Аналогичные рассуждения

Схемы мультивибраторов, аналогичные рассмотренным, применяются в различных моделях ЭКВМ, ЭФБМ и ЭФМ.

В заключение заметим, что проблемы, аналогичные рассмотренным в данной главе, возникают и при решении других задач диагностики, например при диагностике цепи при переходных процессах. Сопоставление подобных задач и задач диагностики резистив-ных цепей (например, путем перевода их в частотную область или введения синтетических схем) позволяет использовать рассмотренные в настоящей главе методы и при решении этих более сложных задач.

При использовании в качестве твердого источника As2O3 и газообразного AsH3 применяют методы, аналогичные рассмотренным ранее с применением источников Р2О5 и РН3 соответственно.

Контроллерные схемы с тиристорными регуляторами серии ТТЗ предназначены для управления асинхронными двигателями мощностью от 1,7 до 125 кВт. При использовании этих схем в статорные обмотки включаются тиристорные регуляторы серии РСТ, аналогичные рассмотренным в схемах ТСУ или контроллерах КБТ, а в роторные цепи —• резисторы аналогично магнитным контроллерам переменного тока. В схемах применяются симметричные регуляторы на длительно допустимые эффективные токи 100, 160 и 320 А при напряжении 380 В. Такие электроприводы имеют обратные связи по частоте вращения и позволяют получать диапазон регулирования в пределах до 10 : 1.

Контроллерные схемы с тиристорными регуляторами серии ТТЗ предназначены для управления асинхронными двигателями мощностью от 1,7 до 125 кВт. При использовании этих схем в статорные обмотки включаются тиристорные регуляторы серии РСТ, аналогичные рассмотренным в схемах ТСУ или контроллерах КБТ, а в роторные цепи —• резисторы аналогично магнитным контроллерам переменного тока. В схемах применяются симметричные регуляторы на длительно допустимые эффективные токи 100, 160 и 320 А при напряжении 380 В. Такие электроприводы имеют обратные связи по частоте вращения и позволяют получать диапазон регулирования в пределах до 10 : 1.

соединить к фазе С, а третью к фазе В), то направление вращения магнитного поля изменится на протйвополож-.ное, в чем можно убедиться, выполнив построения, аналогичные рассмотренным, 3 Практически направление вращения потока проще всего определить следующим образом: когда в какой-либо катушке ток достигает максимального значения, направление вращающегося потока совпадает с положительным направ-

Режимы, аналогичные рассмотренным, возникают и при использовании транзисторов р-п-р-типа. Однако в этом случае неосновными носителями в области базы являются дырки, и знаки напряжений на р-n- пере ходах, характеризующие тот или иной режим работы транзистора, следует заменить на обратные.

К нелинейной емкости и нелинейной индуктивности применяются определения, аналогичные рассмотренным для активного нелинейного сопротивления. Эти определения сведены в табл. 2.

Режимы, аналогичные рассмотренным, возникают и при использовании транзисторов р-я-р-типа. Однако в этом случае неосновными носителями в области базы являются дырки, и знаки напряжений на переходах, характеризующие тот или иной режим, следует заменить на обратные.

Из рассмотренного простейшего примера следует, что в нелинейной цепи при воздействии сложного сигнала возможны процессы, аналогичные рассмотренным в гл. 7, т. е. возможно некое нелинейное преобразование спектра сигнала. Оно отличается от параметрического большей сложностью спектра выходного сигнала и неприменимостью принципа суперпозиции.

убедиться, выполнив построения, аналогичные рассмотренным.

Умножим скалярно обе его части на сигнал и\. По причине ортогональности системы функций в левой части отличным от нуля окажется лишь скалярное произведение («i, «i). Равенство а\(и\, «0=0 возможно лишь при ai=0. Проведя аналогичные рассуждения применительно к сигналам н2, «з, ..., Uk при любом k, убеждаемся, что из ортогональности системы сигналов вытекает свойство линейной независимости.

