Аналогичные построения

тивление—сопротивлением и емкостью коллектора выходного транзистора 7%. Выходное сопротивление каскада не зависит от сопротивления источника входного сигнала. Таким образом, в каскодной схеме выходная цепь не связана с ее входной цепью. Коэффициенты усиления каско-да по напряжению и току имеют тот же порядок, что и аналогичные параметры элементарного усилительного каскада с общим эмиттером (истоком).

б) зависимость размеров и массы конденсаторов от параметров фильтра (чем меньше габаритные размеры и масса конденсаторов, тем меньше аналогичные параметры фильтра);

в) в электроустановках до 1 кВ с глухим заземлением нейтрали суммарное сопротивление заземляющего устройства, к которому присоединены нейтрали генераторов или трансформаторов, должно быть не более 2, 4 и 8 Ом в сетях соответственно 660, 380 и 220 В, причем сопротивление заземлителя, расположенного вблизи нейтрали генератора или трансформатора, должно быть соответственно не более 15, 30 и 60 Ом. Для воздушных линий этих напряжений аналогичные параметры должны быть не более 5, 10, 20 Ом и 15, 30, 60 Ом;

Аналогичные параметры вводятся для тиристора в обратном закрытом состоянии.

Соответственно полная длительность импульса 2 Та = ~\/1 а и ширина спектра 2?2э=~1/2й. Заменим, что аналогичные параметры гауссова импульса, определяемые на уровне е/ =0,606, составляют 2а и 2 b (вместо

Аналогичные параметры Dn, Ln и тл характеризуют процесс диффузии электронов в р-область. , .

1. При интервале между зарядами, равном радиусу (IR) воронки от единичного заряда, образуется гладкая траншея с видимыми параметрами (ширина и глубина) примерно на 10% больше, чем аналогичные параметры единичной воронки (диаметр и глубина).

в) в электроустановках до 1 кВ с глухим заземлением нейтрали суммарное сопротивление заземляющего устройства, к которому присоединены нейтрали генераторов или трансформаторов, должно быть не более 2, 4 и 8 Ом в сетях соответственно 660, 380 и 220 В, причем сопротивление заземлителя, расположенного вблизи нейтрали генератора или трансформатора, должно быть соответственно не более 15, 30 и 60 Ом. Для воздушных линий этих напряжений аналогичные параметры должны быть не более 5, 10, 20 Ом и 15, 30, 60 Ом;

Логический элемент серии MECL 100K. имеет диодную цепь термокомпенсации логических уровней, а также усовершенствованный источник опорных напряжений, делающий логические уровни независимыми от больших колебаний питающих напряжений, а также помех по цепи питания. На 3.5, а показана функциональная схема элемента серии MECL ШОК, которая содержит три части: переключатель тока ПТ и эмиттерный повторитель ЭП, а также источник опорного напряжения ИОН. Полная принципиальная схема этого элемента приведена на 3.5,6. Эмиттерный повторитель VT4 можно нагрузить на резистор сопротивлением 50 Ом, подключив его вывод к потенциалу— 2 В. Предельный ток нагрузки ЭП может достигать 55 мА. Отметим, что все измерения для ЭСЛ следует проводить при установившемся температурном режиме, причем плату с микросхемами следует обдувать (скорость потока 2,5 м/с). Номинальное напряжение питания для серии MECL 100К несколько уменьшено (—иипЭ=—4,5 В), однако логические уровни непосредственно совместимы с предыдущей логикой (см. 3.5, в). Благодаря ИОН логические уровни не изменяются, если напряжение питания будет находиться в пределах —4,2 В<—иипЭ<—5,7 В. Статическая потребляемая мощность для субнаносекундного элемента РПот = = 40 мВт, при этом на переключение потребляется энергия ЭПот = 0,75х X 40=30 пДж. Аналогичные параметры имеют отечественные микросхемы ЭСЛ серии К1500.

отдельных слоев. Данные слои представляют собой дискретные уровни температурного поля В системе переход—окружающая среда каждая область, заключенная между уровнями температурного поля, может быть представлена своим тепловым сопротивлением и теплоемкостью ( 3.59): R-\C-\ — тепловое сопротивление и теплоемкость области переход—корпус, Я2С2 — аналогичные параметры области корпус-охладитель, R3C3 — тепловые параметры области охладитель—окружающая среда. С учетом дополнительных элементов конструкции число ЯС-звеньеа в тепловой модели может увеличиваться. Данная схема замещения называется также схемой в истинных параметрах, так как она строится на основе температурной дискретизации реальных слоев системы переход—среда. Однако практическое применение указанной тепловой модели ограничено трудоемкостью экспериментального определения RC-параметров, особенно для внутренних слоев конструкции прибора. Поэтому используют тепловую модель в приведенных R*C* параметрах ( 3.60), имеющую одинаковое с исходной моделью входное сопротивление, а значит, и равную ей температуру перехода. Для данной тепловой модели определение параметров производится по кривой охлаждения, снимаемой для конкретного типа прибора, а изменение температуры структуры Tj во времени определяется по формуле'

Токовая перегрузочная способность GTO намного превосходит аналогичные параметры других приборов Однако включение на противофазный диод в режиме индуктивной нагрузки может увеличивать di/dt до значений в несколько сотен ампер на микросекунду при которых начинают резко возрастать энергетические потери и ухудшаться динамические и частотные свойства тиристора ( 6.92) Таким образом, и в данном случае необходимо использовать индуктивное ограничение при включении

Решение. Для определения вида ОС необходимо построить векторы возвратной разности. Порядок построения для Fi = l—7\ показан цифрами на 2.6,6. Проведя окружность с единичным радиусом, определим, что FI>! и, следовательно, на этой частоте имеет место отрицательная обратная связь. Выполнив аналогичные построения, узнаем, что Рг<.1. Обратная связь при этом положительная.

