Аналогичные зависимости

Для установки микросхем на печатные платы применяют аналогичные устройства и полуавтоматы. При этом следует иметь в виду, что микросхемы в корпусах со штырьковыми выводами устанавливают только с одной стороны платы без зазора или с зазором, а микросхемы с пленарными выводами могут устанавливаться с двух сторон печатной платы. Это объясняется тем, что монтаж штырьковых выводов, как правило, произвсдят в сквозные отвер-

Частотный дискриминатор и фильтр нижних частот передатчика работают так же, как аналогичные устройства приемника канала. Компенсационные токи с выходов фильтра нижних частот АКЧ поступают в цепи пороговых устройств приемника. Падение напряжения, создаваемое этими токами, определяет порог срабатывания устройств. Резисторы, в цепях пороговых устройств подобра-

технологическая установка). Тенденции унификации и миниатюризации сказываются на схемотехнике и подходе к проектированию функциональных узлов и комплексов. Весьма перспективным для средств автоматики является направление многофункционального использования матриц МОЗУ: как для хранения, так и для преобразования информации. Особенно удачными оказываются устройства, сочетающие применение матриц МОЗУ в накопителе с применением магнитно-транзисторных формирователей и магнитных переключателей импульсов тока в устройствах управления накопителем. По стоимости, габаритам и потреблению энергии такие дискретные устройства автоматики во многих случаях превосходят аналогичные устройства, выполненные на базе интегральных микросхем. При этом они обладают высокой помехозащищенностью и могут устанавливаться в непосредственной близости от технологической установки либо станка.

В цепи со стороны переменного тока предусмотрены измерительные приборы, определяющие действующие напряжение и ток, а также активную мощность, со стороны выпрямленного тока — аналогичные устройства, указывающие средние выпрямленные напряжение и ток. Однолучевой электронный осциллограф ОЭ с двух-канальным коммутатором КЭ позволяет наблюдать на экране осциллографа кривые «0 = гз3(<в^) и иу := ty2((at), по которым можно определить величину угла отпирания тиристора.

В цепи со стороны переменного тока предусмотрены измерительные приборы, определяющие действующие напряжение и ток, а также активную мощность, со стороны выпрямленного тока — аналогичные устройства, указывающие средние выпрямленные напряжение и ток. Однолучевой электронный осциллограф ОЭ с двух-канальным коммутатором КЭ позволяет наблюдать на экране осциллографа кривые и0 = tyafwt) и щ == граСсоО, по которым можно определить величину угла отпирания тиристора.

В подавляющем большинстве современных контакторов (аппаратов) применяются аналогичные устройства, локализирующие дугу объемом камеры, находит распространение также бездуговое отключение с использованием полупроводниковых устройств (см. § 6-12).

Применяемые в электротехнике образцовые катушки сопротивлений, катушки магазинов сопротивлений, реостаты и другие аналогичные устройства обладают некоторой индуктивностью и междувитковой емкостью, с которыми необходимо считаться при их работе в цепях с повышенной и высокой частотой.

Регулирование индуктивности подмагничиванием применяется в устройствах, предназначенных для автоматической подстройки частоты колебательных контуров или изменения полосы пропускания фильтров. Аналогичные устройства используются и для автоматической корректировки формы сигналов. В отдельных случаях ток подмагничивания используют для дистанционной настройки

На приемном конце волновода можно применить аналогичные устройства. Можно также оставить этот конец открытым или снабдить его рупором для излучения волн в пространство.

Состав аппаратуры КП системы TM-12U-I приведен на 15.4. Модем М, узел синхронизации УС и кодер — декодер КД выполняют те же функции, как и аналогичные устройства на ПУ. При изменении состояния объектов блок передачи телесигнализации БПдТС посылает сигнал «Запрос связи» в БРР и по его команде осуществляет передачу ТС. Измеряемые величины преобразуются в аналого-цифровом преобразователе в кодовые комбинации и после вызова с ПУ передаются БПдТИТ. Токовые и кодовые датчики подключаются соответствующими коммутаторами. БПдТИИ включает в себя интеграторы, суммирующие импульсы от число-импульсных датчиков, и осуществляет передачу интегральных телеизмерений по вызову с ПУ.

На приемном конце волновода можно применить аналогичные устройства. Можно также оставить этот конец открытым или снабдить его рупором для излучения волн в пространство.

Для элемента свинцово-кислотной А Б разрядные характеристики при Г=298 К представлены на 1.1 9. л. Здесь верхняя кривая соответствует режиму с постоянным током 5-часового разряда. Аналогичные зависимости для щелочной никель-кадмиевой АБ даны на 1.19,6. Типичная быстрораз-рядная кривая для элементарной серебряно-цинковой АБ приведена на 1.19, в.

