Аналогичное выражение

Аналогичное соотношение имеет место, когда несколько конденсаторов емкостью Ск посредством смешанного последовательного пк и параллельного тк соединения объединяются в общую емкость ЕН: Сн = ткСк/пк. Роль уравнительных соединений в этом случае выполняют дополнительные разрядные сопротивления, предназначенные для снятия остаточного напряжения в нерабочем состоянии ЕН. Они включаются аналогично уравнительным соединениям полупроводниковых приборов при их последовательно-параллельном соединении.

В общем случае для различных МН показатель И/уд = хар/у при одинаковых параметрах материала ар и у пропорционален коэффициенту формы х. Аналогичное соотношение справедливо также для индуктивных НЭ (см. гл. 2). Ниже приведены значения х, соответствующие различным конструкциям маховиков по 4.6, а — з, на основании данных [4.1, 4.20].

где /=/m/N2 = vff^/L — действующее значение тока; Wf — кинетическая энергия ротора ЭМН (потери на трение не учитываются, см. § 5.2.6). Аналогичное соотношение для WL,m справедливо в случае разряда на индуктивность ЭМН с генератором переменного тока постоянной частоты.

ционного КР из условий адиабатического нагрева (без учета теплоотдачи) получается аналогичное соотношение (см. § 2.5.3). Если же принять во внимание уменьшение электропроводности с возрастанием превышения температуры:

При низком уровне возбуждения Дл=ДрПо) не зависит от концентрации дырок и характеризует время жизни неосновных носителей заряда — дырок. Аналогичное соотношение справедливо для дырочного полупроводника.

Аналогичное соотношение можно записать и для токов любых сечений схемы, если вместо матрицы А воспользоваться (1т X /д) матрицей главных "сечений П. Обозначим строки и столбцы этой матрицы номерами ветвей дерева Т и ветвей графа G соответственно. При этом некоторый элемент я,-/ данной матрицы, расположенной на пересечении г'-й строки и /-го столбца, равен +1 (—1), если /-е сечение содержит ребро а/ и их направления совпадают (противоположны); в противном случае л,-/ = 0. Для графа G ( 6.34, б) матрица П имеет следующий вид:

Данная аппроксимация производных используется в неявных методах численного интегрирования систем обыкновенных дифференциальных уравнений. В явных методах применяется аналогичное соотношение с пределами изменения индекса i = I, p.

оказывается меньше, чем у микросхемы ДТЛ, так как в микросхеме ТТЛ исключены диоды смещения, из которых только один скомпенсирован коллекторным переходом МЭТ [в (7,16) разность потенциалов коллектора и эмиттера МЭТ Цон.мэ = = t/кб.мэ - t/эб.мэ в первом приближении равна разности UOT.CM - t/двх» которая входит в аналогичное соотношение (7.3) для элемента ДТЛ].

Очевидно, что для полупроводниковой пластинки с электропроводностью я-типа получится аналогичное соотношение между углом Холла, подвижностью электронов и значением магнитной индукции. При малых магнитных полях и, следовательно, при малых углах Холла

Для двигателей независимого возбуждения, работающих с неизменным магнитным потоком, а также для асинхронных двигателей, работающих в пределах линейной части механической характеристики, легко получить аналогичное соотношение между моментами, а при работе указанных двигателей на естественной характеристике — аналогичное соотношение и между мощностями

векторе am как на диаметре ( 5.19). Аналогичное соотношение имеет место для делителя

Аналогичное выражение имеет действующее значение несинусоидального тока

Аналогичное выражение можно получить для действующего значения тока / или для его первой гармоники.

Формула (3.28) показывает, что сила взаимодействия двух проводов с токами пропорциональна произведению токов. Аналогичное выражение можно записать и для вращающего момента, который приводит в движение подвижную катушку: М„Р = &звр /i /2-

Аналогичное выражение можно получить для плотности тока дырок:

Аналогичное выражение можно записать для коэффициента диффузии дырок:

Аналогичное выражение можно получить для плотности тока дырок:

Для приращения векторной функции формально можно записать аналогичное выражение:

где ^"(s; t)^Cm — изображение вектор-функции f(t)^Rm. Аналогичное выражение для преходящей составляющей решения здесь не приводится из-за его громоздкости. Подобные выражения существенно упрощаются в том случае, когда матрица А обладает простым спектром. Пусть a/г — собственные значения матрицы; Pk — ее проекторы, k=l, Ч,..,, т. Тогда формулы (3.5), (3.6) могут быть записаны в виде

Аналогичное выражение можно написать для комплексных действующих 0 и /. Из выражения (2-15) следует, что амплитуда

Аналогичное выражение получим и для второй катушки.

Аналогичное выражение можно написать для комплексных действующих напряжения UL и тока 7. Из выражения (2-15) следует, что комплексное амплитудное напряжение или комплексное действующее напряжение получаются путем умножения комплексного тока на индуктивное сопротивление и мнимую величину у; последнее определяет поворот вектора напряжения на угол я/2 в направлении вращения векторов. Это находится в полном соответствии с выражением (2-13). Следовательно, для комплексных действующих напряжения и тока по аналогии с законом Ома имеем