/Z. Если любые две из этих четырех величин считать независимыми, то две другие

никаких изменений в методику исследования, так как электронная лампа или транзистор, работающие в линейном режиме, могут быть заменены схемой замещения в виде активного линейного четырехполюсника (а электронная лампа на низких частотах даже линейным активным двухполюсником), после чего анализ радиотехнической схемы не отличается от анализа обычной электротехнической.

и эквивалентные схемы, отражающие свойства транзистора как активного линейного четырехполюсника (формальные эквивалентные схемы). Первые характеризуются физическими собственными или внутренними параметрами транзистора, вторые — параметрами транзистора как четырехполюсника (характеристическими параметрами). Обе группы эквивалентных схем могут быть использованы при анализе транзисторных каскадов, работающих в активном режиме.

Характеристические параметры транзистора можно найти, если формально представить транзистор в виде активного линейного четырехполюсника ( 3.23, а), у которого имеются входные ток /! и напряжение t/i и выходные ток /2 и напряжение U2- Если любые две из этих четырех величин считать независимыми, то две другие могут быть найдены из соответствующих уравнений, в которые кроме указанных величин входят характеристические параметры. В зависимости от набора независимых величин для транзисторов можно использовать несколько систем уравнений.

Рассмотрение транзистора как активного линейного четырехполюсника (см. § 4.10) удобно для расчета электрических схем. Однако оно имеет и ряд недостатков, которые связаны прежде всего с тем, что параметры четырехполюсника вводят в известной степени формально и каждый из них может отражать влияние сразу нескольких физических процессов. Поэтому получаются сложные зависимости параметров четырехполюсника от режима работы транзистора (постоянных напряжений и токов), от частоты и температуры. Чтобы упростить эти зависимости, свойства транзистора при малом переменном сигнале описывают с помощью эквивалентных схем. Под эквивалентной понимают электрическую схему, составленную из линейных элементов электрических цепей (сопротивлений, емкостей, индуктивностеи, генераторов тока или напряжения), которая по своим свойствам при данном сигнале (например, при малом переменном) не отличается от реального объекта (транзистора). Графическое изображение эквивалентных схем позволяет более экономно зафиксировать основные соотношения. При расчетах с помощью эквивалентных схем сначала определяют токи и напряжения в самой схеме и затем переходят к каким-то другим параметрам, например параметрам четырехполюсника.

Эквивалентные схемы триода. Как было показано в гл. 3, триод^можно представить в виде активного линейного четырехполюсника, выходной (анодный) и входной (сеточный) ток которого описываются соотношениями (3-24) и (3-25)

Для полевых транзисторов также используются схемы замещения уравнений активного линейного четырехполюсника. Как отмечалось в § 13-4, для полевых транзисторов — приборов, управляемых напряжением, используется система г/-парамет-ров, определяемых выражениями (13-14)—(13-17). Схема замещения для транзистора, включенного но схеме ОН, показана на 16-13.

Эквивалентные схемы триодов и многоэлектродных ламп. В триоде, представляемом для малых сигналов в виде активного линейного четырехполюсника, приращения выходного и входного токов связаны с приращениями входного и выходного напряжений через характеристические проводимости в выражениях (9.12). Используя соотношения

Эквивалентные схемы триода. Как было показано в гл. 3, триод^можно представить в виде активного линейного четырехполюсника, выходной (анодный) и входной (сеточный) ток которого описываются соотношениями (3-24) и (3-25)

Для полевых транзисторов также используются схемы замещения уравнений активного линейного четырехполюсника. Как отмечалось в § 13-4, для полевых транзисторов — приборов, управляемых напряжением, используется система г/-парамет-ров, определяемых выражениями (13-14)—(13-17). Схема замещения для транзистора, включенного но схеме ОН, показана на 16-13.

Виды и особенности импульсных источников электропитания. Импульсные, или ключевые, источники электропитания в настоящее время получили распространение не меньшее, чем линейные стабилизаторы напряжения. Их основными достоинствами являются: высокий коэффициент полезного действия, малые габариты и масса, высокая удельная мощность. Все перечисленные свойства эти источники питания получили благодаря применению ключевого режима при работе силовых элементов. В ключевом режиме рабочая точка транзистора большую часть времени находится в области насыщения или области отсечки, а зону активного (линейного) режима проходит с высокой скоростью за очень малое время переключения. При этом в области насыщения напряжение на транзисторе близко к нулю, а в режиме отсечки в транзисторе отсутствует ток, благодаря чему потери в транзисторе оказываются достаточно малыми. Все это приводит к тому, что средняя за период коммутации мощность, рассеиваемая в ключевом транзисторе, оказывается намного меньше, чем в линейном регуляторе. Малые потери в силовых ключах приводят к уменьшению или полному исключению охлаждающих радиаторов.