И, наконец, рассмотрим гладкий беспазовый магнитопровод (см. 6.17, в) с обмотками, закрепленными на поверхностях магнитопровода, обращенных к рабочему зазору 8. Зависимости магнитных проводимостей от 9 повторяют аналогичные зависимости для гладкого магнитопровода с пазами для обмоток ( 6.17, а), но их абсолютные значения меньше. В отличие от других магнитных систем здесь обмотки не экранированы магнитопроводом, поэтому испытывают на себе значительное электромагнитное воздействие.

2.13. Определить спектральную плотность униполярного прямоугольного импульса, изображенного на 2.9. Построить АЧХ и ФЧХ спектральной плотности при длительности импульса ти=1 мс и амплитуде U-\ В. Используя полученные графики, построить аналогичные зависимости для импульсов вдвое меньшей длительности. Отобразить на графиках влияние задержки импульса на время т„/2.

Для кремниевых МДП-структур характерно преобладание процессов генерации через локальные уровни в обедненном слое и поверхностной генерации в краевой области. Поэтому, если построить зависимость отношения C2n/C2(t), пропорционального dQp/df, от[1/С(0 — 1/Сд], пропорционального ш(0, то на ней можно выделить линейный участок. Угол наклона линейного участка характеризует скорость генерации носителей зарядов в обедненном слое и поверхностной генерации в краевой области. Чтобы их разделить, анализируют аналогичные зависимости для МДП-структур, изготовленных на одном кристалле, но имеющих разное отношение площади к периметру структуры. Если преобладает скорость генерации носителей заряда в объеме обедненного слоя, то на линейном участке в соответствии с (5.23) и (5.26)

Аналогичные зависимости имеют место, когда в пазу лежит несколько изолированных друг от друга проводников, тогда важное значение имеет относительная высота каждого отдельного проводника. Поверхностный эффект при рассмотрении группы проводников в каждом отдельном проводнике зависит не только от размеров самого проводника, но и от общего тока всех проводников, лежащих под ним. Ниже приведены значения критической высоты проводников при условии, что добавочные потери в проводниках не превышают 33% основных потерь [561:

В расчетах следует учитывать расходы на собственные нужды, т. е. рассматривать значения относительных приростов, построенные по изменению электрической мощности нетто. Аналогичные зависимости используются при распределении нагрузки между ТЭС и блоками в энергосистеме. Электростанции в системе могут работать на различных топливах, оптимальным здесь следует считать распределение, при котором переменные части приведенных затрат на выработку данного количества электроэнергии являются наименьшими. При различных распределениях нагрузки между электростанциями и агрегатами системы изменяются в основном лишь затраты на топливо. Поэтому с достаточной для практики точностью распределение можно проводить исходя из того, чтобы относительные приросты затрат на топливо по различным блокам и электростанциям были одинаковыми [39] , т. е. используя зависимость

двигателя с короткозамкнутым ротором (кривая 3) разворот оказывается возможным всегда при достаточном значении восстанавливающегося напряжения. На 14.1,6 приведены аналогичные зависимости для привода с вентиляторной характеристикой и двигателя с фазным ротором. Они показывают, что в данном случае двигатели

Помимо уравнения (2-41), укажем другие уравнения, при помощи которых можно определять параметры в поли-тропном процессе. Для этого нужно в уравнении (2-41) исключить какой-либо из параметров при помощи уравнения (1-15). Это было уже сделано для адиабатного процесса. Так как уравнение последнего отличается от уравнения политропного процесса только показателем, в полученных зависимостях для адиабатного процесса достаточно произвести замену показателя, чтобы получить аналогичные зависимости для политропного процесса. Эти зависимости принимают вид для параметров Т и v и соответственно для параметров Тир:

Распределение температуры по длине дуги при разных токах представлено на 10.2,6. Эти кривые относятся к свободной дуге в воздухе, горящей на медных электродах. Аналогичные зависимости характерны и для дуги, горящей в потоке сжатого воз-

На 7.18,6 показаны аналогичные зависимости, построенные для полуцикла качаний ротора первой станции относительного ротора третьей станции в системе трех станций

На 5.8 приведены зависимости средней квадрати-ческой погрешности в системе с ВИМ от коэффициента широкополосности сигнала y — AfT при постоянном значении параметра р = Vm]^T/a,характеризующие отношение мощности сигнала к удельной мощности шума. Аналогичные зависимости существуют и для других видов модуляции, кроме амплитудной. Как видно из 5.8, с расширением полосы частот А/ (с увеличением у — AfT) при слабых по-