Аналогичные рассуждения можно привести и для функции /4., (/) и получить корреляционную функцию

Аналогичные рассуждения в отношении второй составляющей приводят к выводу о том, что пульсирующее магнитное поле можно разложить на два поля, вращающихся в противоположные стороны.

мента обеспечивает сохранение дискретных уровней U0 и U1 при передаче информации в цепи из последовательно соединенных базовых логических элементов. Аналогичные рассуждения можно провести и для передаточных характеристик с инверсией входного сигнала, приведенных на 1.1,6. Как видно из этого рисунка, кривая Ъ пересекается со своим зеркальным изображением (кривой с) в трех точках. Следовательно, данный вид характеристики отвечает требованиям, предъявляемым к передаточным характеристикам базовых логических элементов. Времена задержки переключения цифровых схем /°, i\ определяются как промежутки времени между моментами, когда входные и выходные напряжения достигают значения UDof>.

Аналогичные рассуждения приводят к выражению для концентрации дырок в валентной зоне:

Аналогичные рассуждения приводят к выражению для концентрации дырок в валентной зоне:

Проведя аналогичные рассуждения, нетрудно показать, что на обмотку напряжения ваттметра PW2 необходимо подать вместо линейного напряжения UCB фазное напряжение UA (см. 12.13,6), Следовательно, при включении однофазных ваттметров для измерения реактивной мощности в трехфазной трехпроводной цепи необходимо иметь фазные напряжения С/А и Uc. Для получения этих напряжений создается схема с искусственной нулевой точкой.

Аналогичные рассуждения можно провести относительно нелинейных зависимостей ф^(Чг), фо(исс) и <рд(1я).

Определим величину обратного напряжения на диодах в схеме. Обратимся, например, к u,en:i abefhgca ( II. 7, а), в которую входит диод 3. К этому диоду в обратном направлении приложены встречно включенные напряжения на конденсаторах С2 и СЗ, а также Ецт, которое складывается с напр яжением на С3 — 3?цт. Отсюда следует, что «об та* = 2?цт. Аналогичные рассуждения приводят к тому, что на любом диоде будет та кое же обратное напряжение. Таким образом, для схемы, показанной на II, а, необходимы

Из XI.2, а следует, что характеристики дуги и источника согласованы в двух точках (А и Б). Подробное рассмотрение показывает, что в точке А режим дуги неустойчивый, так как любая флуктуация тока переведет рабочую точку из Л и Б. Действительно, в цепи источник — дуга есть два сопротивления изменяющемуся току: гд, с учетом (XI.1), численно равное tg у, и ГБ, численно равное tgtx. Так как -у' > > а и гд отрицательная величина, то сумма гд -f гв также отрицательная, что указывает на неустойчивый режим работы. Аналогичные рассуждения, проведенные для режима работы в точке Б, покажут, что в этой точке дуга горит устойчиво, так как будет удовлетворено неравенство tga>tg7'- На XI.2, б приведены согласованные

Рассмотрим второе состояние ЛЭ1, когда его входная цепь разомкнута, т. е. вход подключен к коллектору выключенного транзистора VTn предыдущего ЛЭ (на 7.22 не показан). В этом состоянии ток /г генератора тока ЛЭ1 втекает в базу транзистора VTU1, напряжение на его базе равно V1. Транзистор открыт, ток в его коллекторной цепи равен /г (он вытекает из входа ЛЭ2). Следовательно, для транзистора КТП1/Б — /к = /г- При достаточно большом коэффициенте передачи Рл>п > 1 выполняется условие насыщения /Б > /к/Рл?п и транзистор находится в режиме насыщения. На его коллекторе (вы ходе ЛЭ1) устанавливается напряжение ?7° •< 0,02 В. Значит, при ^BXI = U1 на выходеЛЭ1 t/BMX1 = ?7°. Аналогичные рассуждения справедливы и для второго выхода ЛЭ1, если к нему подключен нагрузочный ЛЭ. Таким образом, рассматриваемый элемент выполняет логическую операцию инверсии по всем выходам. Условное графическое обозначение инвертора с двумя выходами приведено на 7.23.