Аналогичных характеристик

При подключении нагрузки (аналогичных элементов) выходное напряжение

Элемент выдержки времени по схеме 9.1 предназначен для согласования с унифицированными логическими элементами ИЛИ—НЕ тцпа Т-101 (см. 8.2).- Параметры элементов его входных (VI—V3, Rl, R2, V4) и выходных (Rll, V12) цепей совпадают с параметрами аналогичных элементов логического элемента ИЛИ—НЕ. То же относится и к параметрам входных и выходных сигналов.

торых их параметров не заданы, но известно, что они заведомо существенно (несравнимо) меньше или существенно (несравнимо) больше соответствующих значений параметров других аналогичных элементов. При этом обычно вводят допущение об идеальности элементов и в результате анализируют цепи (точнее математические модели цепей) с идеальными источниками ЭДС, источниками тока, вентилями, трансформаторами и т. д. Для многих задач такое допущение позволяет получать наиболее простые и адекватные рассматриваемому объекту (реальной цепи) математические модели. Вместе с тем оказывается, что при некоторых видах расположения идеальных элементов в цепи (топологических вырождениях) задача ее расчета уже не имеет однозначного решения, т. е. становится некорректной. В этих слу: . . ,.-....... . .:;;:>: идеальных элементов и заменяют последние элементами, параметры которых исследователю представляются очень малыми или очень большими относительно параметров других элементов.

Исторически первым было семейство ЦИС типа ТЛНС. Базовые элементы имеют технические решения, приведенные в табл. 20.1. Следует учитывать, что нагрузками логических элементов являются входные цепи аналогичных элементов. Серьезный недостаток ТЛНС неравномерное распределение тока между базами нагрузочных транзисторов. Такая неравномерность связана с различием входных характеристик транзисторов, обусловленным не технологическим разбросом (который в ИС мал), а неизбежным различием коллекторных токов насыщенных транзисторов. Токи насыщения существенно зависят от числа транзисторов базового элемента, находящихся в открытом состоянии. При подключении нескольких нагрузок к базовому элементу снижается логический перепад выходных уровней и, следовательно, допустимое значение статической помехи (до значения {/„„„* 0,2 В).

1. Нагрузочная способность. Этот параметр характеризуется коэффициентом разветвления йраз и определяет число входов аналогичных элементов, которое может быть подключено к выходу ЛС. С увеличением нагрузочной способности расширяются возможности применения ЛС, но при этом ухудшаются некоторые параметры их: снижается быстродействие, помехоустойчивость, увеличивается потребляемая мощность.

Если к выходу ЛЭ2 подключить не один, а п аналогичных элементов, то втекающий в его выход ток увеличится в п раз (см. 7.8), соответственно возрастет коллекторный ток выходного транзистора и повысится напряжение Vй.

Пример 21. Рассчитать интегральную схему логического элемента с резистивно-емкостной связью1) ( 3.30) так, чтобы полное время переключения Гпер шестивходового элемента (М = 6), работающего на N = 10 аналогичных элементов, не превышало 1 икс. Напряжение источника питания Ек = 6 В. Параметры интегрального транзистора указаны в § 2.2.2. Паразитные емкости резисторов Ra

Пример 22. Рассчитать интегральную схему ( 3.33) диодно-тран-зисторного логического элемента (ДТЛ) так, чтобы полное время переключения Гпер трехвходового элемента (М = 3) при подключении к нему Л^ = 5 аналогичных элементов не превышало 100 не. Помехоустойчивость схемы в закрытом состоянии должна быть не менее 0,8 В. Напряжения источников питания и смещения заданы: ?„ = 6 В; ?ом = 2 В. В схеме используются интегральные транзисторные структуры, параметры которых приведены в п. 2.2.2. Паразитные емкости компонентов указаны в примере 21.

Резистивный каскад на полевом транзисторе. Полевые транзисторы применяются в трех схемах включения ( 13.8): с общим истоком (ОИ), с общим затвором (ОЗ) и с общим стоком (ОС). Основным и наиболее распространенным является каскад с общим истоком. Принципиальная схема такого каскада приведена на 13.9. Резистор Re в цгпи стока выполняет функцию сопротивления нагрузки усилителя, цепочка RwCw. в Цепи истока служит для получения напряжения автоматического смещения и выбора рабочей точки на стоко-затворной характеристике полевого транзистора ( 7.24). Резистор /?3 в цепи затвора позволяет подать постоянное напряжение смещения на участок затвор — исток. Что же касается разделительных конденсаторов Cpi и СР2, то их назначение ничем не отличается от аналогичных элементов в схеме на биполярном транзисторе (см. 13.4).

В качестве примера на 17.4, а приведена принципиальная схема усилителя К1УТ401. Он содержит три усилительных каскада. Первый усилительный каскад построен на транзисторах VT1 и VT3 по симметричной дифференциальной схеме и имеет два симметричных входа (инверсный1 — 9 и прямой — 10). Этот каскад нагружен на два также симметричных входа второго балансного каскада на транзисторах VT4 и VT6 и коллекторные резисторы R1, R3. Во втором каскаде нагрузочное сопротивление R8 включено только в одно плечо. Это позволяет перейти от симметричной схемы к несимметричной. Назначение транзисторов VT2 и VT5 (в диодном включении), а также резисторов R2, R5, R6 и R7 не отличается от аналогичных элементов схемы дифференциального усилителя, рассмотренного в параграфе 17.1. Эти элементы обеспечивают глубокую отрицательную обратную связь и тем самым стабилизируют работу усилителя.