Для схемы с ОЭ ( 6.9, б) аналогичные построения использованы при .определении семейства характеристик прямой передачи /к = f (/Б) при t/кэ == const и характеристик обратной связи (/ЭБ = / (^кэ) при /в = const. Из рассмотрения этих характеристик видно, что при неизменном Т9ке базы напряжение i/эв мало зависит от напряжения (/кэ. но для различных значений /Б эти характеристики существенно различаются. Характеристики обратной связи служат для построения неизвестных характеристик транзистора по известным.

Выполнив аналогичные построения для последующих моментов времени (например, при u>t = n; Зя/2; 2я), можно убедиться в том, что ось магнитных полюсов за один период переменного тока поворачивается на один оборот.

На 4.7,6 проведено графическое определение тока включения трансформатора с использованием кривой намагничивания стали Ф—В(Н). Точке а на заданной кривой потока Ф(1) соответствует точка б на кривой намагничивания Ф=-/(//), а ей в свою очередь — напряженность Н\ магнитного поля и пропорциональный ток i. Аналогичные построения выполнены по точкам е-д-е, ж-з-и, к-л-м и т. д. В результате получилась кривая намаг-

Зависимость (2.5) на 2.13, а изображена прямой 2. Используя прямые 1 и 2, процесс нарастания напряжения U Скп можно описать путем итерационных построений: при первом цикле заряда конденсатора (п = 1) начальное напряжение на нем равно нулю, т. е. ^CHI = U со = 0. Проводя вертикаль через нулевую точку до пересечения с графиком /, находим [/Ск1 = Дь Найденному значению U сК1 = а = Ai = ?(1 — е~т/в) соответствует начальное значение напряжения при втором цикле зарядки конденсатора, равное t/CH2. Чтобы найти это значение, проведем горизонталь на уровне UCKi до пересечения с прямой 2. Продолжая аналогичные построения, определим последовательность значений UСкп. В установившемся режиме UCKn = (/с„Уст; UCm = ^снуст (рис- 2.13, б). Значения ^СНУСТ и ^СКУСТ на Рис- 2.13,а — соответственно абсцисса и ордината точки пересечения прямых / и 2.

На 22-12 аналогичные построения выполнены при синусоидальном потоке и заданной петле гистерезиса Ф(*'). Ход построения ясен из рисунка. Для наглядности на всех кривых одинаковыми цифрами обозначены три соответствующие одна другой точки. Напомним, что перемещение рабочей точки по петле происходит против направления движения часовой стрелки. Как видно на рисунке, максимумы б и Я и максимумы Ф и i наступают одновременно, но через нуль поток или индукция проходят несколько позже, чем ток или напряженность. Такое «отставание» обусловлено гистерезисом. Разложив кривую тока в ряд Фурье, найдем, что первая гармоника несколько опережает поток, а от напряжения отстает на угол, меньший 90°. Последнее говорит о потреблении катушкой активной мощности даже в предположении что r = Q. Действительно, на периодическое перемагничивание сердечника затрачивается определенная мощность, равная в рассматриваемых условиях потерям на гистерезис Рт. Кривая намагничивающего тока и в этом случае имеет заостренную форму и содержит третью и другие высшие нечетные гармоники.

На 6.2, б показан другой случай. Производя аналогичные построения, находим, что Ля и /К2 приобретают значения, соответствующие точкам 2, 3, 4 и т. д., удаляясь от точки пересечения прямых. Удаление происходит до тех пор, пока не изменяется закономерность, определяемая нанесенными на рисунке прямыми, т. е. прекращается действие уравнения (6.1). Это происходит, когда один из триодов попадает в режим отсечки или насыщения.

3. Строят кривую зависимости ia=f(f). Разложение ее в ряд Фурье позволяет найти постоянную составляющую, а также амплитуду первой и высших гармоник ряда Фурье. Повторив построения при иной амплитуде или иной форме напряжения ис, определяют новые значения постоянной составляющей и амплитуд первой и высших гармоник тока ia. В результате ряда таких построений получают данные, на основании которых можно построить любые представляющие интерес зависимости между входными и выходными величинами. В принципе аналогичные построения могут быть проделаны и для транзистора.

На 6.12 аналогичные построения сделаны для входного сигнала, представляющего собой прямоугольный импульс ( 6.12, а).

На 6.11 аналогичные построения сделаны для входного сигнала, представляющего собой прямоугольный импульс ( 6.11, а). При точном дифференцировании выходной сигнал должен представлять собой два единичных импульса: б (t) и — 6 (/ — 7'). В действительности же получаются два экспоненциальных импульса (на 6.11, б заштрихованы).

пряжения при втором цикле заряда конденсатора, равное t/CH2. Чтобы найти это значение, проведем горизонталь на уровне UCKl до пересечения с графиком 2. Продолжая аналогичные построения, определим последовательность значений V Скп. В установившемся режиме ?/Скп = 6/Скусг; ?/CHn = t/Cnycr ( 2.13, б). Значения ?/Снусг и ?/Скуст на 2.13, а — соответственно абсцисса и ордината точки пересечения прямых / и 2.