Активными элементами

P/Si, оптическая ширина запрещенной зоны А'„, тепловая энергия активации проводимости Еа н плртность спинов при комнатной температуре NS, полученная методом ЭПР. Величина Ка определялась графически из эмпирического соотношения \fothv <*> (hv - ?'„) в области высоких значений а (а « 10" см"1) 75].

Измерялась зависимость темновой проводимости и ее энергии активации Еа в.пленках a-Si]_xGex:H от оптической ширины запрещенной зоны Ego t. В общем случае с увеличением Ego t темновая проводимость снижается, так как возрастает ее энергия активации. На 4.1.5. показаны зависимости темновой проводимости от Ego t для пленок a-Sii_xGex : Н, условия осаждения которых сильно различались (данные Накамура и др.). Черными и светлыми точками обозначены экспериментальные данные, полученные для пленок, осажденных в высокочастотном тлеющем разряде соответственно большой и малой мощности. Из данных 4.1.5 следует, что с увеличением мощности разрядов темновая проводимость пленок a-Sij _xGex : Н падает. На 4.1.6 показана зависимость энергии активации проводимости от оптической ширины запре-

4.1.6. Зависимость энергии активации проводимости в пленках a-Si, xGcx:H от оптической ширины запрещенной зоны: - 0,25; 2 - Еа2

4.1.7. Зависимость предэкспоненциального множителя о0 от: а - оптической ширины запрещенной зоны; б - энергии активации проводимости 16]

На 4.4.3 показана зависимость темновой проводимости, нормированной фотопроводимости (т)дт) и энергии активации проводимости от отношения мольных долей NH3 и SiH4 (^NH3/^siH4) ПРИ осаждении пленок a-SixNi-jc: Н. В предположении, что рекомбинация в пленках носит мономолекулярный характер, величина фотопроводимости пропорциональна интенсивности внешней подсветки. С увеличением содержания в газовой смеси аммиака вплоть до значения Л^Н}/^81Н4 = 0,26 темно-вая проводимость и фотопроводимость проявляют тенденцию к возрастанию. В пленках, полученных из газовой смеси состава ^NHa/^SiH, = = 0,1, величина фотопроводимости особенно велика, а оптическая ширина запрещенной зоны составляет 1,85 эВ. В диапазоне концентрацией jVNH /yVsiH > 0,26 с увеличением в газовой смеси содержания МН3 тем-новая проводимость и фотопроводимость осажденных пленок падают

На 5.3.3 представлены темповая проводимость при 25 °С и энергия активации проводимости пленок, осажденных при различных мощностях разряда. Легированные фосфором пленки Si: Н были получены разложением газовой смеси SiH4-H2-PH3 (SiH4/H2 = 1/20, PH3/SiH4 = = 0,01) в высокочастотном (13,56 МГц) тлеющем разряде в емкостно-спаренном реакторе. С увеличением мощности разряда проводимость сначала снижается, а затем резко повышается от 10~4 до 8 См/см. При этом энергия активации изменяется от 0,2 до 0,02 эВ.

7.1.3. Удельные темновая (1) н фотопроводимости (2) н энергия активации проводимости (J) в зависимости от уровня легирования. Интенсивность света составляла 400 мВт/см2 [ 81

P/Si, оптическая ширина запрещенной зоны А'„, тепловая энергия активации проводимости Еа н плртность спинов при комнатной температуре NS, полученная методом ЭПР. Величина Ка определялась графически из эмпирического соотношения \fothv <*> (hv - ?'„) в области высоких значений а (а ~ 10" см"1) 75].

Измерялась зависимость темновой проводимости и ее энергии активации Еа в.пленках a-Si]_xGex:H от оптической ширины запрещенной зоны Eg . В общем случае с увеличением Ego t темновая проводимость снижается, так как возрастает ее энергия активации. На 4.1.5. показаны зависимости темновой проводимости от Eg t для пленок a-Sii_xGex : Н, условия осаждения которых сильно различались (данные Накамура и др.). Черными и светлыми точками обозначены экспериментальные данные, полученные для пленок, осажденных в высокочастотном тлеющем разряде соответственно большой и малой мощности. Из данных 4.1.5 следует, что с увеличением мощности разрядов темновая проводимость пленок a-Sij _xGex : Н падает. На 4.1.6 показана зависимость энергии активации проводимости от оптической ширины запре-

4.1.6. Зависимость энергии активации проводимости в пленках a- Si, xGcx:H от оптической ширины запрещенной зоны:

4.1.7. Зависимость предэкспоненциального множителя а„ от: а - оптической ширины запрещенной зоны; 6 - энергии активации проводимости [16]

Элементы электрических цепей, имеющие в качестве параметров ЭДС, называются активными элементами, не имеющие ЭДС — пассивными элементами. Во многих случаях вместо

Источники ЭДС и тока называются активными элементами, а рези-стивные, индуктивные и емкостные элементы — пассивными элементами схем замещения.

В гибридно-пленочных микросхемах активными элементами являются «навесные» бескорпусные транзисторы или целые бескорпусные полупроводниковые микросхемы. Трудоемкость их монтажа довольно высока, поэтому число таких элементов стремятся ограничить.

Режим нелинейных четырехполюсников при равенстве нулю токов на входе и выходе называют режимом двойного холостого хода. Для фотодиодов и фототранзисторов таким режимом является равенство нулю светового потока Ф, освещающего элемент, и тока, подводимого к двухполюснику. Обычно нелинейные четырехполюсники рассматривают совместно с источниками постоянного тока, включаемыми в первичную и вторичную цепи; в этом случае их называют активными элементами цепи. Характеристики безынерционные (не зависящие от частоты сигнала).

Усилителем называется устройство, предназначенное для повышения (усиления) мощности входного сигнала. Усиление происходит с помощью активных элементов за счет потребления энергии от источника питания. Активными элементами в усилителях чаще всего являются транзисторы; такие усилители принято называть полупроводниковыми или транзисторными. В любом усилителе входной сигнал лишь управляет передачей энергии от источника питания в нагрузку. Принцип действия усилителя г удобно пояснить с помощью схемы,

Источники ЭДС и тока называются активными элементами, а рези-стивные, индуктивные и емкостные элементы - пассивными элементами схем замещения.

Источники ЭДС и тока называются активными элементами, а рези-стивные, индуктивные и емкостные элементы — пассивными элементами схем замещения.

Фазочастотная характеристика отражает зависимость угла сдвига фазы между входным и выходным напряжениями, т. е. аргумента коэффициента усиления К от частоты ( 4.2, б). Положительные значения угла ф соответствуют опережению выходным напряжением входного, а отрицательные — отставанию. Здесь следует оговориться, что под фазовым углом сдвига ф понимают такой, который обусловлен реактивными элементами (емкостями, индуктивностями) схемы усилителя, а вносимый активными элементами (транзисторами, микросхемами) поворот фазы на 180° не принимают во внимание.

§ 9.3. ФИЛЬТРЫ С АКТИВНЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ

Фильтры с активными элементами применяют при малых напряжениях (единицы и десятки вольт) и больших токах. В таких фильтрах основным сглаживающим элементом является транзистор.

§ 9.3. Фильтры с активными элементами...... . . 237