как в бесконтактных поворотных трансформаторах ( 49-5). Во второй модификации, предложенной А. Г. Иосифяном и Д. В. Све-чарником ( 49-11), обмотка возбуждения 3 и обмотка синхронизации 4 располагаются на статоре, а ротор, опирающийся на подшипники 8, выполняется без обмоток. Обмотка синхронизации 4 размещается в пазах статора 5, причем и обмотка, и магнитопровод по своей конструкции не отличаются от аналогичных элементов контактного сельсина. Разноименнополюсное поле возбуждения, сцепленное с обмоткой синхронизации, создается в этом сельсине неподвижной обмоткой возбуждения, состоящей из двух кольцеобразных катушек 3. Катушки 3 питаются переменным током и образуют пульсирующий магнитный поток, который замыкается вокруг катушек по пути, показанному на 49-11 пунктирной линией. Этот путь включает следующие участки: магнитный корпус статора 2; немагнитный зазор; правый когтеобразный полюс /; немагнитный зазор; зубцы и ярмо магнитопровода 5; немагнитный зазор; левый когтеобразный полюс /; немагнитный зазор. Для того чтобы поток не мог пройти от одного полюса к другому, минуя магнитопровод 5 и не сцепляясь с обмоткой 4, между когтеобразными полюсами имеется большой немагнитный зазор, вал 7 также делают немагнитным. С целью исключения другого нежелательного пути для потока предусматривается большой немагнитный зазор 6 между магнитопроводом 5 и корпусом 2.

Типичные вольт-амперные характеристики интегрального транзистора, близкого к изображенному на 1.1, приведены на 1.3. (для схемы с общим эмиттером). Они не отличаются от аналогичных характеристик дискретных биполярных транзисторов. Особенностью интегральных транзисторов, как отмечалось, является большая, чем у дискретных, величина сопротивления насыщения гк. В связи с этим начальные, восходящие участки вольт-амперных характеристик, наклон которых характеризуется производной diJdVK— гк, для интегральных транзисторов обычно проходят более полого, чем для дискретных.

Характеристики модулированных сигналов отличаются от аналогичных характеристик сообщений. Для различных видов модуляции соотношения между характеристиками сообщений и модулированных сигналов различны. Например, при модуляции одним и тем же сообщением ширина спектра частотно-модулированного сигнала превосходит ширину спектра амплитудно-модули-рованного сигнала.

Поскольку эллиптическое вращающееся магнитное поле эквивалентно сумме двух неодинаковых по величине вращающихся в разные стороны круговых полей: прямого и обратного, из которых последнее создает тормозной момент, то очевидно, что рабочие характеристики однофазного асинхронного двигателя окажутся хуже аналогичных характеристик трехфазного асинхронного двигателя одинаковой мощности. Улучшение энергетических показателей однофазных асинхронных двигателей достигается таким подбором параметров элементов электрических цепей рабочей и пусковой фаз двигателя, а также фазосмещающего элемента, при котором угол сдвига фаз а между токами в обеих фазах статора с одинаковыми магнитодвижущими силами определяется равенством

После построения аналогичных характеристик для всех ветвей подобно предыдущему постепенно строится характеристика всей цепи и по заданному ее напряжению обратным построением определяются напряжения и токи всех ветвей цепи.

Яркостная характеристика электролюминесцентных пленочных излучателей, т. е. зависимость яркости свечения от приложенного напряжения, нелинейна, так как нелинейны ВАХ этих приборов. В связи с большей нелинейностью яркостных характеристик электролюминесцентных пленочных излучателей по сравнению с нелинейностью аналогичных характеристик электролюминесцентных порошковых излучателей пленочные излучатели обладают большей разрешающей способностью, которая ограни-

Характеристики обратной связи ?/БЭ = ft (^кэ) при /Б.= = const ( 12-10, г) отличаются от аналогичных характеристик для схемы ОБ иным наклоном к оси абсцисс. Причина этого отли-ЧИЯ уже упоминалась при обсуждении влияния напряжения ?/кэ на входные характеристики. Она заключается в уменьшении тока /Б при увеличении Пцэ \ за счет модуляции ширины базы-в отличие от характерного роста тока /э при увеличении напряжения ?/КБ в схеме ОБ.

Третья сетка пентода либо соединяется с катодом внутри лампы ( 2.17, а) и, следовательно, имеет нулевой потенциал, либо имеет отдельный вывод ( 2.17,6), и тогда к ней можно подвести напряжение, значительно меньшее, чем на аноде и второй сетке. Наличие сетки с низким потенциалом между анодом и второй сеткой создают необходимый для подавления динатронного эффекта минимум потенциала в этом пространстве. Анодные характеристики пентода не имеют провалов, вызываемых динатронным эффектом. Отличие этих характеристик // ( 2.18) от аналогичных характеристик / лучевых тетродов заключается в том, что переход

При решении многих задач приходится сталкиваться с суммированием, вычитанием и перемножением независимых случайных величин. Числовые характеристики новых случайных величин, получаемых в результате названных операций, необходимо искать с помощью аналогичных характеристик слагаемых или сомножителей. Напомним некоторые соотношения, доказываемые в теории вероятностей:

Характеристики транзисторной оптопары существенно отличаются от аналогичных характеристик диодной. Пере-

собой вплоть до Т0 <; 0,016 с. Следовательно, технические характеристики рассматриваемой следящей системы с ЭВМ в контуре регулирования при выборе Т0 < 0,016 с не будут отличаться от аналогичных характеристик исходной непрерывной системы.

Таким образом, основным свойством нелинейных элементов и систем является то, что принцип наложения (суперпозиции) к ним не применим. Это свойство нелинейных систем тесно связано с кривизной вольтамперных (или иных аналогичных) характеристик нелинейных элементов. На 1.4 изображена типичная характеристика диода ia = f(ea). В отличие от вольтамперной характеристики линейного сопротивления (